真空区熔提纯在探测器级硅单晶生长中的作用

半导体硅光电探测器用的单晶硅要求具有非常高的纯度和晶格完整性,才能保证探测器能够实现暗电流低和直流、脉冲响应度高的目标。这对材料纯度提出非常高的要求。现在市面上能买到的优质一级还原料直接生长单晶无法满足要求,必须采用真空区熔提纯,通过真空蒸发和分凝效应,有效地去除磷及一些重金属杂质,进一步提高多晶料的纯度才能满足光电探测器的要求。     

4英寸<100>区熔硅单晶生长研究

在原有3英寸100区熔硅单晶生长工艺的基础上,通过适当的调整热场和生长参数,成功地在德国CFG4/1400P型区熔单晶炉上生长出了4英寸100晶向的区熔硅单晶,满足了对大直径100区熔硅单晶生长的需求。所生长的100晶向的硅单晶具有机械强度高、径向电阻率均匀性好的特点。     

碳化硅单晶炉真空泄漏的检测方法

SiC(碳化硅)单晶炉炉室真空密闭性能是衡量单晶炉设备性能好坏的重要因素。在使用单晶炉和维护过程中,采用不同的工艺循序渐进地对单晶炉真空密闭性能进行检验,可提高单晶炉设备的性能。     

不同组分Zn1-xCdxTe<110>单晶产生THz辐射的研究

本文介绍了不同组分的Zn1-xCdxTe〈110〉单晶产生THz辐射的特性.通过实验我们得到了不同组分的Zn1-xCdxTe〈110〉单晶产生THz辐射的效率与晶体中Cd所占组分的关系.发现当Cd的组分x=0.05时,晶体产生THz辐射的效率最好.通过研究晶体对THz辐射的吸收和实验中晶体的相位匹配条件,我们发现晶体的相位匹配是影响THz辐射产生效率的主要因素.     

真空CZ法生长硅单晶碳沾污机理的研究

在真空下用CZ法生长硅单晶时,经热力学分折和实验研究证明,硅单晶中碳的主要来源除石墨托与石英坩埚间的反应生成CO外,气氛中氧化组元(O_2,SiO等)亦与石墨器件反应生成CO。碳以CO形式进入融硅,使硅单晶中碳含量增加。本研究采用了对石墨器件表面涂SiC、Mo、ZrO_2和热解石墨等方法,并用石英保温筒代替石墨保温筒。在真空度为1～3×10~(-2)托下,投料300g,用CZ法生长硅单晶,其晶体尾部的碳量平均值,比原工艺晶体中碳的平均含量降低了45％。     

重掺磷硅单晶生长技术研究

在国产TDR-62硅单晶炉上,采用10英寸和12英寸热系统开展了重掺磷硅单晶生长研究,生长出了4英寸〈111〉晶向、电阻率10×10^-1 ～1．8×10^03Ω·cm的重掺磷硅单晶。对重掺磷硅单晶的磷掺杂和电阻率控制技术及位错与微缺陷的产生机理进行了探讨。     

真空熔烧Ni基合金涂层的力学性能研究

为了得到Ｎｉ基合金涂层抗拉性能,对采用不同温度制备的真空熔烧Ｎｉ基合金涂层进行了抗弯性能试验。通过测量和计算,取得了Ｎｉ基合金涂层的抗弯强度及其随熔烧温度提高而变化的规律。由钢基体和Ｎｉ基合金涂层组成的弯曲试样实质上是复合材料。根据对Ｎｉ基合金涂层杨氏弹性模量的测定,按复合材料模型计算了抗弯强度。试验结果表明,真空熔烧Ｎｉ基合金涂层具有相当好的弯曲强度。     

真空冷却中失水率问题研究

提出了无效失水、无效失水率以及当量失水率的概念来研究食品在真空冷却中的失水问题,从数量上评判食品真空冷却效果及失水程度.利用食品真空冷却实验台,以水作为样品,采用不同形状的盛水容器及遮挡物进行真空冷却降温实验.结果表明,用广口杯进行真空冷却具有很好的降温效果,甚至能结冰,但是失水非常严重;而采用较大空隙的遮挡物或细长的容器,不论降温还是降低无效失水,同样能获得理想的结果.     

熔盐法生长ZnO单晶颗粒的微结构与形貌研究

文章采用熔盐法生长ZnO颗粒,研究了制备条件对颗粒的成分、尺寸、形貌以及晶体结构的影响。结果表明,熔盐生长过程没有在ZnO颗粒中引入杂质。所制备的颗粒虽然具有多种形貌,但均为单晶,具有典型的六角纤锌矿结构。熔盐生长的温度、气氛以及气压等条件对于ZnO颗粒的晶体结构没有明显影响,但是会显著影响到颗粒的尺寸。高温和空气常压条件下,可以制得尺寸分布较窄的ZnO大颗粒。     

真空烧结低钴粗晶硬质合金及其性能的研究

以Co粉和粗粒度的WC粉为原料,混料后,压制成低含Co量的WC-Co粉末压坯,再在高温真空炉中烧结得到了低钴粗晶的WC－Co烧结体。重点研究了真空烧结温度、时间和真空度等对烧结体物理机械性能的影响。试验结果表明,烧结工艺条件对烧结体的性能有着决定的影响,通过控制适当的工艺条件,可以得到兼有高硬度和高韧性的低钴粗晶合金,其综合性能明显优于相同含Co量的普通YG合金。     

油水分离设备“真空洗涤”工艺实验研究

在现有真空滤油设备的基础上,向真空分离室内中充入干燥空气,通过同步获得的实验数据对比充气前后相同的真空度下的脱水效率,实验表明充气后脱水率明显提高,从而提高了传统滤油设备的油水分离效果和效率;指出了在“真空洗涤”工艺中如何优化充气量和充气部位需进一步实验研究.     

L波段有源微波组件低温真空钎焊工艺研究

L波段有源微波组件是雷达阵面中的重要组成部分,组件内部传输信号的微带板与组件盒体采用低温真空钎焊焊接工艺成形,满足设计和电讯性能要求。该工艺技术同时可为同类产品设计和工艺提供参考数据。     

真空吸收法测定粉刷石膏保水率

设计了真空吸收法实验装置，利用该装置测定的保水率与传统滤纸法进行了对比．分析了影响粉刷石膏保水率的相关因素和测试条件．实验表明，在负压下测定保水率，与实际墙基体条件相吻合，具有真实可靠的特点．在压力一定条件下，测定的保水率才具有可比性．     

真空钎焊对304L不锈钢带材组织与性能的影响

采用传统金相、显微硬度、板式拉伸检测方法研究了304 L不锈钢带在真空钎焊前后截面微观组织、显微硬度和抗拉强度的变化情况。本文针对钎焊后晶粒有明显长大倾向、显微硬度有所降低、材料的延伸率变化明显的现象对其机理进行了分析和研究,并提出了工艺参数的改进建议,为其在工业生产中提供了参考依据。     

真空蒸馏技术提取土壤水实验研究

简要介绍共沸蒸馏、真空蒸馏、离心分离、锌的微量蒸馏4种土壤水提取技术,并对其优缺点进行了比较.对黏土含量较高且达到田间持水量的土壤在提取温度为100℃、连续加热5h条件下,真空蒸馏提取土壤水进行氢氧稳定同位素分析.结果表明:真空蒸馏技术在提取温度为100℃和连续加热5h条件下,土壤水提取百分比接近100%;土壤中有部分弱束缚水被提取出来,约占提取水分的0.45%;对土壤含水量较高的黏土,δ(D)和δ(18O)最大提取误差(提取的土壤水与加入水同位素的差值)分别为-1.2%和-0.07%,提取的土壤水同位素都贫化.     

深基坑真空井点降水技术的应用与研究

结合实际工程，介绍了真空井点降水技术在建筑工程深基坑中的应用，实践证明，应用效果良好，有效保证了工程的顺利进行。     

真空预压法软基加固技术研究

以真空预压法软基加固技术为研究对象,详细探讨了边界密封和平面密封的施工流程,并在此基础上,探讨了密封效果施工监测和检测,相信对从事相关工作的同行能有所裨益。     

陶瓷真空过滤机在尾矿处理中的应用

近几年金属原材料价格上涨,各地新建了大量选矿厂,许多老矿山也开始扩建规模。但水资源紧缺问题越来越成为制约企业发展的重要因素。陶瓷真空过滤机能最大限度回收尾矿中的水分,提高水的重复利用率,因此并逐渐应用到尾矿处理中。     

真空消失模铸造技术要点分析

本文讨论了真空消失模铸造生产工艺中各关键工艺因素的控制问题,如各种原材料的控制、模型及涂料制备工艺的控制、干砂造型的控制以及各工艺条件的控制等。通过控制各关键技术点,将工艺条件的稳定作为稳定生产的基本要素,生产出合格的铸件。     

高压真空断路器的应用技术问题

该文阐述了我国高压真空断路器的现状,结合高压真空断路器的在应用中出现的问题,探讨了相关的解决策略,并表述了高压真空断路器运作的维护方法,意在优化高压真空断路器的应用技术,推动我国电力事业的发展。