一种应用于高速锁相环的宽锁定范围注入锁定分频器

针对传统的注入锁定分频器锁定范围较窄的问题,提出了一种用于毫米波锁相环的注入锁定分频器.基于55 nm CMOS工艺,设计了一种宽锁定范围的二分频注入锁定分频器.提出分布式差分注入的方式,增强注入电流与注入效率,采用高阶变压器作为谐振腔,在不使用调谐机制的条件下,有效增大了分频器的锁定范围.此外,还对传统buffer的结构进行改进,增强谐波抑制能力,保持了较宽的锁定范围.电路仿真结果表明,提出的分频器电路在0 dBm注入功率下可在22.8～36.3 GHz频段内完成二分频功能,达到45.7％的锁定范围,电路的功耗为3.54 mW(不含buffer).     

A 5.4mW and 6.1％ efficiency fixed-tuned 214GHz frequency doubler with Schottky barrier diodes

A Y-band frequency doubler is analyzed and designed with GaAs planar Schottky diode,which is flip-chip solded into a 50|xm thick quartz substrate.Diode embedding impedance is found by fullwave analysis with lumped port to model the nonlinear junction for impedance matching without the need of diode equivalent circuit model.All the matching circuit is designed "on-chip" and the multiplier is self-biasing.To the doubler,a conversion efficiency of 6.1%and output power of 5.4mW are measured at 214 GHz with input power of 88 mW,and the typical measured efficiency is 4.5%in200~225GHz.     

一种新颖的正交输出伪差分环形VCO的设计

设计了一种基于标准0.18 μm CMOS工艺的4级延迟单元的全差分环形压控振荡器.提出了一种新颖的环形振荡器电路结构,通过结合控制耦合强度与改变负载电阻值的方法,改善了单一技术在有限的电压范围内的调谐线性度,实现整个电压范围内的高调谐线性度;采用双通路技术提高了振荡频率,同时运用交叉耦合正反馈减少输出电平翻转时间,改善相位噪声特性,提高性能.后仿真结果表明,在电源电压为1.8V时,VCO的中心频率为2.8 GHz,核心电路的功耗为18.36 mW,调谐范围为2.05 GHz～3.35 GHz,当频率为2.8 GHz时,相位噪声为-89.6 dBc/Hz@1 MHz.     

高速SerDes电路中电荷泵锁相环的设计

面向高速串行接口应用,设计一款低噪声、快速锁定的高性能锁相环电路,作为5 Gbit· s-1数据率的SerDes发射芯片的时钟源。该设计通过锁存RESET方式增加延迟时间,以减小鉴频鉴相器的死区效应,降低锁相环整体电路的杂散;其压控振荡器采用4 bit二进制开关电容的方法,将输出频率划分为16个子频带,以获得较大的输出频率范围,同时又不增加压控振荡器的增益;在SMIC 55 nm工艺下完成锁相环电路版图设计,核心芯片面积为054 mm2。后仿真结果表明:输出频率覆盖46~56 GHz,1 MHz频偏处的相位噪声在-110 dBc·Hz-1 附近。测试结果显示,RMS 抖动和峰峰值抖动分别为287 ps和134 ps,整体电路功耗为37 mW。     

采用介质谐振器的高稳定度GaAs FET振荡器

在对介质谐振器特性及其反馈电路特性分析的基础上，采用微波集成电路技术研制出一种新型的用介质谐振器作为反馈电路且具有高频率稳定度的GaAs FET振荡器，并考虑了该振荡器的偏置电路，结果表明，该振荡器具有大于1000的外部品质因素；在振荡频率为11．85GHz，输出功率为70mW时，其效率为20％，大于1000MHz的调谐范围，用同样的微带电路形式，用5种不同的介质谐振器可以得到9－14GHz的振荡频率，在－20℃-60℃温度范围内可以得到低于150kHz/℃的高频率稳定度。     

光子带隙结构用于改善功率放大器的性能

利用一种渐变尺寸的光子带隙结构的带阻特性，来抑制功率放大器输出端的二次谐波分量，通过减小消耗在二次谐波分量上的能量来提高功率放大器的输出性能。为了尽量减小PBG结构对功率放大器基频分量的影响，对所选择的PBG结构的尺寸参数进行了优化。通过实验分析证明了优化后的PBG结构可以在很宽的频段内（6.9-7.5GHz)有效地改善功率放大器的输出特性。     

High repetition rate passively mode-locked erbium-doped fiber laser

We report a passively mode-locked high repetition rate erbium-doped femtosecond fiber laser via nonlinear polarization rotation, with a fundamental repetition rate of 101.94 MHz. The output power is 34 mW when pumped by a single mode fiber coupled laser diode at 370 mW. The spectral width is 25 nm, corresponding to a transform limited pulse width of 105 fs.     

6.65 W输出二极管抽运双包层光纤单频放大器

研究光纤放大器的耦合效率以及影响输出功率的因素.抽运源为光纤输出976 nm的半导体激光器,增益光纤为长4.4 m的D型掺Yb3 双包层光纤,信号源为自行研制的单块非平面环形腔激光器.抽运光的耦合效率为80%,信号光的耦合效率为44%,入纤抽运光功率为24 W,信号光功率为200 mW时,得到了6.65 W的净输出功率,放大倍数达到33倍.分别对信号光及放大输出的频谱进行测量,结果为1 064 nm的单频放大.实验表明,信号光对放大增益的抽取非常重要,在此实验中信号光尚未饱和,放大功率仍有提高的余地.     

GaAsFET 4GHz电调振荡器的设计与制作

比较了共源、共栅、共漏3种电路,并组合场效应管外延,设计出采用反沟道接法的共漏电路。分析了FET场效应管的特征频率、最大输出功率、单向功率增益和最大振荡频率等主要特性参数。通过制作和调试,完成的GaAsFET振荡器达到频带输出功率>100 mW,频率 4~4.3 GHz的设计性能要求。所设计的电调振荡器误差小,性能稳定,具有良好的实际应用价值。