用三支路法分析高压电气设备的tgδ

用三支路法在理论和实际两方面研究了电介或电气设备绝缘的损耗因素，即介质损耗角正切。该法直接利用区分电导损耗和极化损耗的三条支路，从ｔｇδ的物理含义出发，推导了单层介质和双层介质的综合ｔｇδ表达式，给出了ｎ层串联介质的ｔｇδ表达式，并结合具体问题进行了讨论。     

中温烧结PLZT基X7R262瓷料的研究

在文献［７］的基础上，通过配方调整和工艺研究，获得了中温烧结的ＰＬＺＴ基Ｘ７Ｒ２６２瓷料，其主要性能指标达到：ε２９８Ｋ＝２６００±１００；ｔｇδ＜４０×１０－４；ρＶ＞１０１３Ω·ｃｍ；Δε／ε２９８Ｋ＜±１３％；Ｅｂ＞１２ｋＶ／ｍｍ；ＴＳ＝（１３７３±２０）Ｋ     

变间隙不接触三电极薄膜材料介电参数的测量

利用自行研制的高精度变间隙不接触三电极系统，研究了在薄膜材料（厚度小于30μm）相对电容率（εr）和介质损耗角正切（tanδ）测量中的相关技术问题，包括试样厚度测量的准确度，薄膜多层总厚度的合理选择，试样与电极间预留空气间隙的大小等．此外，还对两种不接触电极方法（变间隙法和变电容法）作了比较，分析了各自的优缺点及适用范围．研究结果表明，空气介质的变间隙不接触电极方法可成功应用于板材和薄膜试样εr和tanδ的测量，εr的测量值误差可控制在5％以内，tanδ可测到10^-5数量级．     

添加物对PLZT陶瓷的降温和改性作用

本文研究了４Ｂｉ２Ｏ３·Ｂ２Ｏ３助熔剂对ＰＬＺＴ瓷料的降温效果以及ＢａＳｎＯ３的固溶和Ｂａ２＋的Ａ位取代对掺Ａｇ＋的ＰＬＺＴ反铁电组分的改性作用，获得了中温烧结的ＰＬＺＴ系Ｘ７Ｒ瓷料．其主要性能指标达到：ε２９８Ｋ＝２０００±１００；ｔｇδ＜５０×１０－４；ρｖ＞１０１３Ω·ｃｍ；△ε／ε２９８Ｋ＜±１０％；Ｅｂ＞１．１×１０４ｋＶ／ｍ；Ｔｓ＝１３４３～１３９３·Ｋ     

聚合物的时域介电谱

在１０４至１０－５Ｈｚ频段，聚合物的介电谱只能用时域参数描述．介质的极化响应可描述为Ａεｓｅｘｐ［－（ｔ／τ）类型的若干个项之和．实验证明在随机驰豫中α＝１，在自由驰豫中则α＝１／２．在低频段用频域方法测量εｓ时．样品中的慢响应极化机构的贡献表现为吸收电流；它使得εｓ没有确定值，时域参数是十分灵敏的方法，它可以检测出对εｓ的贡献只有１０－４的微量极化机构．对于同一种聚合物、慢极化响应的成份决定于材料的加工工艺和添加物．     

低温烧结PZT压电陶瓷的研究

对ＰＺＴ压电陶瓷的低温烧结进行了研究。实验发现，在ＰＺＴ陶瓷中添加少量低 熔玻璃（ｘＢ２Ｏ３－чＢｉ２Ｏ３－ｚＣｄＯ）可使烧结温度从１２５０℃降低至９６０℃。其性能参数： Ｋｐ≥０．５２～０．５６，Ｑｍ≥１０００，ε３３Ｔ／ε０＝８００～１２００， ｔｇδ≤５×１０－３．借助于扫描电镜 （ＳＥＭ）、电子探针微区分析（ＥＰＭＡ）、Ｘ光光电子能谱分析（ＸＰＳ）和体积烧缩速率的 测量，对陶瓷显微结构、烧结机理和添加剂的作用进行了讨论，所研制的低温烧结瓷料 巳用于制备独石压电陶瓷变压器，其空载交流升压比可高达 ９ ０００以上。     

高介电常数低损耗SrTiO_3介质陶瓷

报告了重量比为57.5% SrTiO_3-31.5% PbTiO_3-6.7% Bi_2O_3-3.3% TiO_2-0.1% MnO_2-0.5% MgO-0.3% Nb_2O_5-0.1%SiO_2介质陶瓷的制备工艺和介电性质,给出了介电常数ε和介质损耗tanδ随烧成温度T的变化规律,描述了ε和tanδ的温度特性和频率特性.介电测量表明,此种介质陶瓷是制造大电容量、低介质损耗高压陶瓷电容器的优良材料.     

基于等效电路模型和DPSD算法的介电性能测试算法的研究

本文提出了一种关于介电材料的相对介电常数(εr)的介质损耗(tgδ)的测量算法。通过实际电容器的并联和串联等效电路模型分别与DPSD算法相结合实现介电材料相关介电参数的测量算法。大量程序模拟实验的结果证明,不同等效模型实现的算法具有相同的结果。该算法可以用于不同频率下介电材料介电性能的测量。     

Al3＋替代对Mg－Mn微波铁氧体性能的影响

研究用Ａｌ３＋替代Ｆｅ３＋，对Ｍｇ－Ｍｎ尖晶石微波铁氧体性能的影响，结果表明，随Ａｌ３＋替代量增加，铁氧体的４πＭｓ下降，电阻率增加，介电损耗和磁损耗下降。当ｘ＝０．４时，４πＭｓ在６００～６５０ＫＡ／ｍ，介电损耗和磁损耗都较小，适合于Ｓ波段器件的使用要求。用化学共沉法制备粉料，并用普通氧化物工艺制备Ｍｇ－Ｍｎ铁氧体，研究了烧结温度和气氛对铁氧体性能的影响。当ｘ＝０．４时，可制得如下性能的铁氧体：４πＭｓ：６００－６５０ＫＡ／ｍ；Ｔｃ：２５０℃；ρ：４．５×１０８Ω·ｃｍ；ｔｇδｅ：１．１×１０－２（ｆ＝２６ＭＨＺ）；ｔｇδＭ：１×１０－２（ｆ＝９ＭＨＺ）；ε：１１．０；Ｄ：４．６８×１０３ｋｇ／ｍ３．     

同轴谐振腔及微扰法测量介质介电常数

提出了一个新的具有设计性与综合功能的微波测量实验项目，利用同轴谐振腔，接合理论对介质的ε′、ε″及tanδ、加载腔端电容C进行测量与计算，并在学校电磁场与微波技术专业进行了教学实践，取得了良好的教学效果。     

间苯二甲酰二茂铁二乙酰腙金属(Cu,Co,Ni)配位聚合物的高频介电性能

报道了用ＵＶ、ＩＲ及元素分析探讨了间苯二甲酰二茂铁二乙酰腙金属（Ｃｕ,Ｃｏ,Ｎｉ）配位聚合物的可能结构,以及在１０－１０００ＭＨｚ广泛频段下３种配位聚合物的介电常数－频率（ε′－ｆ）,介电损耗的正切－频率（ｔｕδ－ｆ）以及介电常数－温度（ε′－Ｔ）的关系。     

NaBiTi_6O_(14)电子陶瓷的制备与阻抗分析

采用传统的固相反应法制备陶瓷样品,XRD衍射分析测得样品的相组成,通过阻抗谱测试样品的阻抗Z*,利用阻抗谱LCR方法测试得出材料的介电常数εr、介电损耗tanδ与温度和频率的关系;通过计算得出NaBiTi_6O_(14)的活化能值.结果表明在950℃预烧、1100℃与1150℃烧结下,介电损耗tanδ为10-2数量级;阻抗谱测试显示的两组样品的Z*图,实部的最大值都大于104Ω,由Z*图计算所得的活化能均大于1eV.结果显示,NaBiTi_6O_(14)是一种适合于高温高频的介质材料.     

DApBM—V（Ⅴ）—Mn（Ⅱ）—Twenn—80体系光度法测定钒（Ⅴ）

在磷酸介质中，在Ｍｎ和Ｔｗｅｅｎ－８０存在下，ＤＡｐＢＭ与钒生成橙黄色化合物，产物至少可稳定３．５ｈ，最大吸收波长为４８５ｎｍ。摩尔吸光系数ε＝４．０１×１０＾５Ｌ．ｍｏｌ＾－１．ｃｍ＾－１和ε＝１．５７×１０＾４Ｌ．ｍｏｌ＾－１．ｃｍ＾－１，钒量在０．５－３．０μｇ／２５ｍｌ及３．０－１０．０μ／２５ｍｌ间符合比尔定律。     

张量分析在电动力学中的应用

本文用张量分析的方法,先定义了δ_(ij)和ε_(ijk),并严格证明了ε_(ijk)ε_(lmk)=δ_(il)δ_(jm)-δ_(im)δ_(jl),然后用它和δ_(ij)来证明电动力学中常用的(?)算符运算公式.其优点比用矢量分析的证明方法更为简易.文中介绍了运算中应注意的问题和一些运算技巧.电动力学课堂教学推广这一方法,将使学生在数学运算上不致花过多的时间,并为后继课程打下基础.     

带线法的测试范围和误差分析

介绍了在微波频率下用带线法测量复介电常数和复磁导率的测试原理。对测试范围和测试误差进行了讨论。适当地选择样品长度,复介电常数εｒ和复磁导率μｒ的测量误差可在±５％以内。测试范围与测试参数值的配合有关,该方法适合微波吸收材料和一般非低损耗材料的测量。     

二阶非线性抛物型偏微分方程初边值问题的奇摄动

本文讨论一类二阶非线性抛物型偏微分方程初边值问题的奇摄动解法，设Ｌεｕ＝δｕ／δｔ－〔εΣ↑ｎ↓ｉｊ＝１δｉｊ（ｘ，ｔ）δ＾２ｕ／δｘｉδｘｊ＋Σ↑ｎ↓ｉ＝１ｂｉ（ｘ，ｔ）δｕ／δｘｉ＋Ｃ（ｘ，ｔ，ｕ）〕＝０ ｕ（ｘ，ｔ，ε）│ｔ＝０＝ｕ（ｘ，０，ｔ）＝μ（ｘ，ε），ｘ∈Ｂ↑－ ｕ（ｘ，ｔ，ε）│ｓ＝ｈ（ｘ，ｔ，ε）│ｓ（ｘ，ｔ）∈Ｓ其中ε〉０是小参数，给出了上述问题的解的渐近展开式。利用比较定理     

绝缘测试中负损耗的研究

用西林电桥在工频下测量绝缘材料或绝缘结构的介质损耗是评价绝缘性能的最基本试验之一。如果在测试电路或试样本身内存在T形干扰网络,则tgδ测量值就可能出现负误差或甚至出现负值。但是,这一现象迄未进行详细的研究和报道。本文研究的目的是试图找出这一现象的来源,讨论了三电极材料试样产生这一现象的问题,指出某些外国文献认为工频下负损耗来源于保护线路电阻的论述以及所提出第二保护极补偿方法是不正确的。本文提出了试样本身存在负损耗T形干扰网络的可能模型,同时指出了T形干扰网络的另一形式即空间电场感应也可以产生负损耗。最后,本文提出了绝缘材料和绝缘结构如电容套管在介质损耗测试时的某些注意事项。     

单糖-NaCl的相互作用与糖的立体化学的关系

前文报道了用离子选择性电极（ＩＳＥ）测定糖－电解质－水三元系的活度系数的新方法［１］．本文运用此方法研究了一些单糖（Ｄ－葡萄糖,Ｄ－半乳糖,Ｄ－木糖,Ｄ－阿拉伯糖）与ＮａＣｌ在水中的活度系数及其相互作用的自由能参数．所得结果列于表１．表１　单糖和ＮａＣｌ在水中的相互作用参数ａ（２９８．１５Ｋ）Ｃ１／１０－２Ｃ２／１０－２Ｃ３／１０－２Ｃ４／１０－２Ｃ５／１０－２Ｃ６／１０－２δｂＲｃＧｌｕｃｏｓｅ９．０５４－７．９８５－０．７０９７３．７５５０．２８８６０．０３２３３０．００２１０．９９８Ｇａｌ…     

BaO—PbO—Bi_2O_3－Nd_2O_3－TiO_2系陶瓷的物相和电性能

研究ＢａＯ－ＰｂＯ－Ｂｉ２Ｏ３－Ｎｄ２Ｏ３－ＴｉＯ２五元系统在８００～１２００℃烧结中物相变化和电性能．ＸＲＤ测试数据：１０００℃时ＢａＴｉＯ３消失，主晶相为ＢａＴｉ４Ｏ９、Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２和Ｎｄ２Ｔｉ２Ｏ７，ＢａＮｄ２Ｔｉ５Ｏ１４开始出现，１１００℃到１１５０℃，Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２在ＸＲＤ图上消失，ＢａＴｉ４Ｏ９和Ｎｄ２Ｔｉ２Ｏ７含量逐渐减少，ＢａＮｄ２ＴｉＯ１４逐渐增加；１２００℃时，ＸＲＤ图谱全部为ＢａＮｄ２Ｔｉ５Ｏ１４，证明该系统的主晶相ＢａＮｄ２Ｔｉ５Ｏ１４是由Ｎｄ２Ｏ３、ＴｉＯ２对具有微波特性的ＢａＴｉ４Ｏ９改性而得：铅含量增加，主晶相的ａ、ｂ二晶轴缩短．调整各组分及玻璃的含量，获得ε＝９０±５、损耗ｔｇδ≤３×１０－４、绝缘电阻ρｖ≥１０１２Ωｃｍ、电容量温度系数αｃ＝０±１５×１０－６／℃、中温（１１５０℃）烧结的ＮＰＯＭＬＣ瓷料．     

用六端口反射计快速测量材料的介质特性参数

本文介绍一种用矩形波导型六端口反射计快速测量材料介质特性参数的测试系统。这套测试系统能在三十秒钟内完成一个材料样品的复介电常数的测量(包括显示和打印结果)。这个测试系统的开发应用将为新材料的研制以及对熔融中的介质材料、演变中的高温等离子体等的研究提供比较理想的测试手段。