关于简单图的Chartrand问题的下界

本文证明任意一个圈秩为ρ的简单连通图G若含有m个端点及n个端点的撑树,且m < n,则对任意的m < k < n,G至少含有ρ+1个具有k个端点的支撑树.     

第一种Fredholm积分方程的数值解法

在本文中,研究形如∫_-1¹ k(t,s)y(s) ds=f(t),t∈[-1,1]的第一种Fredholm积分方程的数值解法,其中f(t)在[-1,1]上连续,核k(t,s)一般是弱奇性的,它可表为k(t,s)=h(t,s)m(t,s),这里h(t,s)具有形如h(t,s)=|t-s|^α,α>-1的弱奇性,m(t,s)是连续函数.本文应用Lagrange多项式内插法,构造了一个近似解序列,并证明了它的收敛性.     

α剂量热释光断代技术-一种鉴别特殊赝品的方法

热释光真伪测定是一个重要的考古技术.但是一些现代伪造的复制品已经对常规的热释光测定年代提出了挑战.本文叙述了α剂量热释光断代方法.由于α剂量不能伪造,所以这个方法是可靠的.本方法在模拟陶器碎片和古代砖头上进行实验,测量结果与真实情况符合良好.     

X射线粉末衍射数据库(FXDB)及其检索程序(FXSM)

在国内外,一般均以晶面间距d为基础建立X射线粉末衍射数据库的.由于d的误差△d及△d/d随d值大小改变,在检索对比时不甚方便.本文以相对于CuK_α辐射的衍射角2θ为基础建立数据库,FXDB分单文件库,专题单文件库及工作三文件库三个层次.     

超晶格界面上的TM电磁表面波

该文研究超晶格体中TM电磁表面波的传播特性.分析了超晶格体液晶层晶轴取向θ角对TM表面波传播的重要影响,导出了TM表面波色散关系,给出了其电场和磁场的分布曲线.理论揭示:超晶格中TM表面波存在的条件是:(1)θ=0或θ=π/2;(2)超晶格体覆盖层的复介电常数ε满足Re (ε)<0.     

剩余寿命的若干极限性质

设非负随机变量T₁,T₂,…,T_n,…独立同分布,分布函数F为连续,而{N(t),t ≥ 0}是以T₁,T₂,…为相继到达时间而产生的更新计数过程.本文求出了当t ≥ 0,s ≥ 0时,剩余寿命γ(t)与γ(t+s)的联合分布函数以及其混合矩当t,s→∞时的极限性态.结果表明t,s→∞时,γ(t)和γ(t+s)是渐近独立的.     

固体粒子对浓悬浮液流变性能的影响

以高氯酸铵和铝粉为分散相,端羟聚醚二醇为连续相,考察了总固体粒子的体积分数φ,粒度比R,以及小粒子占固体总量的体积分数φ_s对浓悬浮液流变性能的影响.对双峰分布分散系,浓悬浮液的粘度在φ_s=0.30时达到最小,并随R的减小而下降.固体细粒子对浓悬浮液的假塑性程度关系极大.当悬浮液中细粒固体增加或粒度比减小时,体系假塑性程度增大;有非球形粒子的悬浮液中,φ和φ_s的影响更大,但宽分布球形粒子构成的二元系,φ对假塑性的影响比窄分布体系小.     

三对角阵与其主子阵的特征值之间的偏差

本文考虑下列三个问题:估计d_l(λ)=min|μ_i-λ|的上界,其中μ_i(i=1,2,…,n)是B_n的特征值.     

(BiTm)3(FeGa)5O12磁光单晶薄膜

本文论述(BiTm)₃(FeGa)₅O₁₂膜的液相外延和磁光特性.研究了外延工艺对膜的生长速率和磁光性能的影响,得到膜的磁光优值θ_F/α达2.9deg/dB,并观察了膜的磁畴结构和内部缺陷.对该薄膜制成的磁光调制器进行了低频调制试验.     

InP欧姆接触研究

按金属与半导体接触的载流子输运理论,计算了n或p型InP的比接触电阻ρ_o值.计算结果以势垒高度φ_B自0.3~1.0eV,ρ_o与载流子浓度(10¹⁸~10²¹cm^-3)关系用图表示出来.当退火温度小于350℃,3分钟退火Au与InP的φ_B并不改变.如退火温度大于350℃,则Au与n-InP在3分钟退火后形成差的欧姆接触,但对p-InP则只是势垒退化,即φ_B降低.这样合金化开始温度应在350℃左右.用本文实测及文献中发表的AuZn/p-InP的实验数据与理论计算进行比较,对目前p型InP欧姆接触工艺中存在的问题进行了讨论.     

78K红外吸收法测定硅中氧含量

硅中氧含量的测定是评价硅单晶质量的重要参数之一.用外红吸收法测定硅单晶中的氧含量已有许多报道^[1~5].我们曾建立了300K 9μm红外吸收法测氧标定曲线[6],低温可提高检测灵敏度^[7~10],因此本工作主要是建立较精确的78K红外测氧标定曲线.     

SOS膜载流子迁移率的纵向分布

对于MOS器件,由于器件的跨导正比于载流子迁移率,因而迁移率(μ)是个首要的因素.SOS膜的载流子除受一般离子散射外还受异质外延所特有的散射而使其迁移率下降.     

强耦合压电晶体中激子的基态能量

本文研究压电晶体中强耦合激子的性质.采用线性组合算符和一种简单的幺正变换,得到了强耦合情形的压电激子基态的有效哈密顿量,激子的自能表示为耦合参数α的降幂级数,其首项为一次项.电子-空穴间通过声子作用诱生的作用势与耦合参数、声速等有关.     

掺硅的砷化镓体晶体的若干特性

近年来,对砷化镓光电器件的研究结果表明,用作衬底的砷化镓晶体,以掺Si材料为佳.与掺Te和掺Sn的相比,它的发光输出量大,晶体完整性较好,因而受到广泛的重视.目前对掺Si晶体的研究,在研制无位错单晶生长的同时,对晶体的性质和微结构也进行了不少的工作^[1-4].但对掺Si后的晶体中,由于杂质及缺陷的相互作用而引起晶体特性的变化,尚未见有系统的报道.     

等温衰减电流法及其在有机固体陷阱研究中的应用

从理论和实验技术上讨论了等温衰减电流(IDC)法及其在有机固体陷阱研究中的应用;介绍了根据Simmons等人的理论研制的实验装置:和对几种有机固体薄膜馅阱的研究; 得到了高斯分布型陷阱的峰值能级E_m,分布宽度参数σ,和能态密度N(E),以及载流子热释放的频率因子v等重要的陷阱表征参数.     

渐变磁场下回旋振荡管工作参量的最优化

本文利用最优控制理论研究了渐变磁场下回旋振荡管工作参量及效率的最优化问题.详细推导了回旋振荡管中电子与波互作用的状态方程及其相应的目标泛函、共轭方程和泛函梯度——它们构成了一个完整的最优控制问题.用Goldfarb方法对此最优化问题进行求解,得到大量的优化数据,可用于回族振荡管的工程设计.文中对理论分析结果进行了讨论.