La0.67Ca0.33Mn1-xCrxO3(0.0≤x≤0.15)中的输运机制与CMR效应研究

研究了Mn位掺Cr体系La0.67Ca0.33Mn1-xCrxO3(0)(0.0≤x≤0.15)的庞磁电阻(CMR),发现Mn位掺Cr时零场电阻率曲线出现附加峰,随着Cr含量的增加,起始电阻率峰值逐渐减弱,附加峰急剧上升.在磁场作用下,两个电阻率峰值被强烈压缩,导致CMR效应中出现双峰,并且CMR效应的温区大大拓宽,从低温到接近室温.这个结果表明:Mn位元素替代是调整CMR效应的有效方法.     

La位Dy3+的替代对(La1-x Dyx)0.67 Ca0.33 MnO3传输性质的影响

在La0.67Ca0.33MnO3中用Dy对La进行了部分替代,随替代量增加,材料的居里温度和金属-绝缘体相变温度单调下降,峰值电阻率单调增加,磁电阻比急剧增大。这些变化可以用稀土离子平均直径的减小和自旋团簇模型来解释。Dy掺杂引起的磁结构变化将导致CMR效应。     

Fe离子掺杂对La_(0.67)Ca_(0.33)Mn_(1-x)Fe_xO_3体系晶体结构、输运性质的影响

采用固相反应法制备了La0.67Ca0.33Mn1-xFexO3(0 x 0.2)系列样品.实验研究了Fe离子掺杂稀土锰氧化物La0.67Ca0.33MnO3的电输运性质、微观结构和导电机制.结果表明:样品高温下导电遵从Mott变程跳跃机制;相同温度下烧结的样品,体系电阻率急剧增加,绝缘—金属转变温度TIM向低温方向移动.相同Fe替代含量的样品,在1200℃、1250℃、1300℃3个不同烧结温度下,晶格常数c变化不大,晶格常数a、b和晶胞体积随着烧结温度的升高而减小,晶体颗粒和体系电阻率随着烧结温度的升高而增大,绝缘—金属转变温度TIM向高温方向移动.     

La_(0.67)Ca_(0.33)Mn_(1-x)Cr_xO_3 (0.00≤x≤0.15)中的输运机制与CMR效应研究

研究了Mn位掺Cr体系La0 67Ca0 33Mn1-xCrxO3(0)(0 0≤x≤0 15)的庞磁电阻(CMR),发现Mn位掺Cr时零场电阻率曲线出现附加峰,随着Cr含量的增加,起始电阻率峰值逐渐减弱,附加峰急剧上升。在磁场作用下,两个电阻率峰值被强烈压缩,导致CMR效应中出现双峰,并且CMR效应的温区大大拓宽,从低温到接近室温。这个结果表明:Mn位元素替代是调整CMR效应的有效方法。     

A位的Sm掺杂对La0.67Sr0.33MnO3体系磁电性质的影响

通过实验研究了La0.67-xSmxSr0.33MnO3(x=0.00,0.10,0.20,0.30)体系的M-T曲线、ESR曲线、ρ-T曲线和MR-T曲线.实验结果表明:随着Sm掺杂的增加,体系从长程铁磁有序向自旋团簇玻璃态和反铁磁状态转变,Sm掺杂引起的磁结构变化和额外磁性耦合将导致CMR效应.     

Dy、Yb掺杂稀土锰氧化物的磁性和电性

在La0.67Ga0.33MnO3中用Dy和Yb对La进行了部分替代，随替代量的增加，材料的居里温度单调下降。掺Dy使峰值电阻迅速增加，而Yb的掺杂对电阻率的影响较小，说明样品的磁性和输运性质受掺杂离子的影响。     

La0.67Ca0.33MnO3化合物铁掺杂效应的正电子寿命谱研究

采用固相反应方法制备了La0.67Ca0.33Mn1-xFexO3(0 x 0.2)的一系列样品.分别用X射线衍射、正电子湮没技术对样品进行了检测,结果表明:在整个掺杂范围内样品单相性很好,随着掺杂量的增加,样品中铁磁与反铁磁团簇的相互竞争和由于电子局域化而引起的极化导致了正电子寿命的变化.     

La0.67 Sr0.33 MnO3/GaN异质结的光电效应研究

利用脉冲激光沉积技术制备了p-n型的La0.67Sr0.33MnO3/GaN异质结.在室温下测量了La0.67Sr0.33MnO3/GaN异质结的电流-电压特性曲线,结果表明该异质结具有较好的整流效应.对该异质结的光电效应进行了测量,发现该异质结还具有明显的光电效应:当用光功率为6mW、波长520nm的光照射该异质结时该异质结的光电压可达33μV.还发现异质结的光电压与入射光的功率及光子能量有依赖关系:入射光功率或光子能量越大,光电压越高.根据La0.67Sr0.33MnO3/GaN的能带结构对实验结果作了解释.结果表明La0.67Sr0.33MnO3/GaN异质结可用作光电器件.     

Yttrium掺杂La0.67Ca0.33MnO3的X射线衍射研究

制备了Yttrium掺杂的La0.67Ca0.33MnO3多晶样品.通过室温下的X射线衍射,用Rietveld精修方法得到它的结构特性.随着Yttrium成分的增加,或者La位阳离子的平均半径的降低,八面体倾斜变形度增加.Mn-O-Mn键的键角随Yttrium成分的增加而增加.Mn-O键的平均键长在整个过程中相对保持不变,但单个Mn-O键长和Mn-O-Mn键角反映出室温下Yttrium掺杂LCMO合作Jahn-Teller效应的存在.     

La0.67Ca0.33MnO3/SrBi2Ta2O9复合材料的制备及电输运特性

用固相反应法制备了(La0.67Ca0.33MnO3)1-x/(SrBi2 Ta2 O9)x,其中x=0,0.005,0.01,0.015,0.02,0.03,0.05,0.07,0.10,0.15,0.20,0.25,并对样品的电输运性质进行了一系列的研究.结果表明；随着掺杂物质SrBi2 Ta2 O9 (SBT)的...     

钙钛矿La0.67Pb0.33MnO3薄膜的制备及表征

利用磁控溅射法在单晶LaAlO3(100)衬底上成功的外延生长了La0.67Pb0.33MnO3薄膜。用X射线衍射、原子力和超导量子干涉仪、振动样品磁强计对其进行了表征。结果表明,薄膜为赝立方钙钛矿结构,晶胞参数为a=3.861 nm,具有良好的单晶外延结构和光滑的表面。居里温度TC=345 K,在居里温度附近,发生铁磁-顺磁转变。此材料呈现出一种典型的自旋玻璃特性,是由于应力造成的。在室温条件下,当H=0.8T时,磁电阻效应非常明显,此现象是由于固有磁电阻效应引起的,并不是低场磁电阻效应引起的。室温下,其矫顽力只有50奥斯特。     

La_(0.67)Sr_(0.33)Mn_(1-x)Fe_xO_3体系的正电子湮没研究

采用固相反应方法制备了名义成分为La0.67Sr0.33Mn1-xFexO3(0x0.2)的系列样品.利用X射线衍射、激光拉曼、正电子湮灭等实验手段并结合输运测量,对该系列样品进行了研究.结果表明,各样品均为正交钙钛矿结构;随着掺杂量的增加,样品的电阻率ρ急剧变大,绝缘体-金属转变峰随着掺杂浓度x的增加,峰值对应温度向低温区移动,这是由于样品内部晶体结构的变化所导致的.掺杂样品中缺陷及电子结构的变化与掺杂浓度密切相关,这主要是由于样品中的Mn3+被Fe3+所替代,部分Mn3+-O2-Mn4+铁磁双交换作用键被打断,样品中的铁磁与反铁磁作用的相互竞争以及样品内部电子局域化所形成的极化行为等因素的影响所导致的.     

顺磁绝缘/铁磁金属相复合材料La1.4Sr1.6Mn2O7/La0.67Sr0.33MnO3的磁特性研究

采用溶胶-凝胶法一次性制备了顺磁绝缘／铁磁金属相复合材料La1.1Srt.6Mn2O7/La0.67Sr0.33MnO3系列样品.用X射线衍射仪分析了样品的晶体结构,通过多功能物理测试系统测量了样品的磁特性.研究发现,复合样品从高温到低温明显经历了2次磁相变过程,在Tc1与Tc3D之间磁化强度的数值随温度基本保持不变,...     

庞磁电阻效应材料中的低温电阻率反常现象

发现在La1/3Nd1/3Ba1/3MnO3和La1/3Nd1/3Sr1/3MnO3材料中存在低温电阻率极小值现象·经曲线拟合分析后,认为其机理在于材料中存在类似于磁性杂质对传导电子自旋散射造成的近藤效应(KondoEffect),是出现局域磁有序的结果     

Colossal magnetoresistive p-n junctions of perovskite oxide La0.9Sr0.1MnO3／SrNb0.01Ti0.99O3

We have successfully fabricated the colossal magnetoresistive (CMR) p-n junctions of perovskite oxide La0.9Sr0.1MnO3/SrNb0.01Ti0.99O3 (LSMO/SNTO) with laser molecular beam epitaxy. The I-V characteristics of the LSMO/SNTO p-n junctions as a function of applied magnetic field (0—5 T) were studied between 100 and 300 K. We found that the p-n junction exhibited the CMR behavior. The CMR ratio △R/R0 (△R = RH - R0) is positive in magnetic fields below 0.13 T and at high temperature, while it displays a negative CMR near 100 K and in magnetic fields over 0.13 T. The CMR ratio values are 8% at 0.1 T and 13% at 5 T and 300 K, 40% at 0.1 T and 150 K, 10% at 0.13 T and -60% at 5 T and 100 K. The CMR behavior of the p-n junction is different from those of the LaMnO3 compound family.     

La0.67Sr0.33MnO3体系的Mn位铁掺杂效应

采用固相反应方法制备了名义成分为La0.67Sr0.33Mn1-xFexO3(0≤x≤0.20)的系列样品.通过对La0.67Sr0.33MnO3系列样品的XRD曲线、R—T曲线的测量,研究了Fe掺杂对样品磁电性质的影响.室温下利用正电子湮没技术对样品进行了研究,根据正电子寿命谱参数的变化情况讨论了掺杂样品中缺陷及电子结构的变化.实验结果显示,该系列样品可以忽略氧空位缺陷的影响,样品中位错、微空洞和晶界等缺陷的存在、铁磁与反铁磁作用的相互竞争及样品内部电子局域化所形成的极化行为等因素导致了样品性质的变化.