单电子晶体管低频散粒噪声的数值解

在文「１」的基础上，讨论了单电子晶体管在两态情况下，的散粒噪声的行为和噪声谱与各个 电路因子的关系，从而给出了优化单电子晶体管操作环境的一些重要结论：信噪比可以通过调节电路参数而得到抑制，通过调节门电压可以起到降低温度扰动的作用。     

硅单电子晶体管制备及特性

采用电子束光刻技术和反应离子刻蚀等工艺，在P型SIMOX硅片上成功地制备了一种单电子晶体管。提供了一种制备量子线和量子点的工艺方法，在器件的电流，电压特性上可观测到明显的库仑阻塞效应和单子隧穿效应，该器件的工作温度可达到77K。     

Rashba自旋轨道耦合效应对散粒噪声的影响

计算了自旋电子隧穿铁磁/半导体/铁磁异质结的隧穿系数.根据Landauer-Büttier公式及其理论框架,计算了零温时的散粒噪声和电导,对散粒噪声和电导的函数曲线进行了对比分析,讨论了它们和Rashba自旋轨道耦合效应及量子尺寸效应的关系.     

一种单电子晶体管的模拟新方法

基于主方程法,把单电子晶体管的稳定状态数简化为3个状态,得到了一个简捷模拟新方法,通过仿真与分析,这种新模拟方法模拟单电子晶体管I-V特性,具有合理的精确度,可用来分析SET—CMOS混合电路,这对数字逻辑电路的构造分析具有十分重要的意义。     

基于周期特性的双岛单电子晶体管主方程模拟及改进

以双岛单电子晶体管（SET）为研究对象,采用稳态图和蒙特卡洛法分析双岛SET的周期特性,选取其中的7个典型状态,提出了双岛SET的简化主方程模拟方法,并利用分析所得SET的周期特性而改善简化主方程模拟方法的局限性.结果表明,所提出的模拟方法能够有效模拟双岛SET的电流和电压特性,并能扩展到多岛单电子晶体管.     

基于压控单元的单电子晶体管宏模型

在对纳米遂穿结(SETJ)及单电子晶体管(SET)的特性进行分析的基础上,笔者采用等效电路的方法,提出了基于压控单元的SET宏模型,仿真得到单电子晶体管的特性曲线.通过器件仿真的输出特性曲线与理想特性曲线的对比,得出曲线的走势与理想曲线基本一致,偏差不大.并且通过计算表明,数值的精度在合理范围内,验证了模型的合理性.     

非对称性隧穿电容单电子器件模型与模拟

在基于单电子晶体管的半经典理论和主方程模型的基础上,提出了一种采用非对称隧穿电容设计的单电子晶体管,并用计算机模拟了对称结构的单电子晶体管和非对称隧穿电容(电阻)结构单电子晶体管的特性.模拟结果表明,用主方程法模拟非对称隧穿电容(电阻)结构设计的晶体管,其伏安特性曲线除仍保留对称结构具有的周期性以外,还具有正弦态、电阻态、方波态、截止态四种形态.其性能也有差异.     

一种单电子晶体管的Spice模型

基于单电子晶体管数学分析模型，提出了它的Spice模型。该模型由一个电压控制电流源、一个电压控制电压源和一个电压源构成。与半分析模型相比较，该模型准确地表现了单电子晶体管的I-V特性。利用该模型，分析了单电子反相器和改进了二叉判别图基本单元。     

双量子点系统单态三重态传输诱导的散粒噪声

基于有效粒子数分辨的量子主方程和全计数统计,研究了耦合双量子点系统电子输运性质,讨论了源极和漏极的极化程度、电子在量子点中的自旋交换作用对平均电流、散粒噪声的影响,给出了平均电流和散粒噪声在不同的交换耦合下随电极极化率的变化特征,分析了自旋单态和三重态在电子输运过程中对平均电流和散粒噪声的贡献,并借助于自旋阻塞引起的聚束效应解释了超泊松散粒噪声的形成。     

纳米器件中双势垒结构的散粒噪声分析及抑制

分析了纳米电子器件中散粒噪声的散射理论,通过对电导问题和散射问题相似性的讨论,得到一种基于双势垒结构纳米器件的散粒噪声抑制的方法。     

正常金属—d波超导结中的粗糙界面散射和准粒子有限寿命效应对散粒噪声的影响

考虑到粗糙界面散射和准粒子的有限寿命效应，利用散射理论，计算正常金属-d波超导结中的散粒噪声，研究表明，粗糙界面散射和准粒子的有限寿命效应都可导致平均电流与散粒噪声功率降低，而噪声功率与平均电流的比值都增加。     

集成放大器噪声分析

分析了通用型集成运放的噪声性能，得出了它的噪声系数，指出了低噪声集成运放的设计原则和应用方法。     

家用果汁机声振分析

采用分部运转法、动平衡实验、功率谱分析和相干分析四种方法,比较准确的识别了家用果汁机的振源和噪声源,搞清了声振关系,为对家用果汁机减振降噪研究提供了可靠的依据     

某金矿含金层松动爆破的设计与实践

某金矿含金层结构紧密,富含巨砾,采用中深孔梯段松动爆破对其进行处理,以期达到提高小时挖方量和年产金量,所确定的设计方案,经初步应用证明是可行的,可供南方类似砂金矿山参考     

气流管道有源消声器声学性能分析

结合噪声源和管道末端的阻抗特性，以及管道中的声传播特性，使用电声类比和传递矩阵技术，建立了气流管道有源消声器声学性能分析的理论模型。文中对管道有源消声器的传递损失和插入损失进行了计算，结果表明，有源消声器的实际消声性能与管内气流马赫数、检测传声器相对于次级声源的位置、控制系统的频响，以及噪声源和管道末端的阻抗特性密切相关。     

在色噪声系统中决定性方程鞍点附近的几率密度极小值

利用二维Fokker—Plack方程分析了色噪声系统,研究了在决定性方程的鞍点附近的几率密度的局域分布,并且发现:当色噪声有足够长的相关时间,而噪声强度处于不太强又不太弱的中间区域时,在鞍点的几率密度分布会出现极小值。     

交换耦合双能级量子点的全计数统计

基于粒子数分辨的量子主方程,研究了自旋交换耦合双能级量子点中的电子全计数统计,给出了平均电流、散粒噪声和偏斜度.库仑排斥和交换作用导致了平均电流中的小平台;散粒噪声和铁磁电极的极化率以及量子点与电极的不对称耦合密切相关.极化率和量子点电极不对称耦合越大,超泊松散粒噪声越容易出现.当两个自旋单态通道能级参与输运时散粒噪声会大大降低,而当两个自旋三重态通道能级同时参与输运时散粒噪声则会明显增大.     

负反馈放大器的噪声分析

提出了采用方框图法分析负反馈放大电路的噪声,得出了负反馈不影响基本放大电路噪声性能的结论,简化了分析的步骤和复杂的计算。举例给出了方框图法分析的具体步骤。讨论了负载电阻噪声对负反馈放大电路噪声性能的影响。