新型Sol-Gel技术制备0-3型PZT厚膜材料研究

介绍了以硝酸锆、钛酸丁酯、乙酸铅为原料 ,去离子水、乙二醇乙醚为溶剂 ,采用新型Sol Gel技术 ,即将PZT陶瓷粉末分散于PZTSol中 ,形成均匀、稳定的厚膜材料先体溶液 ,再制备厚膜的方法 ,成功地制备出 2～ 5 0 μm厚的新型 0 3型PZT厚膜材料 .XRD谱分析显示 ,PZT厚膜呈现出纯钙钛矿相结构 ,无焦绿石相存在 .SEM电镜照片显示 ,PZT厚膜均匀一致 ,无裂纹、高致密 .介电性能测试结果表明 ,PZT厚膜具有优良的介电性能 .当测试频率为 1kHz ,温度为 15℃时 ,介电常数约为 860 ,介电损耗为 0 .0 3左右     

新型Sol—Gel技术制备0—3型PZT厚膜材料研究

介绍了以硝酸锆、钛酸丁酯、乙酸铅为原料，去离子水、乙二醇乙醚为溶剂，采用新型Ｓｏｌ－Ｇｅｌ技术，即将ＰＺＴ陶瓷粉末分散于ＰＺＴ Ｓｏｌ中，形成均匀、稳定的厚膜材料先体溶液，再制备厚膜的方法，成功地制备出２￣５０μｍ厚的新型０－３型ＰＺＴ厚膜材料，ＸＲＤ谱分析显示，ＰＺＴ厚膜呈出现纯钙钛矿相结构，无焦绿石相存在。ＳＥＭ电镜照片显示，ＰＺＴ厚膜均匀一致，无裂纹，高致密，介电性能测试结果表明，ＰＺＴ厚膜     

PZT厚膜的制备及其热释电性能研究

相比薄膜而言,厚膜具有更明显的电学效应.PZT厚膜材料制成的器件不仅工作电压低、使用频率高、能与半导体集成电路兼容,而且电学性能优异(与体材料器件相近).PZT厚膜材料是典型的热释电材料,作者结合自己的研究工作分别从制备工艺、热释电性能的测试以及应用等方面,介绍了目前PZT厚膜材料在热释电器件的研究进展以及存在的问题     

聚乙烯吡咯烷酮为稳定剂的PZT厚膜制备与性能

介绍了通过添加聚乙烯吡咯烷酮(PVP)制备PZT厚膜的方法。采用溶胶凝胶工艺,在700℃快速热处理4层即可获得厚度为1μm,表面平整没有裂纹的．PZT厚膜。对PVP的作用机理进行分析,同时对厚膜的结构形貌和电性能进行研究测试。厚膜呈完全钙钛矿相多晶结构,而且具有良好的铁电性能。     

0-3型PZT/PVDF压电复合材料压电性能研究

以PZT和PVDF为原料,采用热压和冷压两种工艺制备了0-3型压电复合材料,其中PZT陶瓷粉末由sol-gel法制得。研究了不同因素对复合材料压电和介电性能的影响。实验结果表明在相同成型压力下,PZT体积含量为70%时,热压和冷压工艺制备的复合材料d33分别为41和24,相差达到17,而ε相差最大值达到32.4。     

Sol-Gel法在不同衬底上制备的LaNiO_3导电薄膜的性能研究

采用溶胶凝胶法快速成膜工艺分别在Si(100),SiO2/Si,Pt/Ti/SiO2/Si不同基底上制备LaNiO3导电薄膜,并分别以LNO和Pt/Ti为基底制备PZT薄膜。通过XRD,AFM,EDS等测试手段对LNO导电薄膜的结构及组成进行表征,并通过XRD,介电性能的测试比较LNO/Si和Pt/Ti沉积PZT薄膜的性能。结果表明,在Si(100),Pt/Ti/SiO2/Si上制备的LaNiO3导电薄膜是赝立方结构,而在SiO2/Si衬底上是四方结构。在Si(100)上得到的LNO薄膜致密、平整,可以作为制备PZT薄膜的导电层。在LNO和Pt/Ti上制备的PZT薄膜均为钙钛矿结构,且PZT/LNO薄膜各衍射峰强度优于PZT/Pt/Ti;而介电性能方面,PZT/LNO较PZT/Pt/Ti稍差,100kHz时,PZT/LNO和PZT/Pt/Ti的介电常数和介电损耗分别为562,0.29;408,0.037。     

溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备BaTiO3陶瓷的铁电和介电性质研究

研究了钛酸钡体相陶瓷的铁电性介电性。以硬脂酸、氢氧化钡和钛酸四丁酯为原料，用Sol-Gel法合成BaTiO3。生成的前体粉末是无定型的，在空气中750℃下焙烧凝胶1h得到BaTiO3四方晶。自发极化Pr、剩余极化Ps和矫顽场Ec的值分别为5．512μc/cm^2、12．285μC/cm^2和3342V/cm，介电常数ε为2713（200－150000Hz）。     

Al2O3无机膜的制备和微观结构表征

以异丙醇铝为主要原料,用溶胶-凝胶法制备Al2O3膜,考察胶溶剂的种类和用量、水解温度、回流时间等制备条件对Al2O3膜微观结构的影响.研究结果表明,选择用HNO3作为胶溶剂,HNO3用量在0.25～0.30(摩尔分数)、加水量为100(摩尔分数)、水解温度为80℃左右、回流时间为10h左右,可以制得微观结构性能比较好的Al2O3膜.     

La2/3Pb1/3MnO3外延膜的结构及磁电特性研究

通过射频磁控溅射法在单晶LaAlO3(100)衬底上成功的沉积了膜厚为300 nm的La2/3Pb1/3MnO3外延膜。利用X射线衍射仪、原子力和超导量子干涉仪、直流四探针法对其结构、磁电特性进行了系统的研究。结果表明,薄膜为赝立方钙钛矿结构,沿(100)方向择优生长,具有良好的单晶外延结构。居里温度TC=345 K,在居里温度附近,发生铁磁-顺磁转变。此材料呈现出一种典型的自旋玻璃特性,是由于应力造成的。对于顺磁态、自旋玻璃态及铁磁态时其磁矩分布给予了合理的解释。在1 T磁场下,其磁电阻极大值为23.4%。     

碱型Mn3O4/Tm2O3复合纳米材料的制备及其催化性能

用溶胶-凝胶法制备Mn3O4/Tm2O3复合纳米材料; 应用X射线粉末衍射仪(XRD), 透射电子显微镜(TEM), 红外光谱分析方法(FTIR)等手段对样品进行表征,得出纳米粒子为四方晶系,平均粒径为38.0nm; 并研究了碱型Mn3O4/Tm2O3复合纳米材料对有机农药甲胺磷的催化增敏作用, 结果表明质量比Mn:Tm=100:0.1与在400℃下灼烧2h的纳米材料的催化增敏作用最佳.     

Bi4Ti3O12铁电薄膜溶胶—凝胶法制备过程中Bi—Ti溶胶的匀胶规律研究

介绍了Ｓｏｌｇｅｌ法制备Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜的工艺过程,研究了ＢｉＴｉ溶胶在Ｓｉ基片上的匀胶规律;用ＴＧＤＴＡ和ＴＥＭ技术研究了ＢｉＴｉ干凝胶的形态,并成功地在Ｐｔ／Ｔｉ／Ｓｉ基片上制备了ｃ轴取向的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜．     

三氯化铁浸出硫化铅精矿炼铅新工艺

应用正交试验及对其结果的方差分析法，对三氯化铁浸出硫化铅精矿进行了研究，找出了影响浸出率的主要因素和浸出最佳工艺条件。同时，用浸出产物氯化铅进行了熔融盐电解冶炼金属铅的研究，试验证明浸出－熔融盐电解炼新工艺是可行的。     

PZT/P(VDF-TrFE)O-3型复合材料的制备及介电测量

采用溶胶-凝胶法制备了锆钛酸铅(PZT)的纳米粉体,通过热压的方法制备了锆钛酸铅与偏氟乙烯和三氟乙烯的共聚物形成的0．3型复合材料(PZT／P(VDF-TrFE)),并对其进行了频域和时域介电测量．研究结果表明,复合材料的介电常数随PZT的体积分数的增加而增大,在PZT体积分数约为70％时出现最大值,并对该结果作了定性解释．时域测量结果表明,在PZT／P(VDF—TrFE)0．3复合材料中存在3种不同弛豫时间的极化结构．     

Vxworks基于S3C44B0X处理器的中断处理设计

嵌入式微处理器和嵌入式实时操作系统是嵌入式系统的两大核心技术。详细分析了wind River公司的嵌入式实时操作系统Vxworks中断处理机制,并针对Vxworks中断处理机制对于SAMSUNG公司ARM7微处理器芯片S3C44B0X的特殊性,给出了Vxworks基于S3C44B0X处理器的中断实现。     

用新型Sol-gel法制备酚基吡啶硼配合物/二氧化硅复合玻璃

利用新型溶胶 凝胶（sol-gel）方法制备一种酚基吡啶硼配合物((dppy)BF)掺杂的二氧化硅复合发光玻璃. 由于加入Li₂CO₃中和了溶胶以及环己烷萃取溶剂, 使材料的制备时间由传统sol-gel方法的几周减少到几天. 用这种方法制备 了无断裂、 低体积收缩的(dppy)BF掺杂的二氧化硅复合发光玻璃. 荧光光谱研究结果表明,复合材料中(dppy)BF的光稳定性得到明显改善, 发光效率明显提高.     

关于用八田数修正Si3N4陶瓷水解反应过程中的传质系数k0c的讨论

基于Whitman的薄膜理论,提出了计算Si3N4陶瓷水解反应过程中的平均传质系数k0c的1种新方法;并讨论了用八田数对k0c修正的条件问题,指出在Ha不是远小于1的情况下,k0c须乘上修正因子(x).     

基于单片机的皮革面积模糊加权测量法

提出一种用于网格法测量皮革面积的模糊加权处理方法,对被测皮革划分的单元小格引入隶属度的概念,以提高面积测量的精度,并在单片机皮革面积测量仪中实现了模糊加权测量的方案．     

新显色剂3-氯-2-硝基-4-甲基苯基重氮氨基)偶氮苯的合成及其与镉的显色反应及应用的研究

本文报道了新显色剂3—氯—4(2-硝基—4—甲基苯基重氮氨基)偶氮苯的合成及其与镉的显色反应。在非离子表面活性剂Triton X—100存在下,于pH9.5的Na_2B_4O_7—NaOH缓冲溶液中,试剂与镉生成2:1的红色配合物,其配合物的最大吸收波长位于524nm处,表观摩尔吸光系数ε=1.34×10~5L·mol~(-1)~cm~(-1),镉量在0 12μg/25ml范围内符合比尔定律,方法曾用于标准水样及电镀废水中微量镉的测定,结果满意。