Sn掺杂In_3O_2半导体薄膜的制备及其性能研究

采用磁控溅射方法在玻璃基底上制备了Sn掺杂In3O2(In3O2:Sn)半导体薄膜,通过XRD、XPS、四探针仪和分光光度计等测试表征,研究了生长速率对薄膜结构和光电性能的影响.结果表明:所制备的薄膜均具为(222)择优取向的立方锰铁矿结构,其结构参数和光电性能明显受到生长速率的影响.当生长速率为4 nm/min时,In3O2:Sn薄膜具有最大的晶粒尺寸(32.5 nm)、最高的可见光区平均透过率(86.4%)和最大的优值因子(7.9×104Ω-1·m-1),其光电性能最好.同时采用Tauc公式计算了样品的光学带隙,结果表明:光学带隙随着生长速率的增大而单调减小.     

单源化学气相沉积法制备In2O3纳米线

以乙酰丙酮合铟[In（acac）3]（acac=acetylacetonate）作为单源前驱体,Au为催化剂,采用化学气相沉积法,于较低温度（550℃）下成功制得了In2O3纳米线．用X射线粉末衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）和能量分散光谱（EDS）对In2O3纳米线进行了表征;制得的In2O3纳米线具有单晶结构,平均直径约为80nm,长度达十几微米,其生长服从气一液一固机理．光致发光研究发现,In2O3纳米线在483nm处有一个强的发射峰,这可归因于氧空位的存在．     

退火温度对钽基RuO2·nH2O电沉积薄膜电容性能的影响

以RuCl3·xH2O的水溶液为电沉积溶液, 通过恒流电沉积法在钽箔上电沉积一层RuO2·nH2O薄膜, 研究退火温度对RuO2·nH2O薄膜的电容性能的影响;采用CHI660B电化学测试仪和循环伏安法对薄膜的电容性能进行测试;分别采用扫描电子显微电镜、能谱仪及X射线衍射仪对薄膜的形貌和微孔形态、薄膜元素及薄膜的物相进行分析. 结果表明, 未经退火处理的RuO2·nH2O薄膜的电容性能不稳定, 在循环伏安法测试中电容量随循环次数的增加而降低;将RuO2·nH2O薄膜分别在不同温度(100, 150, 200, 250和300 ℃)下进行的2 h的退火处理, 经退火处理后的RuO2·nH2O薄膜的电容性能经过60次的循环后趋于稳定, 其中, 经过100 ℃退火处理的RuO2·nH2O薄膜的比电容最大, 其比电容为0.083 8 F/cm2.     

薄膜厚度对玻璃纤维表面SnO2薄膜透光导电性能的影响

 以SnCl₄·5H₂O为原料,乙醇为溶剂,配制SnO₂溶胶,并采用溶胶-凝胶法在玻璃纤维表面生成一层均匀的涂膜,通过控制反应物初始浓度和玻璃纤维提拉次数在玻璃纤维表面制备具有不同厚度的SnO₂薄膜.研究了薄膜厚度对薄膜的物相结构、透光率和电阻率的影响及原因.结果表明:随着薄膜厚度的增加,薄膜的晶化程度提高,晶粒尺寸增大,导电性能提高,而透光率呈现逐渐减小的趋势.当薄膜厚度为557 nm时,薄膜的电阻率最小,为0.16 Ω·m.薄膜厚度在56~340 nm之间时,薄膜的透光率在76%以上,而当薄膜厚度继续增加时,透光率下降到低于62%.     

复合添加Dy2O3和Sn对Nd-Dy-Sn-Fe-Nb-B的性能和结构的影响

采用双合金法制备Nd-Dy-Sn-Fe-Nb-B永磁体,并对其磁性能、温度稳定性和显微组织进行了研究.研究结果表明∶Nd-Dy-Sn-Fe-Nb-B磁体的内禀矫顽力Hci随Dy2O3含量的增加而增大,当Dy2O3含量为2%时,磁体的Hci和(BH)max较高,添加2% Dy2O3和0.3% Sn时,磁体的Br和(BH)max降低,而Hci可由656.0 kA/m升高到1*!024.0 kA/m,同时磁体的温度稳定性加强,磁通不可逆损失降低;当测量温度从20 ℃增加到160 ℃时,hirr为-2.3%,温度系数α为0.014%/℃.     

Ba4In2O7纳米棒薄膜的制备与光催化性能

采用溶胶凝胶法在石英基体上制备Ba4（In0.95Cr0.05）2O7薄膜。通过X射线衍射，扫描电镜，紫外漫反射光谱，光照下水溶液中甲基橙降解实验表征材料性能。SEM结果表明薄膜由均匀纳米棒组成，紫外漫反射结果表明材料吸收边为450nm，具有较宽的光谱响应范围。光催化实验表明材料在2h内甲基橙降解率达到76％。由于该材料易于回收再利用，可重复使用，并且其光催化效率可通过材料和光催化反应体系的不断改性来继续提高，因而在光催化方面具有较理想的研究及应用前景。     

基于In2O3膜HSGFET型功函数O3传感器的研究

本文以In2O3及其混合物为敏感材料，采用悬浮栅结构和功函数方法，研究出可在室温下工作的HSGFET型功函数O3传感器，并给出传感器对O3响应曲线以及实验结果的理论分析等。     

薄膜厚度对V_2O_5薄膜电致变色性能的影响

采用溶胶-凝胶法制备V2O5薄膜,研究了薄膜厚度对V2O5薄膜电阻率、透射率和电致变色性的影响.研究结果表明:随着薄膜厚度的增大,V2O5薄膜的表面电阻率总体上呈降低趋势,而当厚度大于20 μm时,薄膜的电阻率趋于常数.V2O5薄膜透光性能随厚度的增加而降低.随薄膜厚度增加,V2O5薄膜的变色效率提高.     

富氧条件下In2O3/Al2O3催化剂C3H6选择性还原NO

以碳氢化合物作为还原剂的选择性催化还原法(SCR)被认为是净化稀燃汽车尾气中NO的最有效途径之一.采用溶胶-凝胶法制备了In2O3/Al2O3氧化物催化剂,对其进行了BET、XRD、XPS及TPD表征. 在固定床反应器上用C3H6作还原剂,考察了不同焙烧温度,H2O及SO2对催化剂活性的影响. 结果发现,催化剂的最佳焙烧温度为600 ℃,在反应温度为400 ℃时,NO最大转化率为95%. 水蒸汽存在下,NO转化活性温度窗口向高温方向移动,NO最大转化率下降到90%,对应的反应温度为450 ℃. 添加φ(SO2)=0.009%后,催化剂在低于350 ℃的区间还原NO的活性得到一定程度的提高,表现出促进作用. 当反应温度大于350 ℃后,催化活性明显下降,NO最大转化率下降到58%.     

热处理对电沉积CdSe薄膜光电性能的影响

电沉积制备的CdSe薄膜经不同温度退火之后由光电化学测定和x射线衍射实验进行表征,发现随着退火温度的上升,CdSe电极的光电转换效率提高,半导体薄膜中掺杂浓度略有减小,而少子扩散长度明显增大、薄膜中的CdSe微晶呈一定择优取向的六方纤锌矿晶体桔构,且含少量六方晶型的Se,在440℃以下退火时CdSe晶型没有改变,但退火温度升高使其晶粒尺寸增大,同时Se的含量减少,讨论了薄膜光电性能与结晶学性质的关系。     

电沉积-热解法制备的Al_2O_3薄膜的抗高温氧化性能研究

采用电沉积-热解法在304不锈钢表面沉积了Al2O3薄膜,研究了电解液浓度、电沉积电压对Al2O3薄膜900℃抗高温氧化性能的影响。表面宏观形貌、XRD分析、氧化增重和氧化膜剥落动力学曲线结果表明电沉积-热解法制备的Al2O3薄膜降低了氧化初期基体表面的氧分压,促进了选择氧化的发生,因此显著提高了304不锈钢的抗高温氧化性能。在电沉积电压为25V、硝酸铝酒精浓度为0.10mol/L条件下制备的Al2O3薄膜抗高温氧化性能最佳。     

Ni-Fe-P/Al_2O_3复合电沉积工艺对Al_2O_3复合量的影响

研究了Ｎｉ－Ｆｅ－Ｐ／Ａｌ２Ｏ３复合电沉积的工艺参数对沉积层中Ａｌ２Ｏ３硬质微粒复合量的影响．结果表明，复合电沉积层中Ａｌ２Ｏ３微粒复合量随镀液中Ａｌ２Ｏ３含量、温度、阴极电流密度以及ＮａＨ２ＰＯ２含量的改变表现出不同的变化趋势．在实验工艺条件下，可获得Ａｌ２Ｏ３硬质微粒均匀弥散分布的复合电沉积层，其中Ａｌ２Ｏ３的最大复合量可达１３．４８％（体积）．     

阴极电沉积TiO2薄膜的工艺及性能

使用TiCl4的前驱体溶液,采用阴极电沉积法在301不锈钢表面制备TiO2薄膜,并研究了电化学沉积过程的机理和工艺条件.应用X射线衍射(XRD)、热重-差热分析(TG-DTA)、傅立叶变换红外光谱(FTIR)等技术对TiO2沉积层的组成和结构进行了表征.用Tafel曲线评估了TiO2薄膜在模拟海水溶液中的电化学腐蚀行为,并以甲基橙为目标降解物研究了TiO2薄膜的光催化性能.     

网状纳米结构 α‐Fe 2 O3 薄膜的电喷雾制备

采用自建的电喷雾装置, 以浓度为10^-6mol/L的Fe(NO₃)₃和HAuCl₄混合溶液为前驱液, 在FTO(掺杂F的SiO₂玻璃)上沉积网状纳米结构的α-Fe₂O₃薄膜, 并分别用X射线衍射（XRD）、 Raman光谱、 扫描电子显微镜（SEM）、 能量色散X射线荧光光谱仪（EDX）、 X射线光电子能谱分析（XPS）和气敏测试对所得薄膜的组成、 结构和性能进行表征. 结果表明： 所得网状纳米结构由α-Fe₂O₃纳米粒子堆积而成; 喷雾过程中氯金酸的浓度和沉积时间对网状结构的形貌具有调控作用; 电喷雾法具有原料消耗少、 产物分散度高等优点.     

p-n结型光催化剂Co3O4／In2O3的制备、表征及其光催化性能的研究

n结型Co3O4／In2O3光催化剂是用共沉淀法制备的．并用X射线衍射对其进行表征。用光催化还原Cr^6＋和光催化氧化甲基橙的效率来评价该催化剂的活性。实验分别研究了Co3O4的掺杂比、焙烧温度和焙烧时间对光催化活性的影响。实验结果表明．Co3O4的最佳掺杂比（质量分数）为5％。催化剂的最佳焙烧温度和最佳焙烧时间分别为300℃和2h。在可见光和紫外光的照射下。p-n结型光催化剂Co3O4／In2O3的光催化氧化活性和光催化还原活性均比纯In2O3的高。实验同时还探讨了影响p-n结型光催化剂Co3O4／In2O3催化活性的机理。     

网状纳米结构α-Fe2O3薄膜的电喷雾制备

采用自建的电喷雾装置, 以浓度为10^-6mol/L的Fe(NO₃)₃和HAuCl₄混合溶液为前驱液, 在FTO(掺杂F的SiO₂玻璃)上沉积网状纳米结构的α-Fe₂O₃薄膜， 并分别用X射线衍射（XRD）、 Raman光谱、 扫描电子显微镜（SEM）、 能量色散X射线荧光光谱仪（EDX）、 X射线光电子能谱分析（XPS）和气敏测试对所得薄膜的组成、 结构和性能进行表征. 结果表明： 所得网状纳米结构由α-Fe₂O₃纳米粒子堆积而成； 喷雾过程中氯金酸的浓度和沉积时间对网状结构的形貌具有调控作用； 电喷雾法具有原料消耗少、 产物分散度高等优点.     

毛线团状In2O3空心球的合成及其气敏性能研究

采用模板法成功制备了具有介孔结构的毛线团状In2O3空心球,该空心球具有大的比表面积(30.88 m2/g),并研究了苯二甲酸的种类对产物形貌、结构和气敏性能的影响.利用XRD、TEM、FT-IR、DSC-TG和氮气物理吸附对所合成的产物进行表征.结果表明苯二甲酸的种类对最终产物的形貌有显著影响.气敏性分析表明,与其他...     

沉积时间对锌掺杂氧化镍电致变色薄膜电化学性能的影响

本文利用有机体系电化学沉积法,以FTO导电玻璃为基底,从N,N-二甲基甲酰胺(DMF)溶液中制备出了锌掺杂氧化镍电致变色薄膜。在制备薄膜过程中,沉积时间是一个重要的工艺参数。本文用能谱对薄膜的组成进行了表征,并用电化学工作站考察了不同沉积时间所制备薄膜的电化学性能。通过对不同沉积时间薄膜电化学性能的比较,结果表明,镀膜时间为15 min的薄膜具有电化学较好的性能。     

La2O3/Al2O3/TiO2纳米复合粉体的制备及其耐温性能的研究

以TiCl4、La2O3、Al片为原料,采用液相共沉淀法制备了La2O3/Al2O3/TiO2纳米复合粉体,采用DSC-TG、XRD、TEM技术对该纳米复合粉体进行了表征.结果表明纳米TiO2粉体经La2O3掺杂和Al2O3复合后,其耐温性能得到显著提高,该复合粉体经900℃煅烧后,粒径在32nm左右,锐钛矿含量约为77.2%(mol%)