小尺寸金属系统电导率的计算

运用量子统计要函数方法和久保公式分别计算一维金属线、二维金属薄膜的杂质散射电导率,计算结果表 尺寸金属系统的电导率跟金属系统上有关,具有量子尺寸效应。     

长直量子线中δ势散射的共振态

利用格林函数方法讨论了量子系统中共振能量与束缚能级的关系 ,指出它们应满足的不同条件 .采用简化方法讨论了长直量子线中δ势散射的共振态 ,发现与一维情况相同 ,准一维量子线中的δ势散射不存在共振透射 .     

光散射模型及其在三维视觉结构中的应用

在应用一维和二维随机表面光散射模型的基础上,对表面光散射分布作了详细分析和说明,得出在不同条件和参数下的仿真结果,并将散射模型用于视觉系统结构的计算机仿真。     

准一维导体中的电导

我们根据量子力学原理,把准一维导体中的杂质弱散射看成微扰,给出了电子从二维导体进入准一维导体时电导的一般公式.     

空间维度拓展对量子混沌强度的影响

在一维、二维、三维3种维度空间中研究了存在势垒的量子阱中的混沌现象,发现了空间维度对量子混沌强度的影响作用,讨论了势垒的形式与量子混沌之间的关系.     

连续时间量子行走在粘接树图上的散射特性研究

将二维粘接树图(Glued-Tree)等效为一维格点线,降低系统希尔伯特空间维数,研究了连续时间量子行走的散射特性,讨论了粘接树图的代数以及粘接处的位势对透射率的影响。结果表明,通过调节粘接格点处的位能,量子行走的透射率随着入射动量和树图代数的变化可以表现出衰减和振荡行为。当粘接格点处的位能与其他格点位能相差不大时,会表现出共振特性,量子行走完全通过粘接树图。这种共振现象有的是与振荡行波有关,也有的与衰减区域的局域束缚态有关。随着粘接格点处的位能与其他格点位能相差增大,这种共振行为渐渐消失,最后量子行走的透射率会趋向于零。     

纳米双栅MOSFETs的量子格林函数模拟

采用一种量子动力学模型研究纳米MOSFET(场效应管)电流特性.该模型基于二维NEGF(非平衡格林函数)方程和Poisson方程自洽全量子数值解.使用该方法研究了纳米双栅MOSFET结构尺寸对电流特性的影响.模拟结果显示:越细长的沟道,器件的短沟效应越弱,器件的亚阈值斜率随栅氧化层增厚而加大.另外,通过分析器件不同区域的散射自能效应,得出减缓纳米双栅MOSFET电流性能下降的途径.所用模型具有概念清晰,求解稳定等特点.作为多体量子模型,本方法可应用于一维量子线及量子点阵列所构成的纳米器件,并有望在纳米MOSFET器件设计中得以应用.     

基于量子行走的局域与离域化控制及实验方案

在现有的量子行走实验基础上,进一步提出了在二维量子行走物理装置中的局域化和离域化控制的方案。通过对一维和二维局域化与离域化控制的实验方案的理论分析,引入参数可调的普适投币算符,导出了一般化的量子行走的计算结果,依据理论结果提出了基于集成光波导和光纤装置的可控的安德森效应实验方案。数值仿真实验结果表明量子行走受到电控偏振器控制而出现局域化和离域化现象,验证了所提出设计方案的合理性。     

D维量子阱中激子的声学极化子效应

考虑了无限高势垒量子阱,计算得出了零维、一维、二维和三维量子阱中激子-声学声子耦合导致的激子基态能量移动.结果表明,激子的声学极化子效应随材料带宽的增大而增大.     

半导体量子线制备方法及研究动态

一维半导体材料由于其在空间二维的量子限域作用，而显示出非线性光学性能、光致发光、独特的光电性能以及单电子效应等，这些特性在电子和光电子元件方面具有潜在的巨大应用价值。一维半导体材料的制备技术已得到广泛研究，文献中报道了许多制备方法。对目前国内外制备半导体量子线的最新研究成果和方法进行了讨论，并对半导体量子线制备研究的发展趋势进行了预测。