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探索为农业服务的途径,发现激光能够使种子提前发芽,提早成熟,增加产量.我们利用He-Ne激光作为光源,对番茄两个品种的种子,分别进行了不同功率密度、不同时间、多个组合的处理,试验结果表明,激光功率密度在0.016瓦/厘米~2～0.024瓦/厘米_2,辐射时间为6分钟,辐射湿种子时,其发芽率最高,幼苗长势最好,过氧化物酶同工酶和酯酶同工酶的酶活性最大,根尖细胞分裂相明显增多,提高番茄产量已见成效. 相似文献
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研究正弦电流直接调制下,单纵模半导体激光器在外部物体的反馈作用时产生的自混合效应,利用这种自混合效应,对静止物体的距离进行非接触性的,测量,通过设定一参考距离,比较靶体与基准点处的拍频信号的最大频率值,简化了测量步骤,分析测量误差与调制电流大小的关系,进而确定短距离的最佳实验条件。 相似文献
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首次利用液相外延标准光刻工艺,两次质子轰击方法,研究和制作 了调制增益导引ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ锁相激光器阵列。 相似文献
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在电子和通信技术中,调制技术被广泛应用,对于很多初学者,很难分清其含义、分类和用途。本文从调制的本质出发,阐述调制的三种基本形式:模拟信号的调制,数字信号载波调制和脉冲编码调制。重点介绍目前广泛使用的多相相移鍵控调制技术。 相似文献
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对半导体激光器短电脉冲调制增益开关法产生皮秒光脉冲动力学过程进行理论分析和实验研究,基于单模数率方程,采用相图（Ｐｈａｓｅ Ｐｏｒｔｒａｉｔｓ）法分析激光器激射皮秒光脉冲时载流子浓度和光子密度变化的对应关系。探讨直流参数、调制脉冲参数和器件寄生参量等对产生皮秒光脉冲的影响,在此基础上,研究ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器短电脉冲调制产生单发激光脉冲最佳的实验条件。 相似文献
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首次利用液相外延，标准光刻工艺，两次质子轰击方法，研究和制作了调制增益导引ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ锁相激光器阵列。它是由六个激光器阵列元组成，调制增益是通过线性也发迹激光器条宽从３μｍ变化的到８μｍ，其间距保持常数为５μｍ实现的。 相似文献
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首次利用液相外延（ＬＰＥ）、标准先刻工艺，两次质子轰击方法，研究和制作了调制增益导引ＣａＡＳ／ＧａＡｌＡｓ锁相激光器阵列．它是由六个激光器陈列元组成，调制增益是通过线性地改变激光器条宽从３μｍ变化到８μｍ，其间距保持常数为５μｍ实现的。观察到了远场单瓣，ＦωＨＰ是１．９°，接近于衍射极限；输出光功率为３００ｍωｆａｃｅｔ（ｃω）；其模式特性为：在１．２Ｉｔｈ＜Ｉ＿（ｉｃ）－＜１．８Ｉｔｈ时为单纵模，否则为多纵模。 相似文献
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氦—氖激光管制作中,将原来先充氦的作法改为先充氖,并对配气公式进行了完整地推导,从而改变了实验中氦气耗量过大和氖耗量太少的悬殊比例。 相似文献
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作者采用耦合模理论，对自制的燕尾槽衬底内条形锁相列阵激光器的近场和远场特性进行了计算机和分析。 相似文献
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用热能波传播微分方程表达调制红外脉冲注入绝缘体内形成热能波传播的热不平衡状态以及绝缘体的热扩散系数,介质的密度,力学性能之间的关系,提供绝缘体中的介质信息传热理论及计算方法.动态响应确定绝缘体和缺陷层的温度分布,采取测量几种不同调制频率下光热辐射信号的振幅、相位以及增加脉冲热能波的峰值强度方法,联立得到相应参数值,确定出缺陷层的未知参数如位置、厚度、热导率、热扩散系数等.尤其适合于层状复合材料、带有表面涂层或镀层及胶合结构存在层间缺陷、空洞、裂纹的无损检验. 相似文献
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