托卡马克等离子体中杂质模的研究

利用数值积分方法求解色散方程,研究托卡马克等离子体中杂质模的不稳定效应,分别模拟了不同杂质离子所激发的杂质模在不同参数下的变化情况.结果表明,杂质模驱动的等离子体不稳定性通常随杂质离子的质量和电荷数增大而增大,但也有反常的情况,质量很大的杂质离子可能导致更小的不稳定性.杂质模的激发必须使杂质离子浓度超过一定的阈值,杂质离子越轻,电荷数越低,阈值越大.更强或更弱的磁剪切效应都有利于抑制杂质模的不稳定性.在k_(θρ_s)谱图中,钨(W~(+8))杂质模有更小的谱宽度.     

托卡马克等离子体内部输运壁垒中电磁ITG模

内部输运壁垒 ITB(internal transport barrier)的发现是近几年托卡马克实验研究的一项重要进展 ,ITB中微观不稳定性的研究对理解 ITB的作用至关重要。应用平板磁剪切位形和回旋动力学理论 ,通过 Raleigh- Ritz方法数值求解耦合的积分方程组 ,研究了内部输运壁垒区的电磁离子温度梯度 (ITG)模 ,计算中考虑了磁剪切的梯度和非绝热电子响应。结果表明 ,考虑非绝热电子的情况下 ,有限β(等离子体压强 /磁压强 )在极弱磁剪切区对 ITG模的 4个分支有明显的抑制作用 ,而且高阶的 ITG模更易被有限 β所抑制。     

磁层顶电子剪切流K-H不稳定性

磁层顶是由经过舷激波的太阳风和地磁层相互作用而形成的边界层,其上有电流流动.本文将这种电流看成电子剪切流,来讨论夜侧磁层顶的电子剪切流所引起的Kelvin-Helmholtz(K-H)不稳定性问题.电子剪切流受到的洛仑兹力中包括了电场的作用,正是这种作用使得剪切不稳定性要复杂一些.本文对电子剪切流激发的K-H不稳定性进行了细致的分析,从而得知,电子流剪切引起的K-H不稳定性倾向于在磁层顶内侧激发,并且只有当剪切速率在上下两阈值之间时,才可能激发K-H不稳定性.本文对比了夜侧近地磁层顶和磁尾磁层顶,发现当磁层顶两侧电子数密度之比恒定时,高电子数密度的磁层顶侧易产生K-H不稳定性.而磁鞘侧电子数密度n2与磁层侧电子数密度n1之比n2/n1的改变对不稳定性的影响也很显著:较大的n2/n1产生的K-H波主要是在低速区域,其有效增长率较小.     

托卡马克装置中温度梯度对电磁双流不稳定性的影响

本文研究托卡马克装置中温度梯度对不稳定性的影响，并给出普遍相对论的色散方程．由于存在温度梯度，Ｌａｎｇｍｕｉｒ波和电磁波发生耦合，因此，增长率变大，并可出现其它不稳定的线性波。总之，由于存在温度梯度，托卡马克装置中的不稳定性增强。     

偏析法净化原铝的研究

考察了原铝熔体偏析净化过程中冷却速度、搅拌方式、温度梯度等因素对偏析净化的影响,并对净化得到的杂质富集相和纯化相进行了结构研究·结果表明,冷却速度、搅拌方式和温度梯度在偏析净化过程中起着重要的作用·当冷却速度缓慢,搅拌充分,温度梯度较大时,偏析净化效果比较好·杂质Si,Fe主要分布在杂质富集相中,并以AlSiFe和AlSi化合物的形式存在     

IV-VI族稀磁半导体的磁化理论

简单介绍了IV-VI族稀磁半导体的特性。IV-VI族稀磁半导体的自发磁化、矫顽力和居里温度等性质可由载流子浓度调节。对制造技术导致的缺陷反应迟钝用常规制备方法就可以制备IV-VI族稀磁半导体。作为一种磁离子和载流子能被分别导入和控制的稀磁半导体,IV-VI族稀磁半导体有利于研究稀磁半导体中的铁磁特性。给出了IV-VI族稀磁半导体由独立磁离子杂质、相邻杂质相互作用、晶格反磁性和载流子自旋密度四部分作用组成的总磁化强度的各部分的数学表达式。     

软X射线分光晶体TAP缺陷成因的研究

测定了ＴＡＰ晶体中铊离子的价态，发现ＴＡＰ晶体中除了一价的铊离子Ｔｌ＋外，还有少量三价铊离子Ｔｌ３＋的存在．实验还测定ＴＡＰ晶体中存在的金属离子杂质，总量为０２０７ｍｇ／ｇ．联系ＴＡＰ结构的特点讨论了ＴＡＰ晶体存在Ｔｌ３＋和金属离子杂质是产生ＴＡＰ晶体结构缺陷的重要原因，并分析了ＴＡＰ晶体位错线基本走向平行于ｃ轴的原因     

反常耗散对磁旋转不稳定性的影响

我们利用吸积盘中新的反常磁普朗特数来研究耗散过程对开普勒盘磁不稳定性的影响。通过分析年轻恒星周围和黑洞周围吸积盘的数值解可以得到：(1)在磁场比较小的一段阈值内，这种耗散过程是不可忽略的。(2)开普勒盘中，磁场越小，由反常粘滞及反常阻抗引起的耗散偏离理想情况就越大。(3)随着半径r的增大，耗散过程对磁不稳定性的影响也随之减小。     

气流稳定作用数值研究

用数值方法研究了外部气流对电弧等离子体螺旋不稳定性的影响，给出了外部气流满足的方程及稳定作用项的解析表达式。证明：外加气流对短波情况影响大，有利于稳定电弧；但对中长波情况影响很小。计算结果表明，随着外部气流剪切粘滞系数的增大，其对螺旋不稳定性的稳定作用也增大，有助于电弧稳定。     

球形燃料元件中基体石墨的化学分析

结合高温气冷堆对基体石墨的纯度要求，用耦合式等离子发射光谱仪对球形燃料元件基体石墨及原材料中的微量及痕量杂质元素质量分数进行了分析，并讨论了基体石墨制造过程对其杂质元素质量分数的影响。利用等离子发射光谱仪、离子选择性电极和离子色谱等对Ｂ、Ｌｉ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｕ、Ｔｈ、Ｇｄ、Ｅｕ、Ｓｍ 、Ｄｙ、Ｆ和Ｃｌ等十几个重要元素进行了分析。研究结果表明： 基体石墨中的杂质主要来源于原材料中的杂质，在球形燃料元件制造过程中所使用的原材料及制成的基体石墨均符合球形燃料元件的设计指标。     

β 射线电离气体流量测量研究

研究射线电离标记气体测流速，可为现场提供新的计量方法。利用计算机调制使β射线脉冲穿过流经的气体，形成分离的离子团，并记下离子团生成时刻，而后利用在气体流动方向下游布置的传感器探测离子团的到来，即可得到气体传播一段距离所需的时间，因而就可求得气体的流速。本文导出了电机调制离子团尺寸及极板偏压的计算公式。采用平行于射线入射方向的新型传感器结构，可以提高离子探测效率，减小测量误差。经实验，该种新型流量测量系统既具有较高的测量精度，可达到２％，又具有一定的抗干扰及污染能力。     

基于均匀化方法的磁流变弹性体磁致剪切行为

基于均匀化方法,分析磁流变弹性体颗粒间磁场的相互作用和基体磁场对颗粒的影响,进而研究磁流变弹性体的磁致剪切行为及磁致剪切模量.结果表明,颗粒磁导率的变化对磁流变弹性体磁致剪切行为与磁致剪切模量的影响不大;当颗粒体积分数为30%时,磁致剪切模量取得最大值,其整体变化规律与实验数据基本吻合,可预测磁流变弹性体磁致剪切行为的最佳颗粒体积分数.     

THE USE OF HIGH GRADIENT MAGNETIC SEPARATION IN TREATMENT OF WASTE WATER CONTAINING IRON OXIDE

实验证实，高梯度磁分离技术能够有效地用来处理含氧化铁的废水。本文系统地研究了磁场强度、填充度、流速等三个因素对磁分离效果的影响，探讨了高梯度磁分离的分离特性。研究结果表明，在０～３×１０５Ａ／ｍ内，分离效率随磁场强度上升的程度比较明显，当磁场强度高于３×１０５Ａ／ｍ时，变化趋于缓慢；分离效率随填充度的增大显著增加；流速对磁分离效率的影响很大，随着流速的增大，分离效率几乎呈直线下降     

碳纳米管薄膜电极电容去离子研究

采用低压化学气相沉积方法制备碳纳米管薄膜电极，研究碳纳米管薄膜的电容去离子行为.碳纳米管薄膜主要由中孔和部分大孔组成，适合电容去离子应用.详细研究了工作条件（流速、电压）和离子特性对碳纳米管薄膜电容去离子性能的影响.结果表明：电极电压越高，除盐率越高；存在一个最佳流速，此时除盐率最高；离子半径越小，电荷越小的离子，更容易吸附.     

剪切方式对冷轧无取向硅钢边部磁畴的影响

为提高无取向硅钢导磁性能,研究了不同剪切方式对无取向硅钢剪切处磁畴结构的影响。利用纳米磁流体观测无取向硅钢剪切后边部磁畴结构。结果表明,硅钢无论在机械剪切还是线切割后的边部磁畴都会发生不同程度的改变:线切割对边部磁畴结构改变较小,边部磁畴分布均匀且连续,在距边缘0～20μm范围内出现磁畴宽度变小现象;机械剪切对磁畴的改变较为严重,剪切处磁畴零乱且不连续,在距边缘20μm处仍难以观察到完整的磁畴结构。     

磁增注机理

从磁处理对垢溶解度、粘土膨胀、油水界面张力、机械杂质含量和细菌繁殖抑制等方面的影响研究了磁增注机理.研究表明,磁处理可提高某些垢的溶解度,抑制粘土膨胀,减少机械杂质含量,因此有利于提高注入水量.磁处理虽可降低油水界面张力,但降低幅度很小,不起主要作用.细菌试验证实,在通常条件下,磁处理对细菌繁殖无抑制作用.     

用气相搅动方法强化环烷酸萃取铜的质量传递

研究了氮注射对环烷酸萃取溶液中铜离子的质量转移速率的影响．研究的因素包括：氮流速、铜离子浓度及萃取温度．结果发现，铜离子萃取的质量转移速率与气体流速有关，并遵守如下方程：K=aU，温度对质量转移速率的影响遵循阿列纽斯方程，其活化能为2875卡路里；质量转移系数随溶液中铜离子浓度的增加而降低．     

湿法磷酸中的杂质对二水硫酸钙结晶影响的研究

用模拟湿法磷酸进行了Ｆｅ２Ｏ３离子、Ａｌ２Ｏ３、Ｈ２ＳｉＦ６和Ｈ２ＳＯ４五种杂质及ＮＨ离子对二硫酸钙结晶影响的实验研究。并以过滤时间表征结晶质量进行了杂质对石膏结晶过程影响的分析。对于ＮＨ离子的影响进行了单因素实验。实验得出，当磷酸杂质含量在平均水平附近时，随湿法磷酸中Ｆｅ、Ａｌ、Ｍｇ杂质含量的增高，都会使二水硫酸钙的过滤性能变坏，其中尤以Ａｌ２Ｏ３的影响最大。但ＮＨ能促使二水硫酸钙生成聚晶，对石膏的过滤性能有改良作用，通过实验可确定出一个最佳ＮＨ浓度。对不同杂质含量的磷酸，其最佳ＮＨ浓度值并不相同。     

Fe离子注入ITO薄膜的光电磁性质研究

ITO薄膜是一类被广泛应用的透明导电氧化物薄膜材料,也是稀磁半导体材料的候选之一。用MEVVA源在ITO薄膜中注入Fe离子,样品经快速热退火处理后,GAXRD分析注入的Fe离子掺入进了ITO晶格中,样品中没有发现Fe纳米团簇及氧化物等杂质相,但由于离子轰击,样品的结晶性变差,光透射率降低; Fe离子注入后,随着氧空位浓度降低,以及杂质散射增强,样品的电学性能降低,但由于Fe离子间通过氧空位形成了Fe-VO-Fe铁磁耦合对,促进了样品室温铁磁性的增强。     

托卡马克芯部等离子体微观不稳定性研究

在Weiland模型的基础上,考虑碰撞效应的双流体方程,获得了托卡马克等离子体芯部区域ITG（离子温度梯度模）和TEM（捕获电子模）的色散关系,分析了归一化温度梯度和密度梯度以及归一化径向坐标对这两种模式增长率的影响。计算结果表明等离子体密度梯度对离子温度梯度模有致稳作用,而对捕获电子模模有促进作用。两种模的增长率都随各自温度梯度和归一化径向坐标的增大而不同程度增大。