磁控溅射法在柔性衬底上制备ZnO：Al透明导电薄膜

用射频磁控溅射方法在有机柔性衬底上制备出好的附着性,低电阻率、高透射率ＺｎＯ：Ａｌ的透明导电膜,研究了薄膜的结构、电学和光学特性。     

L-B膜与衬底间的相互作用研究

本文用 AES 方法研究硬酯酸 LB 膜与 AL_2O_3、Ni 膜衬底间的离子交换反应.用 SEM 方法观察淀积在这两种薄膜衬底上的最初几层硬酯酸膜与 AL_2O_3、Ni 间不同相互作用引起的 LB 膜表面形貌上的差异,并分析了实验结果.     

不同衬底对溅射Pb(Zr_(0.8)Ti_(0.20))O_3薄膜的结构及其性能的影响

利用射频磁控溅射法在低阻Si,Si O2/Si以及Pt/Ti/Si O2/Si等不同衬底上制备了Pb(Zr0.8Ti0.2)O3薄膜.利用XRD,SEM等对薄膜的结构性能进行了分析,结果发现不同衬底对溅射制备的PZT薄膜的结构有很大影响.在Pt/Ti/Si O2/Si衬底上制备的PZT薄膜经600℃退火1h后,薄膜表面光滑、无裂纹,XRD分析显示PZT薄膜呈完全钙钛矿结构,测试PZT薄膜的电学性能,表明PZT薄膜具有良好的介电性能.     

低阈值大功率半导体激光器的研制

近几年来,针对光盘的信息处理、激光印刷和长距离通信等实际应用的需要,稳定的单模大功率半导体激光器的研究取得了很大进展.对于GaAlAs/GaAs激光器,限制输出功率增加的主要原因之一是腔面的光学灾变损伤,利用扩大近场束斑尺寸来减少腔面的光子流密度或使腔面变成对光不吸收的透明区都是提高功率输出的重要途径,而降低阈值电流减     

基于Verilog-A的深亚微米GGNMOS ESD保护器件可调模型研究

针对深亚微米工艺实现的GGNMOS器件推导分析了其相关寄生元件的工作机理和物理模型,并基于Verilog-A语言建立了保护器件的电路仿真模型.详细讨论了保护器件寄生衬底电阻对保护器件触发电压的影响,进一步给出了衬底电阻值可随源极扩散到衬底接触扩散间距调节的解析表达式并用于特性模拟,仿真结果与流片器件的传输线脉冲测试结果吻合.     

基于动态衬底电阻的自衬底触发ESD保护器件

利用版图设计方法对衬底触发多叉指GGNMOS器件进行了改进设计,优化了多叉指保护器件的触发均匀性。同时通过在保护器件源极扩散区周围增加N阱环来增大等效衬底电阻,以提高其触发性能。器件仿真结果表明,与传统GGNMOS器件和普通衬底触发GGNMOS器件相比,所提出的基于动态衬底电阻的自衬底触发GGNMOS结构的ESD鲁棒性达到了9.7 mA/μm,同时触发电压也降低了约32%,达到了提高保护器件ESD鲁棒性和降低触发电压的目的。     

负衬底偏压增强金刚石核化的机制研究

利用扫描电子显微镜镜研究了热灯丝ＣＶＤ系统负衬底偏压增强金刚石核化的过程，给出了实验结果。着重分析了负衬底偏压增强金刚石核化的机制。     

磁控溅射法生长ZnO薄膜的结构和表面形貌特性

采用射频磁控溅射方法,在Si(111)和玻璃基片上制备ZnO薄膜.研究衬底温度和基片类型对薄膜结构、表面形貌的影响.结果显示,所有ZnO薄膜沿c轴择优生长,同种基片类型上生长的薄膜,随着衬底温度升高,(002)衍射峰强度和表面粗糙度增高;相同衬底温度下生长的ZnO薄膜,Si基片上制备的薄膜(002)衍射峰强度和表面粗糙度小于玻璃片上的.基片类型影响薄膜应力状态,玻璃片上制备的ZnO薄膜处于张应变状态,Si基片上的薄膜处于压应变状态;对于同种基片类型上生长的ZnO薄膜,衬底温度升高,应力减小.Si衬底上、300℃下沉积的薄膜颗粒尺寸分布呈正态.     

用磁控溅射法在柔性衬底上制备ZnO透明导电膜

本文介绍了磁控溅射的原理以及磁控溅射法在柔性衬底上制备ZnO透明导电膜的实验方法.     

体硅湿法腐蚀中(110)衬底上的凸角补偿方法

从硅晶胞的空间原子结构出发,对(110)衬底进行研究,提出了针对(110)衬底上规则目标凸角结构的通用补偿方法.以(100)衬底上已提出的图形分析和共性补偿方法为依据,确定了(110)衬底表面特征晶向的平面关系,将所选70℃ 30%(质量分数)的KOH腐蚀液条件下的特征晶面(111)、(311)以及与衬底同簇的(110)晶面与衬底相交,得到平面特征晶向,从而构建补偿图形的拓扑框架,最终选择拓扑框架中的部分晶向构成具体的补偿图形.利用各向异性三维仿真软件对由该方法设计得到的补偿结果进行验证,模拟结果与设计预期相一致,充分证实了该设计方法的正确可行.     

一种小型化基片集成波导滤波器的设计与实现

提出并设计了一种双重折叠四分之一模基片集成波导(double folded quarter mode substrate integrated waveguide,DFQMSIW)滤波器,滤波器通过在中间金属层开槽实现腔体间的耦合。相比于四分之一模基片集成波导滤波器,DFQMSIW滤波器的平面面积减小了约四分之三。理论、仿真和测试结果表明,该滤波器具有损耗小、易集成等优点,在设计小型化微波滤波器方面具有一定的参考价值。     

金属薄膜──陶瓷基组件热载屈曲失效

以康铜、镍不同厚度的薄膜，陶瓷Ａｌ２Ｏ３基组成微电子组件模型，在热载作用下，通过试验观察到薄膜在界面处的分层和屈曲失效。测量了分层和屈曲高度随载荷变化规律、过屈曲初始裂纹扩展。用屈曲理论和分界面能量释放率等理论进行了分析。     

六种培养基对金针菇(F19)母种分离对比试验

对金针菇（E19）进行组织块分离实验中,参照有关材料,选出6种不同配方的培养基进行对比实验,意在选择适合于金针菇母种分离和保存的培养基配方.实验证明,玉米粉综合培养基比较适合于金针菇的母种分离,CPDA比较适合于金针菇的菌种保藏.     

衬底定向偏差角对非平面衬底液相外延的影响

在非平面衬底液相外延中,衬底的定向偏差角对外延生长有较大影响。为此我们对衬底定向偏差角对外延层形状及表面形貌的影响做了实验研究。 一、实验 1.对外延层形状的影响 我们在衬底定向和(100)面无偏差角(误差在±0.1°范围)及沿沟槽方向和(100)面有0.5°—1°的偏差角的衬底片上,进行液相外延生长四层结构。     

衬底对SnO2薄膜结构的影响

ＳｎＯ２透明导电膜的光学、电学特性与它的结构有关。研究守底温度对薄膜结构的影响表明：衬底温度影响薄膜的结晶程度，衬底温度高，容易结晶化，衬底温度低，则易形成无定型结构的膜。     

堇青石蜂窝陶瓷载体涂层的制备研究

以拟薄水铝石为原料,HNO2为胶溶剂,制备AlOOH溶胶,并对堇青石蜂窝陶瓷载体进行涂覆．研究了拟薄水铝石含量以及HNO3的加入量对溶胶粘度、稳定性和涂层涂覆量的影响;比表面积法（BET法）测定堇青石蜂窝陶瓷载体涂层的比表面积;超声波振荡检测了氧化铝涂层的结合牢固度．结果表明,当拟薄水铝石质量分数为5％～8％,n（H^＋）／n（AlOOH）=0．06～0．10时,可制得稳定的溶胶,且随着拟薄水铝石含量或HNO3加入量的增加,溶胶的粘度增加,涂层的涂覆量增大,拟薄水铝石含量对涂层的重现性及牢固度影响较小．     

荧光物质的酯类衍生物用作人血胆碱酯酶底物的研究

合成了几种荧光物质4－甲基伞形酮、荧光素、二溴荧光素的乙酸酯及丁酸酯,研究了它们用作人血胆碱酯酶（ChE）底物进行活性测定的各种条件,通过米氏常数（Km）和人血ChE稀释比曲线的测定系统地比较了六种物质作为底物与ChE作用的特异性和灵敏度。结果表明荧光物质量子产率越高、发射波长越长、酯基的烃基链越长的物质,用作人血ChE活性测定底物的选择性和灵敏度越好。     

无序衬底上单层流体的脱钉动力学数值研究

利用朗之万分子动力学,数值研究无序衬底上单层流体的脱钉动力学特性.发现:对于弱无序衬底,流体呈弹性脱钉.对于强无序衬底,流体呈塑性脱钉.随着衬底强度的增加,流体脱钉存在从弹性到塑性的渡越,并伴随临界钉扎力的突然提高.     

岩质边坡植被混凝土护坡基材力学稳定性探讨

岩质坡面一般不适合植物生长,一旦其表面植被破坏,就很难依靠自身能力恢复.植被混凝土护坡是一门新兴的边坡防护技术,能进行坡面防护的同时很好地恢复植被景观.恢复过程中,基质-根系是护坡工程的主要功能构件,沿坡面向下有滑动的倾向,造成生态护坡力学稳定性存在风险,因此对坡面植被生长基材稳定性进行探讨可以为实际工程提供理论依据,保证护坡安全以达到预定的工程效益.