钇钡铜氧系统单相高T_c超导体的研究

采用固相反应法制样,使用两组初始原料BaO—CUO—Y_2O_3和BaO—Cu_2O—Y_2O_3合成出超导中点转变温度93.6K,零电阻温度92·OK,转变宽度△T_c=1.2K,起始抗磁转变温度92.9K单相陶瓷超导体.讨论了不同烧结条件与物相形成关系等问题.     

Ba-Sr-Y-Cu-O体系的超导电性

1 引言在探索高温超导体的研究中,为进一步提高T_c和扩大超导体的体系,最广泛应用的是元素替代的方法,如C.W.Chu et al.和赵忠贤等把Ba—La—Cu—O中的Ba用Sr替代,分别将T_c从30K左右提高到40.2K和48.6K;M.K.Wu et al.和赵忠贤等用Y替代La,首次得到了液氮温区的超导体系Ba—Y—Cu—O;此外,人们还用多种稀土元     

Y-Ba-Cu-O系超导体的水解性研究

高转变温度T_c的Y—Ba—Cu—O系超导体是目前最引人注目的超导材料。这种超导体在液氮沸点温度以上有稳定的零电阻温度T_o。对于不同的Y、Ba和Cu组分比,只要采用相应的烧结条件,均能制备出T_c>90K的超导样品。我们在实验中发现,此种体系超导体无论组分如何,均有明显的水解特性,最终失去超导电性。水解的最终生成物由X射线衍射测定决定。另外,利用计算机对超导体完全水解的温度-时间关系进行了模拟计算。我们以组分比Y:Ba:Cu=1:2:3均匀混料,在850℃下预烧4小时(h),然后磨碎并过筛,压制成直径16mm、厚度1.5mm的圆片,在960℃下通氧烧结9小时,得到     

Y—Ba—Cu—O系的超导体

本文总结了自制的T_c=88K的Y—Ba—Cu—O超导体的情况。我们于今年暑期开始试制Y—Ba—Cu—O超导体。材料成分配比的不同,或烧结过程中恒温温度的高低和降温速度的快慢选取不同,制成的超导体样品性能有所不同。我们把自制的T_c=88K的Y—Ba—Cu—O超超体的情况作简略报道。     

Bi_(1.6)Pb_(0.4)Sr_2Ca_2Cu_3O_y超导体的DSC研究

新型高T_c氧化物超导体Bi—Sr—Ca—Cu—O系,在100K以上呈现超导性,存在高T_c(～110K)相和低T_c(～80K)相,其零电阻转变温度(T_(c0))总是低于85K.适当掺Pb可以增强高T_c相,抑制低T_c相,降低烧结温度,提高零电阻转变温度.用固相反应法制得组分为Bi_(1.6)Pb_(0.4)Sr_2Ca_2Cu_3O_y的超导体,零电阻温度为107K,稳定性较好。现以此样品作示差扫描量热(DSC)分析,并配合XRD分析,试图了解该体系的结构相变及其与超导电性的关系.     

氧化物超导材料的键价计算

Y-Ba-Cu—O和Tl(Bi)-Ba-Cu-O氧化物体系的晶体结构与其超导转化温度T_c存在密切关系。以统计法则为基础的键价计算结果表明,具有超导性的 Y系、Tl系氧化物晶体中各离子接近其正常价态,CuO-维链与CuO_2二维面中的铜离子的价态无显著差异。这和对Y-Ba-Cu-O 系进行的紧束缚带电子结构计算的结果不同,所以CuO-维链的存在与否对氧化物超导性的出现不一定必需,Tl(Bi)系不存在CuO-一链,而它的T_c甚至比Y系更高就是个很好的实例。     

Y—Ba—Cu—O系超导体的潮解特性

本文研究了Y—Ba—Cu—O系超导体的潮解特性。在湿热的条件下,Y—Ba—Cu—O系超导体会与空气中的水蒸汽发生反应,逐渐失去原有的超导电性。由扫描电镜和X射线衍射分析表明,此种体系超导体在湖解前为两相(简单正交相和体心四方相)化合物,经潮解后生成BaCO_3、CuO和Y(OH)_3等物质。     

超导体中各向异性的研究

高温超导体的各向异性体现在各个方面。晶体学上,由于具有层状结构、夹层结构、熔织结构等,呈现出各向异性。以不同方向间的有效质量比表征的各向异性因子Γ(=m_1/m_2),在不同体系间有数量级上的不同(Y系(?)20;Bi系(?)3×10~3;Ti系(?)10~4)。因此,即使在相同温度和磁场下,有的材料可以看成为各向异性的三维体系,有的已减缩为准二维体系。尤其在宏观正常态时的磁、电性质各异。文中用双体结构的物理模型对超导体的各向异性进行了研究,指出ω、1—ω分布的不同;不同的钉扎是造成高To超导体各向异性特征的主要原因。     

Y-Ba-Cu-O系高临界温度超导陶瓷组成与性能关系的研究

研究了主组成及少量外加物对Y_xBa_(1-x)CuO_3系超导陶瓷导电性与超导电性的影响.研究表明,当配料组成Y∶Ba≈1∶2时最容易制取稳定的、零电阻为88K以上的高临界温度T_c的超导材料;采用Bi、Pb、Na、Co等对阳离子进行部分替位更换,仍能获得超导特性,但对T_c值没有改进;少量外加物对YBa_2Cu_3O_(7-δ)系超导陶瓷的T_c值有明显的影响,微量钴离子的掺入可使T_c提高到110K,但掺入量较多时反使T_c降低.     

110K单相Bi系超导体的制备

采用普通固态反应法制备了名义组分为 Bi_(2.0-x)Pb_xS_(r1.9)Ca_(2.2)Cu_(3.3)O_y 超导体.对样品进行了物相分析、电阻率及磁化率测量.XRD 分析表明:富 Ca 富Cu 有利于高 T_c 相的形成,并且获得了高 T_c 单相样品。交流磁化率曲线测量表明:样品的低温区转变台阶位于85～95K 之间.且2212相的 T_c 随氧含量、组分、工艺等因素变化.     

非常规超导体的核磁共振研究新进展

核磁共振作为一种重要的谱学研究手段,在非常规超导体的机理研究中发挥了极其重要的作用.近年来随着新型非常规超导材料的发现,对应的核磁共振研究也有了许多新的进展,这些工作对非常规超导电性的机理研究起到了积极的推动作用.本文将就核磁共振技术在奇宇称超导体、铜基高温超导体和笼目结构超导体这三类超导材料中的若干最新研究进展进行一个有针对性的概述和梳理.在奇宇称超导体研究方面,将重点介绍铬基超导家族A₂Cr₃As₃中铁磁量子临界点顺磁侧的超导相图的研究和自旋三重态超导的实验证据,非中心超导体YPtBi中反铁磁自旋涨落及非常规的自旋单态和自旋三重态混合的超导态的发现.在铜氧化物超导体和笼目结构超导体研究方面,将重点介绍YBa₂Cu₃O_y中强磁场诱导的电荷密度波序出现3倍晶胞(λ=3b)公度性的微观实验证据,笼目结构超导体CsV₃Sb₅中电荷密度波序和电子关联随压力的演化.希望本文对后续超导电性的机理研究、材料探索及实际应用能起...     

有些陶瓷为什么会成为超导体

在高温超导材料研究中,有关的理论问题至今尚未解决。本文就陶瓷材料产生超导性的机理提出了一种看法,对超导理论研究当有所启迪。特译出,供参考。     

Ca掺杂的Y1-xCaxBa2Cu3O7-δ超导体实验

应用固态反应法,制备了Ca掺杂的Y1-xCaxBa2Cu3O7-δ(x=0、0.1、0.2、0.3)超导粉体及超导块体。主要研究了Ca掺杂对Y1-xCaxBa2Cu3O7-δ超导体显微结构及捕获磁通能力的影响。结果表明,掺Ca量为x=0.2的Y1-xCaxBa2Cu3O7-δ超导体,晶粒进一步长大呈棒状,晶粒尺寸在15 um左右,各晶粒间紧密结合,晶界尤为明显;其捕获磁场的峰值随外加磁场的增大而变化的幅度最小,这表明合适的摻Ca量为x=0.2。本实验对制备高临界电流密度Jc的YBa2Cu3O7-δ超导体具有重要意义。     

杂质对超导体转变温度的影响

§1.引言近年来杂质超导体的性质引起人們很大兴趣,这主要由于杂质能提高或降低轉变温度,寻找高轉变温度的超导体对于超导性的实际应用是最迫切的任务之一,因此对于杂质超导体展开了許多实驗及理論的研究工作。1958年,Matthias等人发現[1]将百分之一的鑭系稀土元素(顺磁杂质)加入超导体鑭(La)中时,大大地降低了鑭的轉变温度T_。随后在1959     

Y-Ba-Cu-O超导材料的热分析研究

本文制备了T_c=95K的Y-Ba-Cu-O超导体。用热分析方法研究了Y-Ba-Cu-O超导体固相反应的烧结温度。并就烧结温度对超导体性能的影响机制进行了探讨。     

高质量Bi系2223相超导体的合成

报道一种高质量Bi系2223相超导体块材样品合成方法。利用2223相形成机制:2212 Ca_2PbO_4 CuO—→2223晶核—→2223晶粒。首先合成2212相样品,然后用普通固态反应方法,合成2223相块材样品。交流磁化率及x射线粉未衍射实验结果显示,样品内几乎为单相2223超导体,扫描电镜(SEM)结果显示样品内晶粒有强烈织构。     

外国陶瓷专利题录

1.超导陶瓷基质的制造(日本,1994)2.粉状颗粒的表面处理(日本,1994)3.新型高温氧化超导体(美国,1994)4.介电共振腔用介电陶瓷材料(美国,1994)5.陶瓷一金属或陶瓷—陶瓷叠层的制造(日本,1994)     

超导体化学

自发现汞的超导性以来,到现在已发现了一千多种超导材料。但是具有实用价值的只是那些临界值较高的超导材料。按其组成和结构可分类为:元素超导体、合金超导材料,化合物超导材料,非晶质超导材料及有机超导材料。本文重点讨论这些材料的开发状况及其合成方法。     

YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导体在不同气氛中的高温相变

本文给出了在空气、真空和流动氮气的环境中,利用X-光跟踪监测YBa_2Cu_3O_(7-δ)高T_c超导体的X-光衍射峰的两个主要峰(130)/(101)和(031)峰的相对强度随温度的变化关系。结果表明,环境对高温相变温度及相变方式有很大的影响。并提出了“可动氧”模型。     

f波超导体/绝缘层/f波超导体结中势垒散射对直流Josephson电流的影响

通过计算界面势垒散射强度对直流Josephson电流的影响,研究了f波超导体/绝缘层/f波超导体结的直流Josephson电流与温度T和结两侧晶轴方位角之间的关系.我们发现:f波超导体/绝缘层/f波超导体结界面的势垒强度总是抑制结中准粒子的Andreev反射,降低流过f波超导体/绝缘层/f波超导体结的直流Josephson电流.当结两边晶轴方位角相同时,Josephson电流的振荡周期是2π;特别地,当结两边晶轴方位角不同时,其振荡周期不再是2π,而是会随着势垒强度的增大,振荡周期变小.