Y3+掺杂LiV3O8正极材料电化学性能研究

 利用固相合成干冷空气淬火法,合成了一系列Y³⁺掺杂的LiV_3-yY_yO₈ (y=0,0.01,0.03,0.05,0.1,0.2)正极材料.XRD结果表明,Y³⁺掺杂量不同对LiV₃O₈结构的影响不同.适量Y³⁺掺杂能保持LiV₃O₈的原有结构,增大其d₁₀₀值,同时降低材料的结晶度.当Y³⁺掺杂过多时,样品中会产生YVO₄杂相.充放电循环、循环伏安(CV)及交流阻抗(EIS)测试结果表明,Y³⁺掺杂虽然降低了材料的初始容量,但适量的Y³⁺掺杂能稳定材料的循环性能.电池存放实验表明Y³⁺掺杂还能提高电池的存放性能.在高电压下存放15d后,掺杂样的放电容量保持率为94.2%,高于未掺杂样的88.2 %.     

氟和钴共同掺杂对LiV3O8电化学性能的影响

 采用固相烧结法合成了同时掺杂氟离子和钴离子、具有单斜LiV₃O₈型结构的锂钒氧化物样品.通过充放电循环实验、循环伏安实验、XRD衍射和热分析对材料的理化性能进行了表征.实验结果表明,理论组成为Li_1.38V_2.99Co_0.0107.98F_0.02的样品的首次放电容量为233 mA·h/g,40次循环的放电容量为192 mA·h/g.在充放电过程中,同时掺氟和钴的样品的放电平台电压较高,表现出较好的循环性能.     

A12O3在一次烧结BaTiO3中的作用探讨

 探索了掺微量Al₂O₃和SiO₂的BaTiO₃的一次烧结工艺,该工艺有效降低了烧结温度.应用电子探针、光学显微镜、X射线衍射仪,TN-524能谱等设备对样品进行分析.BaTiO₃瓷体电阻随Al₂O₃掺杂量的变化关系及Al在BaTiO₃中分布情况等实验事实,表明在BaTiO₃烧结过程中Al可能是一种半导化元素,起施主的作用.通过新工艺,得到了性能较好的BaTiO₃热敏电阻.     

ZnO在Al2O3(0001)表面的吸附与成键

采用基于密度泛函的分子动力学赝势方法, 对ZnO在α-Al₂O₃(0001)表面的吸附进行了理论计算, 研究了ZnO分子在Al₂O₃表面吸附成键过程、吸附能量与成键方位、表面原子结构变化以及表面化学键特性. 结果表明ZnO在表面吸附后消除了吸附前表面Al-O层的弛豫, 化学结合能为434.3(±38.6)kJ·mol^−1. 吸附后ZnO化学键(0.185±0.01 nm)与最近邻的表面Al-O键有30°的偏转角度, Zn在表面较稳定的化学吸附位置正好偏离表面O的六角对称约30°. 通过吸附前后原子布居数、态密度以及成键电子密度的分析, 表明ZnO的O^2−与表面上的Al³⁺所形成的化学键具有强离子键特征; 而Zn²⁺同基片表面O^2−形成的化学键有明显的共价键成分, 主要来自于Zn 4s与O 2p的杂化, 以及部分Zn 3d与O 2p的杂化.     

过量Y2O3的添加对熔融织构YBCO大块性能的影响

研究了不同添加量Y₂O₃对熔融织构YBCO大块超导体的熔化生长温度、显微结构及其超导性能的影响. 结果发现, 随着Y₂O₃添加量的增加, YBCO材料的熔化生长温度降低, 而其固态反应温度并无明显变化. YBCO块材的磁悬浮力随着Y₂O₃添加量的增加, 先增加后减小而出现了一个峰值, 其最佳的添加量约为10(质量百分数)左右. 结合这组样品的初始成分及显微组织, 分析了Y₂O₃的添加对YBCO超导性能的影响, 并制备出了高质量的YBCO超导块材.     

基于层层自组装的{壳聚糖/多壁碳纳米管}9/玻碳电极电催化氧化H2 O2

 基于带正电荷的壳聚糖(CHIT)和功能化的带负电荷的多壁碳纳米管(MWNTs)之间的静电吸附,通过层层自组装的方法制备了均一、 稳定的{CHIT/MWNTs}₉多层膜。组装{CHIT/MWNTs}₉多层膜的玻碳(GC)电极用来研究H₂ O₂的电催化氧化,测定H₂ O₂的线性范围﹑响应时间和检测下限分别为：8×10^-6～1.0×10^-2 mol/L (相关性系数为0.997)﹑2 s 和4×10^-6 mol/L。另外,{CHIT/MWNTs}₉/GC电极具有较好的稳定性能。     

一种新型发红光材料SrGdGa3O7:Eu 3+及其性质研究

 采用高温固相法合成了发红光的荧光粉SrGdGa₃O₇:Eu³⁺。漫反射光谱和激发光谱中Eu^₃₊的电荷迁移带、Eu³⁺离子f→f跃迁以及Gd³⁺离子^8S_7/2→⁶I_7/2的跃迁相互吻合;监测Eu³⁺离子的特征发射,激发谱中有Gd^3+离子的激发线表明存在Gd³⁺→Eu³⁺的能量传递。发射光谱中以⁵D₀→⁷F₂ 跃迁为主,表明Eu³⁺离子所占据的晶体学格位没有对称中心的Cs格位。根据低温下的发射光谱计算了⁷F₁ 和^7F₂ 能级完全解除简并后的每个分裂能级的位置。Eu³⁺的发射发生明显的温度猝灭现象,同时发射谱线的分辨率也逐渐降低。Eu³⁺离子的⁵D₀→ ⁷F₂ 跃迁在不同温度下的荧光衰减曲线相似;随着温度的升高,荧光发射强度衰减越快,但是仍然处于毫秒数量级;⁵D₀ → ⁷F₂ 跃迁是宇称和自旋禁阻的跃迁,所以荧光衰减时间比较长。     

Fe3+,Ce3+共掺杂纳米TiO2的制备及其光催化性能

 以溶胶-凝胶法制备Fe³⁺,Ce³⁺共掺杂的纳米TiO₂光催化剂.研究了不同的三价铁、三价铈掺杂量及烧结温度对日光灯照射下TiO₂光催化降解甲基橙性能的影响.结果表明,Fe³⁺,Ce³⁺共掺杂能抑制TiO₂晶粒的生长,并使TiO₂的吸收带边明显红移约100nm;在普通日光灯下,共掺杂样品光催化效果优于单掺样品,Fe³⁺和Ce³⁺共掺杂对提高TiO₂在可见光下的催化活性具有协同效应,最佳掺杂量物质的量比为n(Fe³⁺):n(Ce³⁺):n(TiO₂)=0.005:0.015:1,最佳烧结温度为650℃.     

PS/纳米CaCO3复合材料玻璃化转变及物理老化研究

 通过差示扫描量热法（DSC）测定了PS/纳米CaCO₃复合材料的玻璃化转变温度及热物理老化样品的解缠结热焓。结果表明：纳米粒子加入有利于PS分子链段松弛运动,PS/纳米CaCO₃复合材料的Tg随纳米粒子含量增加而有不同程度的下降。复合材料物理老化后,Tg向高温方向移动,解缠结热焓值比纯PS增大并随物理老化温度的提高而增加。68 ℃或78 ℃老化样品分别在纳米CaCO₃质量分数为1%和3%时出现最大解缠结热焓值。与PS/纳米CaCO₃相比,PS/包覆纳米CaCO₃复合材料的Tg虽然变化不大,但解缠结热焓值提高。     

新型纳米无机抗菌剂TiO2和ZnO的广谱抗菌性研究

 选择了革兰氏阴性细菌、革兰氏阳性细菌、芽孢杆菌、酵母菌和霉菌的代表菌株,采用三角瓶振荡法及纸片扩散法,对2种新型纳米无机抗菌剂:纳米TiO₂和纳米ZnO进行了广谱抗菌性研究,并通过与日本的纳米无机抗菌剂及有机抗菌剂进行比较,结果表明2种新型纳米抗菌剂不仅对所有代表菌株表现出很好的广谱抗菌性能,而且其抑菌能力强于日本无机抗菌剂和有机抗菌剂;在此基础上对相关抗菌剂的抗菌机理进行了分析讨论.     

Ca_3(PO_4)_2和Ca_5(PO_4)_3(OH)的表面处理及血液相容性

根据含32 P复合新型材料应用于内辐射治疗肿瘤的设想 ,以非标P模拟32 P ,用IR、接触角测定、复钙时间测试等方法研究了Ca3(PO4) 2 和Ca5(PO4) 3(OH)粉末的表面处理的效果、泄漏情况及血液相容性 结果表明 :Ca3(PO4) 2 和Ca5(PO4) 3(OH)粉末经硅烷偶联剂KH - 570处理后 ,表面形成偶联剂膜 ,有效提高粉末的疏水性 ,并明显降低P在水中的溶出量 ;同时可以提高粉末的血液相容性 ;当KH - 570溶液的浓度为 1 5%～ 2 0 % ,且KH - 570用量是粉末的 2phr时 ,表面处理的效果较佳     

Etching mechanism of barium strontium titanate （BST） thin films in CHF_3/Ar plasma

Reactive ion etching was used to etch barium strontium titanate thin films in a CHF3/Ar plasma.BST surfaces before and after etching were analyzed by X-ray photoelectron spectroscopy to investigate the reaction ion etching mechanism,and chemical reactions had occurred between the F plasma and the Ba,Sr and Ti metal species.Fluorides of these metals were formed and remained on the surface during the etching process.Ti was almost completely removed because the TiF4 by-product is volatile.Minor quantities of Ti?F could still be detected by narrow scan X-ray photoelectron spectra,and Ti?F was thought to be present in the form of a metal-oxy-fluoride.These species were investigated from O1s spectra,and a fluoride-rich surface was formed during etching.BaF2 and SrF2 residues were difficult to remove because of their high boiling point.The etching rate was limited to 12.86 nm/min.C?F polymers were not found on the surface,indicating that the removal of BaF2 and SrF2 was important for further etching.A 1-min Ar/15 plasma physical sputtering was carried out for every 4 min of surface etching,which effectively removed remaining surface residue.Sequential chemical reaction and sputtered etching is an effective etching method for barium strontium titanate films.     

P4O10—AL（OH）3—H2O中生成物及热变化的研究

本文采用x-射线衍射和差热分析法,研究了P_4O_(10)-Al(OH)_3-H_2O混合体系中生成的磷酸铝种类和生成量与摩尔比P_2O_5/Al(OH)_3(R)、P_4O_(10)的吸水量、加热温度和加热时间的关系。得出了本体系各磷酸铝的生成最佳条件以及在各温度下的热变化情况,弄清了五氧化二磷和氢氧化铝的反应过程。     

[(n-Bu)_4N]_2(C_(20)H_(14)O_2)_2Mo_2O_7的合成与结构研究(英文)

标题化合物:C_(72)H_(100)Mo_2N_2O_(11),分子量为1361.49,三斜晶体,对称群为P1,a=1.0367(2)nm,b=1.0746(2)nm,c=1.6739(3)nm,n=103.89(3)°,p=102.86(3)°,r=92.59(3)°,V=1.7552(9)nm~2,Z=1,Dx=1.288Mgm~(-3),P(MoK_a)=4.032cm~(-1),F(000)=718,可观测的独立衍射点(I≥3e(1))有3115个,修正因子和权重修正因子分别为0.057和0.069。与配合物[(n-Bu)_4N]_2Mo_4O_(10)(OC_(10)H_6O)_2(OCH_3)_2和[(n-Bu)_3N]_2Mo_4O_(10)(OC_(14)H_3O)_2(OCH_3)_2进行比较,结果表明,外围取代基的变化可导致聚钼多酸配合中心基团聚和度的变化。     

[PуH]_4[Mo_2O_3(SO_4)(NCS)_6] 的晶体和分子结构

［ＰｙＨ］_４［Ｍｏ_２Ｏ_３（ＳＯ_４）（ＮＣＳ）_６］（Ｉ）的晶体结构采用Ｘ射线衍射法测定，属三斜晶系，空间群Ｐ１，ａ＝１１．０６０（１），ｂ＝８．５２６（２），ｃ＝１２．０５９（１）°Ａ，α＝９５．４０（２）°，β＝１１４．０８（１）°，γ＝９７．５２（２）°．Ｚ＝１，Ｄｏｂｓ＝１．６４０ｇ　ｃｍ－３，Ｄｃａｌｃ＝１．６４３ ｇ·ｃｍ－３。结果表明，配合物为单氧桥硫酸桥结构，键角Ｍｏ－Ｏｂ－Ｍｏ为１５６．４０°，呈弯曲型，桥基ＳＯ４２－作为双齿配体分别与两个Ｍｏ原子络合，处于端氧的对位，并呈现明显的对位效应。     

氧化物掺杂对Ba(Ti,Sn)O_3系列高介材料的改性

采用草酸液相共沉淀法,制得了粒径为0.08～0.14μm的BaTiO_3和BaSnO_3超细、高纯和高活性粉料。并以所制超细粉为基本原料,按Ba(Ti,Sn)O_3固溶体为基体,添加Dy_2O_3、Nb_2O_s和ZnO,利用添加物的移峰、展宽和抑制晶粒长大等效应,得到了一系列在工作温区内介电常数高ε=10370、损耗低tanδ=1.24%、抗电强度高E=2.8kV/mm、温度稳定性好、晶粒尺寸小的材料。并对瓷件的组成、结构与性能的关系作了讨论。     

Ba0.6Sr0.4TiO3/MgO/Mg2SiO4复相陶瓷的制备与介电可调性能

采用标准电子陶瓷工艺,制备了Ba0.6Sr0.4TiO3/MgO/Mg2SiO4复相陶瓷(MgO和Mg2SiO4按相同重量加入),研究了MgO和Mg2SiO4含量对复相陶瓷微观结构、介电性能及介电可调性的影响.结果表明,随着MgO和Mg2SiO4含量的增加,陶瓷的晶粒尺寸略有增大,低频(100 kHz)介电常数、介电损耗、介电可调度和介电常数温度系数降低.随着偏置电场的增强,介电常数降低,介电损耗变化不大(均在10-3量级).当MgO和Mg2SiO4的百分含量均为30%时,获得了室温介电常数为101.6、介电损耗为0.0017及1.79 kV/mm偏置电场下介电可调度为12.19%、介电常数温度系数为0.009℃-1的介电性能.     

斯蒂酚酸铵的制备和晶体结构

目的　用单晶衍射分析方法测定斯蒂酚酸铵单晶结构; 方法　使斯蒂酚酸与２０％ 的氨水反应,生成斯蒂酚酸铵,并采用蒸发法制备单晶; 结果与结论　斯蒂酚酸铵晶体属单斜晶系,空间群为Ｐ２１／ｎ,晶体学数据为ａ＝ ０．８６１ ６（１）ｎｍ ,ｂ＝ １．７９０ １（３）ｎｍ ,ｃ＝１．４１５ ７ ｎｍ ,β＝ １０２．９５（１）°,Ｖ＝ ２．１２８ ０（５）ｎｍ ３,Ｚ＝ ８,Ｄｃ＝ １．７４３ ｍ ｇ·ｍ － ３,μ＝ １６３ ｍ － １,Ｆ（０００）＝ １ １５２;