一种应用计算机测定电阻温度特性的方法

介绍一种应用计算机测定电阻温度特性的方法,给出温度在5～90℃几种热敏电阻的温度特性.     

金属离子对导电聚苯胺薄膜电阻-温度关系的影响

在含有不同金属盐的酸盐溶液中利用原位聚合法制备了一系列导电聚苯胺薄膜样品，测量并研究了不同样品的电阻随温度变化的关系。实验结果表明反应过程中金属离子的存在能够改善样品的电传输行为，表现为在金属盐酸盐的溶液中制备的样品具有更小的R60/R285和更低的TMOtt。     

基于Windows98的电阻温度特性测试系统

目前P4CPU主板成为主流，P4主板上已不再有EISA接口槽，原来基于EISA槽的接口卡已不能使用。为此设计了基于并行打印接口的外围控制电路，首先由程序控制编码器编码，然后由专用解码芯片解码，从而实现通道转换。计算机通过标准RS－232串行接口同智能万用表和智能数字温控表通信，组成热敏电阻阻温特性曲线测试系统，由智能温控表进行控温，由智能万用表进行数据采集。程序由VISUALC 6.0语言编写，数据处理程序可供新老用户使用。     

半导体薄膜电阻的测量技术研究

电阻率是描述半导体材料性能的重要参数之一,四探针技术是测量半导体材料电阻率的主要手段。本文对四探针技术测量半导体薄层电阻的重要性进行了分析,结合常用的四探针测量技术探讨半导体电阻率的测量方法,重点讨论直线四探针技术和矩形四探针技术,对比了常用的几种四探针技术的优劣。     

氧化铟锡薄膜电阻温度曲线中的滞后现象

用电子束蒸发技术在玻璃衬底上制备氧化铟锡薄膜,并在500℃下氮气氛围中退火1 h.将退火后的薄膜用光刻技术形成一个M型规则线图,并记录连续4轮由室温升至400℃,接着降至室温过程中样品的电阻变化.测量数据显示,电阻温度曲线在温度上升和下降阶段存在滞后现象.结合半导体载流子输运理论建立模型,与降温实验数据拟合程度很好,但当用来解释升温数据时却存在明显的偏差.由降温过程的数据计算得到氧化铟锡的电阻温度系数在温度大于380℃后趋于+1.393×10-3/℃,同时给出了氧化铟锡薄膜的激活能.     

碳纳米管薄膜电阻的热敏特性测试

针对单根碳纳米管测试的困难,用丝网印刷的方法制作了一种碳纳米管薄膜电阻.测量其热敏特性表明:其阻值随温度有明显的变化,并具有线性关系,通过线性拟合计算得到其电阻率温度系数为-4 79×10-6Ω·m/℃.研究结果表明,碳纳米管可望作为一种特殊的温度传感器用在功能服装中.     

用UJ31型电位差计测量金属导体的电阻温度系数

介绍一种用电学仪器UJ31型电位差计精密测量金属导体的电阻温度系数的新方法。     

电阻—温度测量的微机数据采集系统

本文应用微机、智能电表和专用接口组成了一个全自动,多功能的电阻-温度关系的测量系统,用于研究非晶合金和BaTiO_3系PTC材料的相变过程,结果证明该系统具有很高的精确度、可靠性和稳定性,有广阔的应用前景。     

低TCR锰铜薄膜的制备

根据薄膜理论和工艺实验,采用直流磁控溅射技术对薄膜沉积的工艺参数进行了优化,获得了电阻温度系数TCR≤20×10-6/℃的锰铜薄膜,与块材接近,实现了锰铜压力传感器的薄膜化.同时对影响锰铜薄膜TCR(Temperature Coeffcient of Resistance)值的因素及机理进行了讨论.     

基于虚拟仪器的薄膜电阻率测量系统设计

基于虚拟仪器技术及Rymaszewski四探针双电测组合法设计了薄膜电阻率自动化测量系统.在虚拟仪器软件LabVIEW和数字量输出模块NI 9401的控制下,利用基于CD4052芯片的接口电路实现电流探针、电压探针的自动切换,并通过LabVIEW程序控制Keithley 2400数字源表实现两次电压测量;同时根据两次电压测量结果由LabVIEW程序完成范德堡修正因子和方块电阻的计算;最终实现薄膜电阻率自动测量、记录和显示.试验结果表明,所设计的自动测量系统不仅可以满足多种薄膜电阻率测量要求,而且提高了测量精度和自动化程度,同时精简了薄膜电阻率测量过程.     

四探针和双四探针法测量非晶态薄膜合金电阻的研究

研究了四探针和双四探针法测量非晶态薄膜合金电阻的几何尺寸效应,提出了一种高精度测量非晶态窄带薄膜合金电阻的新方法,理论和实验的研究结果都证明了这种方法的可行性。     

精确测量透明介质膜片折射率的一种方法

激光束经透明介质膜片反射后产生散射条纹分布．通过测量３条相邻条纹散射角可计算出测量膜片的折射率．本文推导出了其计算公式及测量误差公式．给出了实验结果．实验表明该方法的测量精度较高．     

外推式高温测量的一种新方法

针对两点法、三点法、微分法、多点温度法、对点的对数法等［４］在动态高温测量中存在的不足,如：测量误差大、抗干拢能力弱、模型演算复杂、热惯性系数慢变性等对推算结果影响大,提出了一种在简化模型的基础上,利用最小二乘原则估计稳态温度值的方法．该方法由于引用了最小二乘估计理论,其算法使热惯性系数的慢变性原则上不影响估计精度;同时该算法模型简单,使用的数据量也不大,比较适合在实际中应用．仿真研究结果表明,在一定条件下,该方法估计精度较高．     

测量氧化膜生长应力的新方法

基于悬链线模型,详细地介绍了一种用于测定氧化膜生长应力的新实验方法。它的优点在于不必给试样单面施加抗氧化涂层,不需要研究材料的蠕变性质,也不必讨论试样的形变属于弹性形变还是属于塑性形变。     

应用激光闪光法测量薄膜材料的热扩散率

目的是将用于测量片状试样的热扩散率的激光闪光法推广至测量薄膜试样。应用 1 5纳秒脉冲 Nd:YAG激光及响应时间 0 .9微秒的 (Hg,Cd) Te红外探测器等建立了闪光法热扩散率测量系统 ,并应用此系统对微米量级厚度的不锈钢薄膜进行了测量。同时针对将激光闪光法应用于薄膜时所出现的问题 ,如激光的有限脉冲时间及有限吸收厚度效应 ,测量系统的滞后效应 ,以及增强红外吸收及辐射用表面黑化膜的影响进行了分析并提出了解决方法     

一种测量纳米薄膜厚度的新方法

提出了一种量测纳米薄膜厚度的方法,即根据纳米薄膜与其基底间存在的力学性质上的差异,选用合适的刻划工具,通过对薄膜直接进行刻划,产生划透薄膜且不影响基底的划痕,再运用原子力显微镜扫描,得到划痕区域的微观形貌,由此计算出纳米薄膜的厚度.用该方法对TiO2纳米薄膜进行测量,得到薄膜的平均厚度为71.6 nm,与相关文献报道的用其它方法测得的薄膜厚度值较吻合.作为测量纳米薄膜厚度的又一方法,此法具有适用范围广,厚度图像直观,操作和计算均较为简单,精度较高的特点.     

水热法制备SrTiO3功能陶瓷薄膜

采用水热法技术于250℃条件下直接在金属钛片上制备了钙钛矿结构的SrTiO3晶态薄膜，讨论了温度对薄膜形成的影响．采用X射线衍射(XRD)分析了薄膜的晶相；扫描电镜(SEM)研究了薄膜的表面形貌；X射线光电子能谱(XPS)分析了薄膜的成分与价态．结果表明水热反应温度是影响薄膜结晶的重要条件．     

用CPU进行温度测量的方法研究

研究了普通电子产品上经常使用的基于CPU的温度检测与测量方法，重点讨论了A/D方式，振荡方式和充放电方式，给出了这几种方法的实际解决方案。     

测量低温下固体热物性的一种非稳态方法

介绍了测量低温下固体热物性的一种非稳态方法，并对玻璃钢试样的热物性进行了测量，所测数据与其他所测数据相比，有较好的一致性。     

一种测量薄凹透镜焦距的新方法

介绍了一种用平行光管测量薄凹透镜焦距的方法.