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应用量子理论计算了Nd:YIG中Nd3 离子基态旋轨耦合对离子磁矩、磁光效应以及磁光系数的影响. 计算结果表明, 这种影响很大, 而且磁矩、磁光效应以及磁光系数与相对旋轨耦合系数α的关系是非线性的. 相似文献
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应用量子理论分析了含钕石榴石中Nd^3 离子的磁光效应;计算了50~300K温度范围内离子的Faraday偏转及300K时Faraday偏转与光子能量的函数关系.计算结果表明,Nd:YIG中Nd^3 离子的磁光效应主要源于离子内4f^3→4f^25d的电偶极跃迁;离子能级由于旋轨耦合、晶场作用及超交换作用而劈裂;实验观察到的Faraday偏转为顺磁性的.计算结果与实验符合良好. 相似文献
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采用同时考虑中心d^3离子和配体旋轨耦合作用贡献的双旋轨耦合参量模型,通过计算EPR参量D和g因子,估算出AgBr:V^2+晶体中的V^+-VM四角中心的局域结构参量ΔR,并与只考虑中心d^3离子旋轨耦合作用的传统单旋轨耦合参量模型的结果作了比较。研究表明,当配体含有大的旋轨耦合系数时,其以EPR参量的贡献不能忽略。 相似文献
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Nd:YIG中Nd3+基态多重态耦合对磁矩及磁光效应的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
应用量子理论计算了Nd:YIG中Nd^3 离子基态多重态耦合对磁矩与磁光效应的影响。计算结果显示,当较高能级的多重态被考虑进来后,离子基态的能级分布与状态波函数要发生改变,从而对离子磁矩与Faraday偏转产生影响;多重态耦合对磁矩的影响不大,但对Faraday偏转的影响较大,计算过程中不可忽略。. 相似文献
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周一阳 《四川师范大学学报(自然科学版)》2001,24(2):160-165
用分子轨道近似推导了3d过渡金属离子在四面体晶体中轨道角动量和旋-轨耦合矩阵,同时得到了这些矩阵元与3d离子在纯晶体场近似下的矩阵之间的关系。通过以上矩阵元和关系可以很容易地计算3d离子在四面体晶体中的旋-轨、自旋-自旋和塞曼作用矩阵。这些旋-轨、自旋、自旋和塞曼作用矩阵对研究3d离子在四面体共价晶体中(尤其是半导体中)的超精细光谱、塞曼和交换分裂、电子顺磁共振参数、磁化强度、磁比热、磁化率等都是有用的。另外,还讨论了八面体和四面体对称下的配体轨道,以及3d离子和配体间的重迭积分。 相似文献
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本文在弱场图象中利用不可约张量算符法,在考虑旋-轨耦合作用后,计算出 d~5离子在 C_(?)对称晶场中的哈密顿矩阵. 相似文献
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周一阳 《四川师范大学学报(自然科学版)》2001,24(1):51-57
用分子轨道近似推导了3d过渡金属离子在八面体晶体中轨道角动量和旋-轨耦合矩阵,同时得到了这些矩阵元与3d离子在纯晶体场近似下的矩阵之间的关系。通过以上矩阵元和关系可以很容易地计算3d离子在八面体晶体中的旋-轨、自旋-自旋和塞曼作用矩阵。 相似文献
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基于单离子模型,通过对Nd3+磁晶各向异性哈密顿数值的求解,研究了温度趋于0 K时,Nd3+离子稳定能与晶场参数及磁交换作用的关系.结果表明,对于强磁物质(如NdCo5,Nd2Co17,Nd2Fe14B等),Nd3+贡献的稳定能与晶场参数B20近似成正比,而对磁交换作用的变化不敏感. 相似文献
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用四探针法,纵向表面磁光效应,极克尔磁光谱仪和椭圆偏胱谱仪研究了离子束溅射法制备的「Co90Al10(1.6nm)/Cu」30多层膜中的层间耦合,磁光效应及光学性质。结果发现对于Co-Al/Cu多层膜,其面内饱和场HS,矫顽力HC,磁电阻ΔR/R,特别是等效介电函数δ,磁光极克尔角θK分别随Cu层厚度的变化同步作周期性的振荡,其 0.9mm。 相似文献
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简要讨论了磁光存储的原理,论述了磁光存储介质的共性及其实用化所必须具备的性能,对磁光存储技术的发展作了展望. 相似文献
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介绍了在磁光盘上进行热磁写入信息的原理、磁光克尔效应以及通过该效应读出信息的原理.对近期开发的磁光盘介质材料的性能进行了评论.重点介绍了磁光克尔转角的测量方法,分析了影响材料磁光克尔转角大小的因素. 相似文献
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磁小体是磁靶向给药领域的研究热点,为了精准示踪生物体内的磁小体来指导靶向,基于磁小体和量子点构建一种新型磁光载体.利用静置培养和磁吸附的方法收集富含磁小体的趋磁细菌AMB-1,并通过超声破碎及磁吸附方法提取长度为5~10个的磁小体链,运用点击化学反应将含有羧基的CdTe/CdS量子点修饰到磁小体膜上,并利用人肝癌细胞HepG2初步开展光示踪有效性的验证.结果发现该载体可以成功地被细胞摄取,并在细胞内观测到磁小体的分布.笔者成功地研制出磁光载体,为后续的磁靶向给药、磁靶向热疗及荧光一体化的研究及应用提供了坚实的基础. 相似文献
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利用推广的带矢量场的手征SUM夸克模型,计算了核子最低负宇称激发态JP=1/2-,3/2-的能量,分析了各种自旋-轨道耦合势对能量劈裂的影响.结果表明,利用矢量介子场耦合可以改进计算结果,但是能级的次序和实验还是相反的.在此基础上进一步考虑其他的自旋-轨道耦合势,可以给出该激发态正确的能级次序. 相似文献
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采用相干量子输运理论和传递矩阵方法,研究了具有不同自旋指向的极化电子渡越铁磁/半导体/铁磁异质结构的隧穿几率和自旋极化率.研究表明,隧穿几率和自旋极化率随半导体长度的改变发生周期性变化、随Rashba自旋轨道耦合强度的改变发生准周期变化,并且在2铁磁电极中磁矩取向平行时;选择适当的半导体的长度和Rashba自旋轨道耦合强度可以得到较大的自旋极化率. 相似文献