CdO-Fe_2O_3复合氧化物半导体气敏材料的制备和性能

采用化学共沉淀法，制备了系列ＣｄＯ－Ｆｅ２Ｏ３复合氧化物气敏半导体材料，研究了制备条件对电导和气敏性能的影响．结果表明：组分氧化物之间在２５０℃开始发生反应；Ｃｄ／Ｆｅ＝１／２共沉淀粉料在６００℃时形成单一尖晶石ＣｄＦｅ２Ｏ４相；电导率和气敏性能随材料体系的化学组成及烧成温度不同而变化；Ｃｄ／Ｆｅ为１／２产物对乙醇有最高灵敏度和很好的选择性；优化制备工艺制得的气敏元件，对低浓度乙醇气体（１００ｐｐｍ）灵敏度高达２０多倍，相当于１０００ｐｐｍ汽油灵敏度的５倍左右，具有应用开发前景．     

CdO—Fe2O复合氧物半导体气敏材料的制备和性能

采用化学共沉淀法，制备了系列ＣｄＯ－Ｆｅ２Ｏ复合氧化物气敏半导体材料，研究了制备条件对电导和气敏性能的影响。     

亲型乙醇气敏半导体材料CdFe2O4

采用化学共沉淀和固相反应相结合的方法制备出单相ＣｄＦｅ２Ｏ４，实验表明，ＣｄＦｅ２Ｏ４作为一种尖晶石型结构的复合氧化物，是电子导电型半导体，具有良好的酒敏性能。具有较好的化学稳定性和气敏稳定性。     

新型乙醇气敏半导体材料CdFe_2O_4

采用化学共沉淀和固相反应相结合的方法制备出单相ＣｄＦｅ２Ｏ４，实验表明，ＣｄＦｅ２Ｏ４作为一种尖晶石型结构的复合氧化物，是电子导电型半导体，具有良好的酒敏性能．且有较好的化学稳定性和气敏稳定性     

MSnO3系气敏材料的研究：Ⅰ CdSnO3气敏材料的制备及？…

报道了ＣｄＳｎＯ３气敏陶瓷的制备及气敏特性。研究表明，微细ＣｄＳｎＯ３是制作乙醇和丙酮气敏元件的良好材料。     

MSnO_3系气敏材料研究(Ⅰ)CdSnO_3气敏材料的制备及特性研究①

报道了ＣｄＳｎＯ＿３气敏陶瓷的制备及气敏特性，研究表明，微细ＣｄＳｎＯ＿３是制作乙醇和丙酮气敏元件的良好材料。     

掺杂对CdSnO3结构和气敏性能的影响

采用硝酸盐溶液浸泡方法在ＣｄＳｎＯ３粉料中，分别掺入Ｌａ、Ｐｂ、Ｎｉ及Ｃａ四种元素的氧化物．实验结果表明，掺杂改变了材料的主晶相、微结构及物相组成，从而导致材料的电导、气敏特性与纯相的ＣｄＳｎＯ３有很大区别，其中掺Ｎｉ２Ｏ３、ＰｂＯ提高粉料对乙醇的选择性，有可能开发成酒敏传感器．     

CO气体敏感元件的研究①

介绍了作者当前ＣＯ敏元件的研究进展，采用ＳｎＯ＿２材料和ｙ－Ｆｅ＿２Ｏ＿３材料研制的旁热式ＣＯ气敏元件的基本特性，以及用ＳｎＯ＿２Ｆｅ＿２Ｏ＿３材料制作的常温电阻型和振荡型气敏元件的特点。     

SnO2薄膜元件的制备及其气敏特性研究

采用溶胶一凝胶法,以氯化锡（ＳｎＣｌ２。）和无水乙醇为反应起始物,经过加热回流、热处理等工艺．制备出了掺硅和锑的氧化锡（ＳｎＯ２）气敏薄膜,并制成了气敏元件．元件性能测试表明．材料对Ｈ２具有较高的灵敏度和选择性、较好的响应一恢复特性和稳定性．     

SnO2：Sb薄膜型材料的气敏性研究

研究了用轴流式等离子体化学气相沉积制备的ＳｎＯ２：Ｓｂ掺杂薄膜的气敏效应。该薄膜对ＮＯ２气体有较好的气敏性，在常温下响应时间快，在１７０℃恢复时间可小于１５ｓ。灵敏度达６左右。还测定了ＳｎＯ２：Ｓｂ薄膜对ＣＯ，Ｈ２，酒精气体以及右油液化气的气敏效应，并对以上结果进行了分析。     

In~(3+)掺杂SnO_2纳米粉体的制备及气敏性能研究

以自制的SnO2和In2O3为原料,通过固相研磨法制得了一系列掺有In3+的SnO2纳米粉体,利用X射线衍射仪、透射电镜等测试手段对材料的结构、形貌进行了测量和表征.将该材料制成气敏元件,采用静态配气法测试了材料的对Cl2,NO2,H2,H2S,乙醇,甲醛等气体的气敏性能.探讨了掺杂量、工作电压对SnO2粉体材料气敏性能的影响.研究发现:其中当掺杂In2O3的质量分数为3%时,元件在加热电压为3.5 V下对体积分数为30×10-6的Cl2的灵敏度达到3036,而对其他气体几乎没有响应或者响应很小,元件具有较好的响应-恢复特性,响应时间和恢复时间分别是3 s和8 s,最后简要讨论了SnO2对的Cl2气敏机理.     

添加剂对SnO2气敏特性的影响

氧化锡气敏材料的电导率以及对气体的选择性由氧空位的形成和氧化过程共同完成,氧空位浓度越大,气敏效应越明显。根据氧化锡的这一气敏机理,本文研究了添加剂Ｓｂ２Ｏ３和Ｐｄｃｌ２对氧化锡气敏材料电导率及选择性的影响,分析了其对氧化锡气敏特性的作用机理。     

基于可控Cd掺杂In2O3纳米线的电学特性研究

文章利用化学气相沉积法合成了不同摩尔比的Cd掺杂的In2O3纳米线,制备了基于单根In2O3纳米线的底栅场效应晶体管,并研究了其电输运特性。结果表明,相对未掺杂的In2O3纳米线,In2O3∶Cd纳米线的电导率有1～2个数量级变化,载流子迁移率高达58.1cm2/(V.s),载流子浓度高达3.7×1018 cm-3。可控Cd掺杂In2O3纳米线将在纳米光电子器件方面有着广泛的应用前景。     

Nb_2O_5-TiO_2复合氧化物结构与光催化性能研究

采用共沉淀法制备Nb2O5-TiO2复合氧化物,通过XRD、LRS和UV-vis DRS等方法考察Nb/Ti原子比和焙烧温度对Nb2O5-TiO2复合氧化物结构的影响,以水体中苯酚的降解为探针反应考察复合氧化物的光催化活性.结果表明,Nb2O5-TiO2复合氧化物结构与Nb/Ti原子比和制备温度有关.随着Nb5+进入TiO2晶格,在可见光区域形成一新的吸收带,该吸收带强度随Nb/Ti原子比和焙烧温度变化,当焙烧温度高于973 K时,可见光区域吸收带消失.低Nb/Ti原子比下,Nb5+对TiO2由锐钛矿相向金红石相转变具有抑制作用,而高的Nb/Ti原子比下Ti4+对Nb2O5晶相结构具有导向作用.复合物对水体中苯酚的光催化降解活性随着Nb/Ti原子比增加而降低.     

Al_2O_3掺杂对ZnO纳米粉体气敏性能的影响

采用溶胶-凝胶法制备了ZnO及掺铝ZnO纳米粉体.利用X射线粉末衍射仪、透射电镜对材料的结构进行了表征.结果表明制备的ZnO及掺铝ZnO纳米材料均属于六方晶系,纤锌矿结构.用纯ZnO和掺铝ZnO做成气敏元件,研究了不同掺杂量对材料的气敏性能的影响.结果表明,铝掺杂均使ZnO对体积分数30×10-6的Cl2的灵敏度有很大的提高,当铝含量为Al2O3/ZnO=0.5%(mol)时,对30×10-6Cl2的灵敏度最高可达800左右.并讨论了纳米氧化物的气敏机理.     

Electronic properties and stabilities of methoxy-substituted Lindqvist polyoxometalates [Nb2W4019CH3]3- by DFT

The electronic properties and stabilities of five [Nb2W4O18OCH3]3-isomers have been investigated using a density functional theory method.The results show that the isomer with the methoxy group occupying a bridging position between two tungsten atoms(two tungsten atoms in the plane that contains two niobium atoms) in the [Nb2W4O18OCH3]3-framework is the most stable isomer in acetonitrile.The stability of the one-electron-reduced isomers changes little.The most stable one-electron-reduced isomer has the methoxy group occupying a bridging position between niobium atoms in the [Nb2W4O18OCH3]4-framework.The M-Ob(M = Nb,W;b denotes bridging) bond lengths in anions in which the metal atoms are connected by a methoxy group are longer than those in [Nb2W4O19]4-.The highest occupied molecular orbitals(HOMO) in [Nb2W4O19]4-mainly delocalize over the bridging oxygen atoms of two niobium atoms and two tungsten atoms located in the equatorial plane,and the bridging oxygen atoms on the axial surface.The lowest unoccupied molecular orbitals(LUMO) of [Nb2W4O19]4-are mainly concentrated on the tungsten atoms and antibonding oxygen atoms.Methoxy substitution modifies the electronic properties of the [Nb2W4O18OCH3]3-isomers.The HOMOs in the five isomers formally delocalize over the bridging oxygen atoms,which are distant from the surface containing the methoxy group and four metal atoms.The LUMOs delocalize over the d-shells of the four metal atoms that are close to the methoxy group,and the p-orbitals of oxygen.One-electron reduction occurred at the tungsten atoms,not the niobium atoms.     

Nb2O5掺杂及TiO2压敏陶瓷埋烧工艺的研究

通过微结构分析、I-V特性及复阻抗频谱的测量,比较了埋烧和传统的裸烧工艺对于Nb^5 掺杂的TiO2压敏陶瓷材料的压敏电压和非线性系数的影响,结果表明掩埋法烧结可以降低该类陶瓷材料的压敏电压和非线性系数;考察了Nb2O5掺杂的作用,表明Nb^5 固溶于TiO2中取代Ti^4 使晶粒半导化．Nb2O5掺杂量对TiO2压敏陶瓷的I-V特性和微观结构都会有影响作用,适量Nb^5 的掺杂有助于晶粒的生长.     

电脱氧Nb2O5制取金属铌

以Nb2O5粉末烧结片为阴极,以石墨为阳极,在CaC12-NaCl熔盐电解质中对Nb2O5进行电脱氧,获得金属铌.对不同密度的Nb2O5粉末烧结阴极的制取以及烧结阴极密度对电脱氧Nb2O5的影响进行研究.结果表明,阴极片的烧结密度对Nb2O5在CaC12-NaCl熔盐中的电脱氧有着极其重要的影响,烧结密度越低,电解起始电流越大,并且在电脱氧过程中电流也越大;在相同电解时间内,阴极产物中残余氧化物化合价随阴极片密度的降低而降低;Nb2 O5粉末在8 MPa压力下成型,1 150℃下烧结8 h,所得的阴极片具有较好的电化学活性;在850℃下电解150 min,Nb2 O5可完全被还原;电脱氧反应速度会随电解时间的延长而逐渐减慢.实验结果表明,电脱氧是氧化物粉末颗粒与熔盐电解质接触、反应和电离的过程,Nb2O5的电脱氧过程是分步进行的,其中间产物是铌的一系列低价氧化物,即Nb5+→Nb4+→Nb2+→Nb.     

射频反应溅射纳米SnO2薄膜气敏特性研究

采用射频反应溅射在瓷管上制备了SnO2气敏薄膜元件,以及用传统方法制备了SnO2厚膜元件.两种元件经测试表现出对乙醇较高的灵敏度,对两种元件进行了性能对比测试.测试表明,无论在灵敏度、响应恢复时间,还是在检测浓度范围上,SnO2气敏薄膜元件都比传统的厚膜元件性能优越.SnO2气敏薄膜元件经过表面修饰,在200×10-6体积浓度下接近30.对薄膜元件加热温度及选择性进行了研究,初步探讨了元件稳定性及其敏感机理.     

Fe2O3基纳米粉体的微乳液法制备及其气敏性

应用双微乳液法,在聚乙二醇辛基苯基醚(TX100)/正己醇/环己烷/水体系的W/O型微乳液中合成了掺锡和金的氧化铁前驱体,考察了主要制备条件对前驱体粒径的影响,对前驱体经400℃灼烧后所得的粉体进行了表征和气敏性测试,表明制得的共同掺杂5%mol Sn4+和0.5%mol Au3+的粉体对C2H5OH气体有较好的气敏性.