He-HF碰撞体系转动激发截面的理论研究

运用密耦近似方法计算了能量在100meV下He原子和基态HF分子碰撞的态-态转动激发截面和碰撞能量分别在100meV,150meV,200meV,250meV下的总微分截面和总分波截面;总结了该碰撞体系散射截面的变化规律。系统研究表明:在低能散射时,弹性散射主要发生在小角部分,非弹性转动激发主要发生在大角部分。     

He-HBr碰撞体系转动激发截面的研究

作者运用密耦近似方法,计算了能量在100meV下He原子和基态HBr分子碰撞的态-态转动激发截面和碰撞能量分别在100meV,150 meV,200 meV下的总微分截面和总分波截面;总结了该碰撞体系散射截面的变化规律.经研究表明:在低能散射时,弹性散射主要发生在小角部分,非弹性转动激发主要发生在大角部分.     

He同位素与HCl碰撞分波截面的理论计算

采用Huxley势函数拟合得到He-HCl较为可靠的相互作用势,使用精确度较高的密耦近似方法计算了入射能量为80meV时,氦原子的三种同位素3He,4He,10He与HCl分子碰撞体系的激发分波截面。通过分析各碰撞体系分波截面的差异,探讨了He(3He、4He、10He)-HCl碰撞体系的弹性分波截面00-00,非弹性碰撞转动激发分波截面00-01到00-07,随量子数和体系约化质量的变化规律。     

He同位素与HBr碰撞对分波截面的影响

基于构造的各向异性势,用密耦方法求解散射方程,计算了E=40 meV时3He,4He,5He,6He和7He分别与HBr分子碰撞的弹性和非弹性分波截面,详细讨论了氦同位素原子对分波截面的影响.结果表明:对给定的碰撞能量和确定的碰撞体系,激发分波截面比弹性分波截面收敛快;激发态越高,截面收敛越快;尾部效应仅在弹性散射和低激发态中产生,高激发态不产生尾部效应.随着氦同位素原子质量的增大,弹性分波截面和态-态激发分波截面收敛速度变慢,收敛需要的分波数增多.     

He-Li2碰撞体系分波截面的密耦计算

使用量子化学从头计算方法,在CCSD(T)/aug-cc-pVQZ+bf(3s3pdlflg)水平下,计算了He-Li2碰撞体系的相互作用势,并用Murrell-Sorbie函数拟合得到相互作用势解析式.然后,用密耦近似方法计算了低入射能量从1meV至22meV时,He原子与基态Li2分子碰撞的分波截面及碰撞参数.计算...     

He-HCl碰撞体系中微分截面和分波截面的理论计算

笔者采用统一的拟合的MS势计算了在E=40~80meV下He-HCl体系的总微分截面和弹性微皮截面、总分波截面和弹性分波截面。研究结果表明:在低能碰撞过程中,不管是微分散射截面还是分波散射截面,弹性散射的几率大,对总的散射截面贡献最大。入射能量一定时,微分散射截面的小角散射几率大于大角散射几率;入射的能量越高,量子效应就越不显著,尾部效应也越不显著。     

He-HCI碰撞体系中微分截面和分波截面的理论计算

笔者采用统一的拟合的MS势计算了在E=40-80meV下He-HCI体系的总微分截面和弹性微皮截面、总分波截面和弹性分波截面。研究结果表明：在低能碰撞过程中，不管是微分散射截面还是分波散射截面，弹性散射的几率大，对总的散射截面贡献最大。入射能量一定时，微分散射截面的小角散射几率大于大角散射几率；入射的能量越高，量子效应就越不显著，尾部效应也越不显著。     

利用密耦法对惰性元素原子与双原子分子转动激发截面的理论研究

作者运用密耦近似方法,计算了能量在64.0meV下,He原子和基态N2分子碰撞的态-态转动激发微分截面和入射能量分别在27.3meV,40.0meV,64.0meV和80.0meV下的弹性、非弹性和总微分截面;总结了该碰撞体系微分散射截面的变化规律.研究表明:在低能散射时,弹性散射主要发生在小角部分,转动激发非弹性散射主要发生在大角部分.     

氦同位素被氟化氢散射角分布的计算

用密耦方法计算了碰撞能量分别为20和86 meV时,3He,4He,6He和9He被HF分子散射的角分布,总结了氦同位素原子对He-HF散射角分布的影响.计算结果表明:在同一入射能量下,随着入射氦同位素原子质量的增加,总微分截面在0°时的角分布逐渐增大;同一级衍射振荡极小值位置逐渐向小散射角方向移动;He同位素原子与HF分子碰撞发生的彩虹现象越明显.     

He-N2碰撞体系分波截面的理论计算

运用密耦近似方法计算了He原子入射能量分别为27.3m eV、40.0m eV、64.0m eV和80.0m eV与基态N2分子碰撞的弹性、非弹性和总分波截面;并总结了该碰撞体系分波截面的变化规律。研究表明:尾部效应仅在低激发态中产生,高激发态不产生尾部效应。     

Ar原子与NO分子碰撞的理论计算

采用ＭＳ势和ＥＭＳ势模型,运用密耦法计算了Ａｒ原子与ＮＯ分子碰撞的散射截面,计算结果与实验结果符合较好。     

快D_2~+、DH~+和H_2~+通过碳膜的透射和电荷交换的研究

本文介绍了测量Mev量级单电子双原子分子离子(D_2~+、DH~+、H_2~+等)通过碳膜的透射和在碳膜中的电子损失截面、电了俘获截面的实验方法和新近的实验结果。略述了我们把Brandt-Sizmann理论扩展到D_2~+、DH~+、H_2~+与固体碳相互作用的计算。本文还得到D_2~+、DH~+、H_2~+的裸核集团在膜的出口俘获一个电子后形成电缚分子态的几率。     

HCl-He相互作用势及碰撞截面的理论计算

利用三种势采用密耦合方法计算了ＨＣｌＨｅ碰撞体系的散射截面,比较了不同势模型下截面的异同,讨论了势函数的变化对散射截面的影响,并指出了这种影响的规律性     

He-AlH体系在转动相互作用势下低能散射的理论研究

用CCSD(T)/aug-cc-pV5Z+bf(3s3p2d1f1g)方法,计算He-AlH复合物体系的刚性转动模型相互作用势,使用密耦方法计算了He原子低能入射时与基态AlH分子碰撞的积分截面。计算结果表明:He-AlH碰撞体系,jα=0到jβ=1跃迁的转动激发态—态积分截面,对于非弹性积分截面具有非常重要的作用。     

Ar-HCl体系各向异性相互作用势及转动激发微分截面的理论研究

首先用gaussion03程序在CCSD(T)/aug-cc-pVQZ理论水平下计算的Ar-HCl相互作用能数据,得到了Ar原子与HCl分子各向异性相互作用势;并与HWK势进行比较,验证了拟合势的可靠性;然后采用公认的精确度较高的CC近似方法计算了Ar-HCl碰撞体系能量在100meV下Ar原子和HCl分子碰撞的转动激发微分截面,总结了该碰撞体系非弹性微分散射截面的变化规律。