GaAS-Ga_(1-x)AI_xAs双异质结激光器的热阻及串联电阻的测量

测量GaAs—GaA1As双异质结激光器阈值电流随温度的变化,表明在室温附近符合指数规律。通过这一测量,可以得到激光器热阻和串联电阻数值。介绍光谱温度效应测量方法,通过激光器光谱峰位的移动,也可以推祘器件的热阻与串联电阻。     

量子霍尔电阻作为电阻自然基准的研究

本文介绍了量子霍尔效应（ＱＨＥ）作为电阻自然基准的前景．并研制了一种量子霍尔电阻（ＱＨＲ）的测量系统，在４．２Ｋ的温度下对ＱＨＲ进行了精密测量，测试了多个ＧａＡｓ－ＡｌＧａＡｓ异质结的ＱＨＲ，其量值为２５８１２．８４６Ω，测量不确定度约为１×１０－６。     

离子注入方法制备半导体一维量子线

使用质子Ｈ￣＋和聚焦Ｇａ￣＋离子束方法，在ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱材料上制备半导体一维量子线。通过低温阴极射线发光谱和光致发光谱，测量了由于Ａｌ从ＡｌＧａＡｓ势垒向ＧａＡｓ量子阱内扩散导致的发光谱峰的兰移，并讨论上述两种离子注入方法各具有的特点及不同的结果。     

在p型GaAs材料上用快速退火形成Au／Zn／Au欧姆接触

在Ｍｇ注入形成的Ｐ型ＧａＡｓ材料上，用预热和快速两步退火方式形成ｐ型欧姆接触。用传输线方法（ＴＬＭ）测量比接触电阻，得到最佳值３．７３×１０＾－５Ω．ｃｍ＾２，用在ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ器件上，性能良好。     

GaAS-Ga_(1-x)Al_xAS双异质结激光器欧姆接触的研究

我们用正交表研究ＧａＡｓ的欧姆接触工艺．实验结果表明， ｐ－ＧａＡｓ用 Ａｕ—Ｃｒ 金、ｎ－ＧａＡｓ用 Ａｇ—Ｓｎ合金的欧姆接触工艺．比接触电阻率 Ｒｃ＜１０－４（欧姆）（厘 米）３应用于 ＧａＡｓ—Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ双异质结激光器．得到良好的效果。     

温度对1.3μmInGaAsP半导体激光器增益特性的影响

使用计算机控制的测量系统，测量了１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器的自发发射光谱，计算了增益谱，同时研究了最大增益与环境温度的依赖关系。利用实验结果对Ｌａｓｈｅｒ和Ｓｔｅｒｎ的简化分析模型作了拟合处理，得到发射复合系数与温度的依赖关系。     

1.3μmInGaAsP半导体激光器晶格温升的研究

测量了１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ半导体激光器自发发射光谱。利用脉冲工作条件下自发发射谱线的微小漂移，对激光器激光活区中晶格温升进行了测量分析，得到了晶格温升与热平衡时间的关系曲线。     

GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs双异质结激光器的液相外延

介绍我们采用的多次液相外延实验装置，讨论影响薄层液相外延生长的因素。采用 “正交设计”的数学方法安排外延试验，找到多层连续均匀生长的条件．使ＧａＡｓ－ Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ双异质结激光器阈值电流密度达到 １０００—２０００安培／平方厘米。     

应变超晶格(InxGa1-xAs)n/(GaAs)n(001)的电子结构和光学性质

用半经验的紧束缚方法ｓｐ３ｓ＊计算了薄层应变超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）ｎ／（ＧａＡｓ）ｎ（００１）的电子结构．给出了组份Ｘ为０．５３的超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）ｎ／（ＧａＡｓ）ｎ的带隙值随层厚ｎ的变化关系,以及超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）１２／（ＧａＡｓ）１２的带隙值随组份Ｘ的变化关系．在得到超晶格能量本征值和本征函数的基础上,计算了该超晶格系统的光学介电函数虚部,并与体材料ＧａＡｓ和体合金ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ的光学性质作了比较．计算结果表明,应变超晶格在较宽的能量范围有较好的光谱响应．     

InGaAs／GaAs应变单量子阱的表面光伏谱

采用表面光伏谱方法,测量了应变ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ单量子阱在不同温度下光伏效应．结合理论计算对样品表面光伏谱的谱峰进行了指认,分析了量子阱内子能级间的跃迁能量、强度及跃迁峰半宽随温度的变化关系     

GaAs／Al_xGa_（1－x）As异质界面极化子的温度效应

ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ异质界面极化子的温度效应李春圃，班士良（内蒙古大学物理学系，０１００２１，呼和浩特）ＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅＥｆｆｅｃｔｏｆＰｏｌａｒｏｎｓｏｎａＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）ＡｓＨｅｔｅｒｏｉｎｔｅｒｆａｃｅ￥Ｌ...     

高性能InP／InP,InGaAs／InP体材料LP—MOCVD生长

给出利用低压金属有机化合物化学汽相沉积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）生长技术在ＩｎＰ衬底上生长ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓ的条件，研究了ＩｎＰ／ＩｎＰ的生长特性、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ的组份控制、生长特性及生长温度对ＩｎＧａＡｓ特性的影响．发现ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ最佳生长温度为６４０℃，得到ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ１６Ｋ光荧光（ＰＬ）谱全高半峰宽为３２．０ｎｍ，ＩｎＰ／ＩｎＰ室温霍尔迁移率为４３６０ｃｍ２／Ｖｓ，背景掺杂浓度为５×１０１４ｃｍ－３，Ｘ光双晶衍射全高半峰宽为２１＂．     

穿通型光电晶体管的直流特性测试

在ｎＷ－μＷ光功率下测试高增益穿通型ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ光电晶体管的直流参数，光电灵敏度、光电增益和电流增益。以峰值波长为８３０ｎｍ的ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ体激光器作光源，经光纤耦合与衰减，得到可变的光功率。测试结果表明，在３－１４Ｖ工作电压下，１μＷ入射光功率时光增益７１１３，４０－５０ｎＷ光功率时光电增为３６９３，高于国内外报道的光电探测器的同类指标。     

CH3CSNH2／NH4OH钝化GaAs（100）表面的XPS表征

一种新的含硫化合物ＣＨ３ＣＳＮＨ２／ＮＨ４ＯＨ溶液被用来钝化ＧａＡｓ（１００）表面．应用Ｘ射线光电子谱（ＸＰＳ）表征了该钝化液处理的ＧａＡｓ（１００）表面的成键特性和电子态．结果表明，经过处理的ＧａＡｓ（１００）表面，能有效地消除Ｇａ和Ａｓ的氧化物，并且Ｓ既与Ａｓ成键也与Ｇａ成键，形成了Ｓ与ＧａＡｓ的新界面，这标志着ＣＨ３ＣＳＮＨ２／ＮＨ４ＯＨ溶液对ＧａＡｓ（１００）表面具有明显的钝化作用．钝化表面退火处理后，Ａｓ的硫化物不稳定，进一步与ＧａＡｓ衬底反应，生成稳定的ＧａＳ钝化层，此种钝化液可直接应用于半导体器件钝化工艺对ＧａＡｓ表面处理     

n—Ga1—xAlxAs的电子喇曼散射,束缚声子和DX中心

观测到ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ的束缚声子和电子喇曼散射．对ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ进行喇曼散射实验，揭示了在低温光照条件和组分超过某临界值的合金半导体存在着有效质量型的浅施主能级，引起束缚声子和电子喇曼散射．在较高温度，此能级电子减少到由ＤＸ中心表征的施主深能级．实验结果证实了Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ的ｎ型杂质具有深－浅双稳特性．根据晶格动力论，浅释了Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ中施主的电荷态．     

半绝缘GaAs中的双极扩散长度

分析了半绝缘（ Ｓ Ｉ） Ｇａ Ａｓ 表面光伏的特点和公式．用表面光伏方法测量了不同砷压热处理 Ｓ Ｉ Ｇａ Ａｓ 单晶的双极扩散长度,用 １．１ μｍ 红外吸收法测量 Ｅ Ｌ２ 浓度,并对测量结果作了分析和讨论．指出双极扩散长度 Ｌａ 是反映 Ｓ Ｉ Ｇａ Ａｓ 质量的一个重要电学参数．     

应用LP—MOCVD方法研制InGaAs／InP应变量子阱LD

利用低压－金属有机化合物蒸汽沉积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）的方法研究在生长过程中温度和时间对ＰＮ结结位的影响,并用它来控制ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ量子阱激光器的ｐ－ｎ结结位．探讨在ＩｎＰ材料中使用ＤＥＺｎ和Ｈ２Ｓ做掺杂源时,Ｐ型和Ｎ型的杂质浓度和ＰＮ结控制的条件,得出在０．５％压缩条件下有源区阱层ＩｎＧａＡｓ和ＩｎＰ的应变量子阱激光器（ＬＤ）．当激光器实现室温脉冲激射时,可获得峰值功率＞１０６ｍＷ、阈值电流密度为２．６ｋＡ／ｃｍ２的应变量子阱激光器     

MOCVD制备GaAs／AlGaAs多量子阱的光致发光特性

对ＭＯＣＶＤ生长的ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ多量子阱结构进行了光致发光特性的测量。结果观察到三个发光峰；位于１．６６４ｅＶ处的峰是自由激子发光；峰值处于１．４８ｌｅＶ的发光是ＧａＡｓ中施主Ｓｉ（Ｇａ）原子上的电子向受主Ｓｉ（Ａｓ）跃迁引起的；而在１．５２９ｅＶ处的弱发光峰是ＧａＡｓ阱层中Ｓｉ（Ｇａ）原子上的电子与价带量子阱中基态重空穴复合形成的。     

存在集中分布界面态的异质结的C—V特性研究

提出用高频Ｃ－Ｖ法测量半导体异质结中集中分布的界面态的能位位置的方法，并分析了测试温度以及由异质结的能带偏移所引起的载流子积累对测试结果的影响，有这一方法对ＧａＳ／ＧａＡｓ和ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ两种异质结进行了测试，发现在这两种异质界面上均存在集中分布的界面态，其能级位置分别为Ｅｃ－０．４１ｅＶ，Ｅｃ－０．５１ｅＶ。     

四元（ALxGa1—x）0／51In0／49P（x=0／29）合金的PLE及极？…

对与ＧａＡｓ晶格匹配的四元合金（ＡｌｘＧａ１－ｘ）０．５１Ｉｎ０．４９Ｐ（ｘ＝０．２９）作了ＰＬＥ及极化ＰＬ谱的测量。进一步探讨有序结构ＡｌＧａＩｎＰ中在５５～８４Ｋ出现的峰值蓝移的温度反常现象的来源。ＰＬＥ谱的测量表明子能带的存在,其能级的差异正好处在高温区激活能内,是引起温度反常现象的原因。通过从１７Ｋ到１１２Ｋ的极化ＰＬ谱测量并未发现价带中г４和г５．６子带的分裂。推测在ＡｌＧａＩｎＰ中,由