狄拉克粒子在Ressiner-Norstrom时空中的能级研究

采用旋量零标架方法,对Reissner-Nordstrom时空中旋量粒子的Dirac方程进行了变量分离,并退耦为普通微分方程组。从所获得的径向方程和角向方程出发,进一步导出了Reissner-Nordstrom时空的能级.     

复标度方法对Pb同位素单粒子共振态的研究

在相对论平均场(RMF)理论框架下,采用复标度方法研究Pb同位素的单粒子共振态.研究复标度哈密顿量Hθ的本征值随复标度参数θ变化的情况,研究结果表明:连续谱随θ转动,当θ增加到一定值时,共振态开始出现;共振态出现后,共振态位置不随θ变化.同时利用θ轨迹方法得到201～212Pb的共振态能量和宽度,并进一步研究Pb同位素链的共振态能量和宽度随原子核质量数变化的情况.     

能级统计与金属小粒子电子比热的研究

利用随机矩阵理论，在能级间距分别为等能级分布、泊松分布、正交系综分布、么正系综分布及辛系综分布的情况下，对含电子数为奇数和偶数的金属小粒子的电子比热进行了理论计算；并对其高低温特点作了讨论．     

Vaidya-Bonner时空中Dirac粒子和标量粒子的能级

用旋量零标架方法对Vaidya—Bonner时空中旋量粒子的Dirac方程分离变量,进而推导出Dirac粒子的能级方程;从Hamilton—Jacobin方程出发,通过广义Tortoise变换推导出该时空中标量粒子的能级方程;发现Dirac粒子和标量粒子在该时空中的能量分布不仅与粒子的静质量、自旋量子数、角量子数有关,而且与黑洞周围的时空结构及视界的变化率有关;但两类粒子的能级方程有明显区别．     

Vaidya-Bonner空时中Dirac粒子和标量粒子的能级比较

用旋量零标架方法推导出Vaidya-Bonnet空时中Dirac粒子的能级方程;从Hamilton-Jacobin方程出发,通过广义Tortoise变换推导出该时空中标量粒子的能级方程;发现Dirac粒子和标量粒子在该空时中的能量分布在视界附近有着明显的不同,但在远离视界处即r→∞时是相同的,都等于它的静止质量,两类粒子的能级方程则有明显区别。     

用旋量零标架方法导出球对称动态黑洞时空中Dirac粒子的能级

用旋量零标架方法对球对称动态黑洞时空中旋量粒子的Dirac方程分离变量，并退耦为普通微分方程组，从所获得的径向方程和角向方程出发，进一步导出了Dirac粒子的能级方程．得到了粒子的能量分布不仅与粒子的质量、自旋量子数、角量子数、磁量子数有关，还与黑洞周围的时空结构及视界的变化有关．     

用旋量零标架方法导出球对称带电蒸发黑洞时空中Dirac粒子的能级

用旋量零标架方法对球对称带电蒸发黑洞时空中旋量粒子的Dirac方程分离变量，并退耦为普通微分方程组，从所获得的径向方程和角向方程出发，进一步导出了Dirac粒子的能级方程．得到了粒子的能量分布不仅与粒子的质量、自旋量子数、角量子数、磁量子数有关，还与黑洞周围的时空结构及视界的变化有关．     

用旋量零标架方法导出带电Schwarzschild黑洞时空中Dirac粒子的能级

用旋量零标架方法对带电Schwarzschild黑洞(Reissner—Nordstrom)时空中旋量粒子的Dirac方程分离变量，并退耦为普通微分方程组，从所获得的径向方程和角向方程出发进一步导出了Dirac粒子的能级方程。     

散射振幅的极点和束缚能级的关系—格林函数方法

对于一维散射给出了透射振幅的格林函数表示,对于三维散射近似给出了散射振幅的格林函数表示,利用散射振幅的格林函数表示,更一般性地说明了一维和三维情况下散射振幅的极点与束缚态能极的关系。     

单层粒子水平集方法

提出了一种单层粒子水平集方法,该方法利用拉格朗日粒子追踪界面特征,采用水平集方法隐式捕捉界面.首先,利用水平集方法捕捉界面.然后,基于拉格朗日粒子的位置信息对界面进行修正,最终得到平滑、精确的运动界面.该方法克服了传统水平集方法体积守恒性差的缺陷,极大地提高了运动界面的精度.另外,本文提出了简单有效的粒子重分配策略,包...     

用旋量零标架方法导出动态Vaidya黑洞时空中Dirac粒子的能级

用旋量零标架方法对动态Vaidya黑洞时空中旋量粒子的Dirac方程分离变量，并退耦为普通微分方程组，从所获得的径向方程和角向方程出发，进一步导出了Dirac粒子的能级方程．得到了粒子的能量分布不仅与粒子的质量、自旋量子数、角量子数、磁量子数有关，还与黑洞周围的时空结构及视界的变化有关．     

单个未知多能级粒子态的概率隐形传输

提出利用多对两能级粒子的非最大纠缠态作为量子信道实现单个未知多能级粒子态的概率隐形传输.讨论了单个三能级粒子的概率隐形传输,把其推广到单个多能级粒子,并得出单个多能级粒子的概率隐形传输的成功概率.     

CMOS/SOI工艺触发器单元的单粒子实验验证与分析

针对定制设计中的触发器单元,提出了一种双移位寄存器链单粒子实验验证方法,利用该方法对基于0.35μm CMOS/SOI工艺、普通结构设计的抗辐射触发器,分别在北京串列加速器核物理国家实验室和兰州重离子加速器国家实验室进行了单粒子实验.实验结果表明,该抗辐射触发器不仅对单粒子闩锁效应免疫,而且具有非常高的抗单粒子翻转的能力.      

Geant4模拟半导体器件的单粒子效应

利用Monte Carlo软件Geant4模拟了质子和中子在半导体静态随机存储器模型中的输运过程。根据入射粒子的能量选择不同的物理模型,并采用强迫碰撞方法,模拟了高能质子和中子与硅原子的相互作用及其次级反应过程,给出了0.1~2 GeV超高能质子、中子和14 MeV中子辐照器件时存储单元灵敏区内的能量沉积,并根据具体器件的临界能量,得到了器件在不同能量的高能质子和中子辐照下引起的单粒子翻转截面和多位翻转截面,计算结果与文献资料结果符合较好。     

无限深球方势阱中粒子能级的近似解析式

用WKB方法得到了无限深球方势阱中粒子能级近似解析式,并通过计算分析,找到了两种修正方案,从而使得本文的粒子能级解析式的结果与已有结论的误差在3%以下。     

原子核145Tb的多准粒子激发态

利用能量为165 MeV的³²S束流, 通过反应¹¹⁸Sn(³²S, 1p4n)布居了¹⁴⁵Tb的高自旋态. 基于标准在束核谱学实验测量结果, 首次建立了激发能高达7.4 MeV的¹⁴⁵Tb能级纲图. ¹⁴⁵Tb的能级结构具有球形原子核的特征, 其高自旋态是由单粒子激发形成的. 根据邻近N = 80同中子素核结构的系统性, 采用一个h_11/2价质子与偶偶核芯¹⁴⁴Gd的弱耦合很好地解释了¹⁴⁵Tb激发能在2 MeV以下的能级结构. 利用多准粒子壳模型组态解释了激发能在2 MeV以上的晕态和部分近晕态能级.     

InAs/AlSb HEMTs的单粒子效应模拟研究

本文单粒子效应的研究目的,旨在研究异质结器件InAs/AlSb HEMTs在重离子辐照下失效的概率。文中研究了InAs/AlSb HEMTs的I-V特性对沿45度方向入射、线性能量传输因子0.2,作用时间0.1ps,重离子轨迹0.1um的重离子辐照的响应规律。结果表明：随着栅极偏压由负到正的改变,InAs/AlSb HEMTs器件由不能工作到能够正常工作,所以在重离子辐射条件下栅极偏压影响着InAs/AlSb HEMTs器件能否正常工作。     

102Zr原子核能带的研究

采用PSM方法对¹⁰²Zr原子核的能带进行了理论计算, 很好地再现了实验结果. 另外, 通过对晕带, 准粒子转动带, 边带的能量, 带头对应组态的分析, 得出了形成这些轴对称形变带的微观机制: 低激发形变带主要是位于N=4和N=5壳层上的高j侵入态1g_7/2和1h_11/2引起的; 特别是v5/2^-[532], v3/2⁺[411]和v3/2⁺[413]轨道上的准粒子对该原子核形变的发生起了主要作用.     

关于纳米尺度体系中单粒子分布函数的一些严格结果

利用变分原理,首先证明在零温下,量子点系统和超导小颗粒系统的单粒子分布函数对于单粒子能量是非增的。然后利用Klein不等式证明,在非零温下,这一结论仍然正确。这些结果明确地显示,这一分布函数随单粒子能量的非增行为是由这些纳米系统的量子稳定性条件决定的。     

电荷对FeHn±(n=0,1,2)分子离子的势能函数和能级的影响

用密度泛函B3lyp/6-311++g(d,p)方法对FeHn±(n=0,1,2)分子离子进行理论研究.结果表明:FeH,FeH+,FeH-均能稳定存在,FeH2+和FeH2-有亚稳定态存在,其基态电子态分别是: 4Δ(FeH),5∑(FeH+),5∑(FeH-),4∑(FeH2+)和6∑(FeH2-),FeH2+和FeH2-的势能函数呈明显的‘火山态'型,导出了相应的分子离子的解析势能函数、光谱数据和力常数,比较了四参数、八参数Murrell-Sorbie势和Zhu-Wang势对不稳定分子势能函数的拟合情况,指出了用八参数Murrell-Sorbie势对‘火山态'型势能函数的拟合也是合适的;同时讨论了电荷对势能函数和能级的影响.