光学Y分支三维波导的数值模拟

针对光学Y分支三维波导结构及折射率分布,运用有限差分波束传播方法（FD－BMP）进行了数值模拟,以数值结果可得,FD－BPM法算得的分支损耗为0．37dB,而原有的快速傅立叶变换法（FFT－BPM）算得的分支损耗为0．30dB,分析指出,FD－BMP的结果较为合理,对两种方法的计算时间比较发现,FD－BMP比FFT－BMP快5－7倍。     

FD耐热逆转录酶的同源模建及结构同源性分析

FD－TRT是一种耐热逆转录酶（是自行表达并提纯的）,根据TapDNA聚合酶的晶体结构为模板,采用计算机同源模建的方法建立FD－TRT的三级结构模型,并对FD－TRT和DNA聚合酶家族的其他蛋白功能差异的结构基础以及保守性功能性残基的作用进行研究,从而为进一步改造FD－TRT分子、提高其耐热性、反应活性以及对RNA模板和DNA模板的选择性提供良好的基础．     

探讨溶胶-凝胶工艺制备PZT薄膜

介绍溶胶－凝胶法制备PZT铁电薄膜的工艺过程，探讨影响稳定溶胶配制的原材料，溶剂及溶液的pH值选取，分析催化剂和添加剂在提高薄膜质量方面的作用机理，理论上阐述了基片和PbTiO3过渡层对促进PZT薄膜晶化的影响，提出优化溶胶－凝胶技术的关键措施。利用优化工艺对采用无机盐硝酸锆，通过甩胶沉积在α-Al2O3基片上的PZT薄膜的微观表面形貌和相结构进行了观察。     

耐热碱性磷酸酯酶基因的DNA序列分析

从栖热菌中克隆到产耐热碱性磷酸酯酶（FD－TAP）基因并进行了DNA序列分析,结果表明此2．0kb的片段含有一个1056bp的开放阅读框,编码501个氨基酸的蛋白质,其N端有一26个氨基酸的信号肽．在起始密码子的上游5bp处有一个5＇－GGAGGT－3＇的SD序列．基因编码区的（G＋C）％为68．7％,第3位密码子（G＋C）％为92．7％．FD－TAP的氨基酸序列与大肠杆菌等生物的碱性磷酸酯酶氨基酸序列比较,相同性为27％,相似性为38％．中央β－折叠区及与活性中心相关的氨基酸残基高度保守．表明FD－TAP具有与大肠杆菌碱性磷酸酯酶相似的结构和作用机制．在相当于大肠杆菌碱性磷酸酯酶的His370至His412两个金属离子结合部位之间,FD－TAP有一72个氨基酸的插入片段,提示该插入片段与FD－TAP的高耐热性相关．     

溶胶—凝胶工艺制备PZT陶瓷中固相反应的研究

本文采用丁醇钛,自制乙醇锆、醋酸铅为原料成功地制备出了高纯度的微粒的PZT粉料,并运用DLA XRD和IR等手段对Sol—Gel方法制备PZT粉料的固相反应进行了研究。结果表明:PZT凝胶粉沫可一步生成PZT晶相,而用传统氧化物方法制备PZT粉料的固相反应需分开才能完成,同时,本文还对这一现象的主要原因进行了分析。     

N-未取代的C_(60)吡咯烷衍生物的分离纯化和结构表征(英文)

C60与α-氨基酸和醛酮反应生成N-未取代的C60吡咯烷衍生物。本文给出了用柱层析法分离纯化产物的一般原理和过程，总结了用FD－MS，FT－IR，UV－Vis，1H－NMR和13C－NMR表征产物结构时所给出的共同特征。     

分布式PZT片驱动性能的实验研究

通过将整块压电陶瓷PZT片分成小片用作驱动元件的实验 ,研究了PZT片大小对其驱动能力的影响 .结果表明 ,减小PZT片的面积既能提高PZT的驱动能力 ,同时还能降低结构的破坏程度 ;另外 ,极化后的PZT片压电效应具有明显的非线性特性 .     

锆钛酸铅（PZT）纳米陶瓷粉体的液相制备技术

评述了Sol-gel法、共沉淀法和水热法制备锆钛酸铅(PZT)纳米陶瓷粉体的原理、工艺过程、技术特点及其优缺点。重点论述了水热合成PZT纳米陶瓷粉体的dissolution／precipitation和in-situ两种合成机制,详细分析了锆、钛、铅等反应物离子在水热条件下的存在形式、反应机理以及碱度、温度、干燥技术和铅含量等条件对水热合成PZT纳米陶瓷粉体的影响。讨论了液相法合成PZT纳米陶瓷粉体的研究热点与发展方向。     

埋入式压电阻抗传感器水泥封装试验研究

对经防水处理后的PZT(piezoelectric ceramic)阻抗传感器开展了封装试验研究.为了保证PZT传感器与混凝土结构的相容性,试验采用水泥作为封装材料,提出了一套PZT阻抗传感器的封装工艺.通过对封装前后PZT导纳(阻抗的倒数)进行测试可以发现:在水泥封装层固化期间,PZT导纳曲线向右发生漂移,峰值对应共振频率增大;经水泥封装的PZT阻抗传感器在封装层完全固化后导纳曲线几乎不再随时间变化,表明封装后的PZT传感器性能稳定,可用于实际混凝土结构的在线健康监测.     

PZT智能钢筋监测系统的优化研究

针对PZT智能钢筋监测技术在实际应用中遇到的混凝土材料阻尼过大,应力波衰减过快,监测系统无法获得足够强度的输出信号的问题,通过增加传感器PZT片的数目、改变PZT长度和配置方式,对智能钢筋系统进行优化,并对优化后的PZT智能钢筋系统进行了室内实验和数值模拟实验研究.结果表明,输出信号和嵌缝宽度呈指数关系,其优化的极限状态为PZT与钢筋之间的缝隙尺寸为零.     

非均相沉淀法制备PLZT富锆陶瓷及其电击穿性能研究*

PZT95/5型铁电陶瓷的抗电击穿强度对材料的实际应用至关重要,实际应用中PZT95/5型铁电陶瓷较低的抗电击穿强度限制了它的应用;选择了PZT95/5型铁电陶瓷材料为研究对象,以提高材料的抗电击穿强度为目的,从材料的制备工艺、材料的微观结构的优化以及电击穿性能等方面,探索提高PZT95/5型铁电陶瓷抗电击穿强度的途径;采用了传统固相法、非均相沉淀法制备出了不同微观结构和性能的PZT95/5型铁电陶瓷;研究表明,采用非均相沉淀法制备了PZT95/5型铁电陶瓷,其介电、压电、铁电性能和抗电击穿性能都优于传统固相法所制备陶瓷的性能;根据弱点导致电击穿的理论,采用韦布尔分布表征和研究了所制备的PZT95/5型铁电陶瓷的电击穿性能。     

压电换能器材料的研制及使用

1酉己方Fl一pZTO·997[pb。,,;sr。。(zr。j:4Ti。,。。)o,1+o·o03BIFeo,·外加,0·00359一mol FcZo,;0·0029一mol MnoZ;过量,pboo·swt%以内·SF一pZ T pb。Q4sr。,(zr。j3Ti。,7)o,·外加,。·lwto/.(NICo,+Cr20,);过量,PbO 0.3wt%. FZ一pZT pb。,。Sr。。,(zr。jZTi。,:)o,+0·Zwt%KZo+O·swt%Fc:o,·2工艺 通过长期的工作实践,改进并优化干法陶瓷工艺进行有关压电陶瓷的研制.其工艺流程大致为:配方设计、计算、选料、原料处理、称量、混合、预压、预烧(一次烧结)、粉碎、细化、加粘合剂、造颗粒、成型、排塑、烧成、烧…     

钛含量对PZT/STO铁电电容器隧穿电阻的影响

采用Landau-Devonshire自由能理论和晶格模型,研究了PbZr1-xTixO3(PZT)/SrTiO3(STO)复合薄膜中PZT的钛(Ti)含量(x=0.5,0.6,0.8,1.0)对铁电隧道结极化强度、总电势、电导和隧穿电阻等的影响,从而增大隧穿电阻.模拟结果表明:随着层数增加,复合薄膜极化强度增大;随着Ti含量增加,隧道结电导先减小后增大,其隧穿电阻率先增大后减小;PZT极化强度、STO总电势和PZT总电势的斜率均在x=0.8时最大.     

PZT/P(VDF-TrFE)0-3型复合材料的制备及介电测量

采用溶胶 -凝胶法制备了锆钛酸铅 (PZT)的纳米粉体 ,通过热压的方法制备了锆钛酸铅与偏氟乙烯和三氟乙烯的共聚物形成的 0 3型复合材料 (PZT/P(VDF TrFE) ) ,并对其进行了频域和时域介电测量 .研究结果表明 ,复合材料的介电常数随PZT的体积分数的增加而增大 ,在PZT体积分数约为 70 %时出现最大值 ,并对该结果作了定性解释 .时域测量结果表明 ,在PZT/P(VDF TrFE) 0 3复合材料中存在 3种不同弛豫时间的极化结构     

栖热菌(Thermus)的DNA转化研究

由栖热菌FDB8(Thermus sp.FDB8)提取的染色体DNA对栖热菌FD3009(Thermus sp.FD3009)进行了转化.用丝裂霉素C选择培养基对转化子进行选择,共获得3个转化子.它们的菌落色泽、对丝裂霉素C的抗性强度和耐热DNA聚合酶活性均介于供体菌和受体菌之间,而其菌体生长速度和破壁难易程度则优于供体菌和受体菌.结果表明,转化子是由供体菌FDB8的染色体DNA转化了受体菌FD3009所致,同时还可由转化子进一步选育出抗丝裂霉素C的耐热DNA聚合酶高产菌株.     

球墨电子显微图像分形及应用

本文基于离散分形布朗增量随机场(DFBIR场),提出了一种适于球状石墨表面微观形貌定量分析的广义分形模型,研究了此模型的特点及其计算方法,并借助S600数字图像处理系统对球墨二次电子像进行了定量研究.提出了球墨表面形貌的FD分析技术,并在此基础上研究了Sb-Mg球墨铸铁中球墨表面的FD特征、Bi对球墨表面形貌和球墨铸铁机械性能的影响及其“时序效应”特点,以及球化剂中的RE/Mg比值与球墨表面形貌和球墨铸铁多次冲击韧性之间的定量关系.     

压电智能驱动器力学模型的建立及数值模拟

基于PZT逆压电效应和结构动力学波动原理,建立粘贴式PZT驱动器与主体结构耦合简化力学模型及数学模型;考虑粘结层阻尼效应,建立PZT驱动方程并求解输出力表达式,确定驱动器力学与电学特性的对应关系;通过胶层材料特性、传递的切应力及其厚度变化对PZT驱动性能的影响进行算例分析,拟合出胶层传递剪切力与胶层厚度关系曲线,证明了运用所建立的驱动模型能有效地模拟检测PZT的逆压电规律,可为利用压电智能驱动器控制工程结构检测提供理论依据.     

聚乙烯吡咯烷酮为稳定剂的PZT厚膜制备与性能

介绍了通过添加聚乙烯吡咯烷酮(PVP)制备PZT厚膜的方法。采用溶胶凝胶工艺,在700℃快速热处理4层即可获得厚度为1μm,表面平整没有裂纹的．PZT厚膜。对PVP的作用机理进行分析,同时对厚膜的结构形貌和电性能进行研究测试。厚膜呈完全钙钛矿相多晶结构,而且具有良好的铁电性能。