首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到19条相似文献,搜索用时 93 毫秒
1.
杜桂芳  张新国 《甘肃科技》2006,22(4):105-107
运算放大器自身的限幅特性是典型的非线性特性,使得非线性或分段线性器件无须特意构造,简化了电路设计。本文分析一种限幅运算放大器混沌电路结构及其电路方程,仿真该电路的混沌相图与混沌演变。  相似文献   

2.
据理想运算放大器的控制特性和节点分析法,提出含理想运算放大器电路的PSpice仿真方案,详细说明了仿真模型和输入网单文件的建立方法。典型仿真实例表明该方案适用、有效。  相似文献   

3.
探讨了集成运算放大器传输特性与频率的关系,发现传播特性随着测试频率的改变而分裂为双线,并分析了传输特性分裂的原因。  相似文献   

4.
5.
运算放大器固有的饱和非线性被用来设计电路。这些电路,有着种类繁多的、有用的非线性伏安特性;而且结构简单,只用一个运算放大器和3~4个线性电阻即可实现。电阻是无源的,在适当的假设下,由三端口电路最高权位条件推出。本文对每一个典型电路给出简明的设计公式和例子,并用实际的测量加以证实。  相似文献   

6.
本文介绍一种集成运算放大器多功能实验电路,对信号可进行十余种运算和变换功能。  相似文献   

7.
本文结合教学实际对如何正确掌握和运用运算放大器的两条重要结论和两种运算电路做了理论上的分析.  相似文献   

8.
提出了分析集成运算放大器非线性应用电路的两条基本规律,介绍了集成运放非线性应用的重要特性——传输特性的快速画法.运用此两条规律和传输特性的快速画法,将使集成运放非线性应用电路的分析更为简捷清晰.文中还列举了许多实例加以论述。  相似文献   

9.
从线性运放的开环传输特性,提出了最大虚零输入电压,导出了闭环运放的输入动态范围  相似文献   

10.
文章分析了传统的轨到轨运算放大器输入级电路,设计了一种低功耗、恒跨导CMOS运算放大器。整个电路基于0.5μm标准N阱CMOS工艺进行设计,采用HSPICE工具仿真,在3 V单电源工作电压情况下,功耗约为0.15 mW,当电路驱动3 pF电容的负载时,电路的直流增益达到78 dB,单位增益带宽达到3 MHz,相位裕度为81°,达到了设计的低功耗、恒跨导的要求。  相似文献   

11.
应用电路分析方法、不作近似处理,导出了负反馈电路闭环输入电阻rif和输出电阻rof的完全解析式函数关系式.这种新的关系式中不再含有反馈系数F,基本放大倍数定义的很容易计算,能直观、全面描述电路参数对rif、rof的影响.  相似文献   

12.
本文讨论用导纳矩阵描述多节点运算放大器电路的有用方法。从散射方程出发,求得从无源网络导纳矩阵到有源网络导纳矩阵的转换规则。通过观察,直接由网络写出导纳矩阵,并由其求解电路。还以运算放大器校相器为例,说明如何利用此法有效地计算网络函数和输入导纳。  相似文献   

13.
本文提出了一种采用双运算放大器的电压放大器电路,分析了它的带宽特性,并与其它常用的运放电压放大器电路进行了比较。  相似文献   

14.
介绍一种全差分、低功耗CMOS运算跨导放大器(OTA)。这种放大器用于10位分辨率、30MHz采样频率的流水线式A/D转换器的采样-保持和级间减法-增益电路中。该放大器由一个折叠-级联OTA和一个共源输出增益级构成,并采用了改进的密勒补偿,以期达到最大的带宽和足够的相位裕度。经过精心设计,该放大器在0.35μmCOMS工艺中带宽为590MHz,开环增益为90dB,功耗为15mW,满足高速A/D转换器要求的所有性能指标。  相似文献   

15.
考虑到差动运放电路性能的多样性,在分析中应与实际电路相结合.若外部电阻、输入阻抗R i相同,改变增益条件和电路的共模抑制比K CMR等因素对电路进行了仿真分析.当输入相同信号时,用multisim软件仿真各种电路和对相同信号输入时的抑制能力,并用傅里叶分析(Fourier Analysis)对输出信号分析,探究较理想和合适的差动运放电路.通过比对各类型差动电路,分析得出该类电路中仪用放大器应用的各种优点.文中对差动运放电路的仿真分析与最优模型的探究,可供分析类似电路参考.  相似文献   

16.
本文介绍一种组合式输入阻抗高达1012欧姆的运算放大器,文中是应用场效应晶体管(JFET)做前置放大器.由这种放大器构成的运算电路.可以构成各种精细物理量的测量电路.  相似文献   

17.
简要介绍了由运算放大器构成的滤波器电路的特点。指出利用PSPICE电路仿真软件,可以克服传统电路分析方法分析以上电路时,不易获得直观的计算结果等缺点,文章在电路分析基础上给出了仿真电路图和仿真程序,并对仿真计算结果进行了讨论。  相似文献   

18.
揭荣金  马凤岚 《江西科学》2007,25(6):769-771
LDMOS功率放大器热效应会导致放大器的性能恶化,在LDMOS场效应管自热效应模式的基础上分析和仿真了一种最小化器件热效应得偏置电路设计。实验结果证实了偏置电路的仿真设计方法的有效性。  相似文献   

19.
本文应用基本矩阵法分析运算放大器,并导出其同相运用与反相运用时主要性能指标的严格表达式和理想式。  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号