用离子团簇束及反应离子团簇束技术沉积Zn及ZmO薄膜

用文题所述技术，在玻璃基板上制出了Ｚｎ及ＺｎＯ薄膜。用ＳＥＭ、ＸＲＤ、ＡＥＳ及ＳＥＥＬＦＳ方法，分别研究了其表面形貌、组成、薄膜结构及表面精细结构，同时探讨了薄膜生长过程。结果表明：Ｚｎ薄膜为（００２）面上择优生长的多晶膜，其生长过程为岛状生长；ＺｎＯ薄膜为无定形迷津网络结构，薄膜表面主要含有Ｚｎ、Ｏ两种组分，无其它杂质，Ｚｎ－Ｏ键长为０．２０３ｎｍ。     

用离子团簇束及反应离子团簇束技术沉积Zn及ZnO薄膜

用文题所述技术，在玻璃基板上制出了Ｚｎ及ＺｎＯ薄膜。用ＳＥＭ、ＸＲＤ、ＡＥＳ及ＳＥＥＬＦＳ方法，分别研究了其表面形貌、组成、薄膜结构及表面精细结构，同时探讨了薄膜生长过程。结果表明：Ｚｎ薄膜为（００２）面上择优生长的多晶膜，其生长过程为岛状生长：ＺｎＯ薄膜为无定形迷津网络结构，薄膜表面主要含有Ｚｎ、Ｏ两种组分，无其它杂质，Ｚｎ─Ｏ键长为０．２０３ｍｍ。     

SnO2：Pd／Si新气敏特性的研究

用ＣＶＤ法在（１１１）和（１００）单晶硅衬底上沉积ＳｎＯ２或ＳｎＯ队：Ｐｄ薄膜．在不同温度下，测量ＳｎＯ２／Ｓｉ表面吸附Ｈ２或ＣＯ等还原性气体后光电压的变化．结果表明：ＳｎＯ２：Ｐｄ／Ｓｉ的光电压变化，可以灵敏检测Ｈ２、ＣＯ等气体，讨论了ＳｎＯ２：Ｐｄ／Ｓｉ的气敏机理．     

彩色热镀 Zn-Ti-Ni 和 Zn-Mn-Cu 合金镀层的研究

研究了彩色热镀锌工艺及彩色涂层的成色原理，进行了一系列镀浴成分和彩色热镀工艺的试验，筛选出Ｚｎ＿Ｔｉ＿Ｎｉ和Ｚｎ＿Ｍｎ＿Ｃｕ两种镀液成分，在一定的浸镀温度和冷却方式下，可以获得表面光滑、成色均匀鲜艳的彩虹、金黄、紫、蓝色镀件。通过理论分析和俄歇电子能谱、Ｘｒａｙ衍射分析，发现Ｚｎ＿Ｔｉ＿Ｎｉ彩色热镀锌层表面形成均匀的Ｔｉ的氧化物膜，Ｔｉ与Ｏ的化学计量比接近Ｔｉ２Ｏ３；ＺｎＭｎＣｕ彩色热镀锌层表面形成含ＭｎＯ和ＺｎＭｎ２Ｏ４的氧化物膜；Ｚｎ＿Ｔｉ＿Ｎｉ彩色热镀锌镀层表面产生颜色是由于氧化膜使光发生干涉而产生，表面颜色取决于氧化膜厚度；Ｚｎ＿Ｍｎ＿Ｃｕ彩色热镀锌层表面成色是由于配位场中过渡金属锰离子产生的。     

玻璃上Ag/ZnO 薄膜的形成过程

扩展一种和玻璃基体结合力高的化学镀铜技术,它在玻璃表面上喷雾覆盖一层醋酸锌,然后热解形成半导体氧化锌薄膜．将此附有氧化锌的玻璃浸渍硝酸银稀溶液,利用光还原法将银离子还原为单质银,并以银为催化剂在附有氧化锌薄膜的玻璃上化学镀铜．文中通过差热-热重分析(TGDTA)、X-射线衍射(XRD)和扫描电境(SEM)表征了上述过程,探讨半导体氧化锌光还原银离子的机理．     

ZnO、SnO_2及其复合UPF的工作温度对表面电阻的影响

本文介绍ＺｎＯ、ＳｎＯ２及其复合ＵＰＦ的工作温度对其薄膜表面电阻的影响，并根据表面吸附模型和理论对其结果加以分析．所研究的薄膜样品采用直流气体放电活化反应蒸化沉积技术制备．     

铜氧化过程中其表面"非晶膜"的AES和HREM分析

利用电子显微阄中的电子束对铜的薄膜样品进行了连续的照射和跟踪观察，结果发现，Ｃｕ在氧化过程中首先出现的是一层非晶膜，这层晶膜在电子束的照射下转变成了Ｃｕ的晶体氧化物，ＡＥＳ和ＨＲＥＭ分别结果表明，Ｃｕ表面出现的这层非晶膜，它的主要成分为Ｃｕ和Ｏ，在铜的氧化过程中起着一种氧化界面的作用，也就是说，Ｃｕ的氧化要经历两个阶段，首先是Ｃｕ与Ｏ结合形成非晶膜，接着非晶膜在适当的时候转变为铜的晶态氧化物。     

e型枪热蒸法制备的非化学计量ZnO薄膜的结构性能

采用ｅ型电子枪热蒸技术，在不同条件下成功地制备了不同Ｏ／Ｚｎ比的非化学计量ＺｎＯ薄膜。利用系列物理手段，如ＸＰＳ，ＸＲＤ法对其结构性能进行了分析。结果表明，选择适当的基底温度及热处理温度可获得物理性能很好的非化学计量的ＺｎＯ薄膜。     

相似算子代数的导子与自同构

讨论了用ｅ型电子枪热蒸法制备的非化学计量的ＺｎＯ薄膜的光电性能。采用了ＸＰＳ等方法，实验结果表明，对于不同的基底温度及掺杂浓度，ＺｎＯ薄膜Ｏ／Ｚｎ比不同，光电性能也因此而异，本研究还对最佳成膜工艺进行了探讨。     

EFFECTSOFVARIOUSTEMPERATURESOFSUBSTRATESANDANNEALINGSONTHEOPTICALANDELECTRICALPROPERTIESOFNON－STOICH

讨论了用ｅ型电子枪热蒸法制备的非化学计量的ＺｎＯ薄膜的光电性能。采用了ＸＰＳ等方法，实验结果表明，对于不同的基底温度及掺杂浓度，ＺｎＯ薄膜Ｏ／Ｚｎ比不同，光电性能也因此而异，本研究还对最佳成膜工艺进行了探讨。     

ZnO—玻璃系压敏电阻材料研究

研究了不同种类的玻璃料对ＺｎＯ－玻璃系压敏电压性能的影响，实验表明加入Ｇ３玻璃制得的样品具有较好的电性能，并有很高的工作稳定性，还研究了ＺｎＯ－玻璃系压敏电阻的微观结构和介电性能。     

SnO2薄膜的激光化学雾状沉积

把ＣＯ２激光聚焦在玻璃基底上的小区域内，热解ＳｎＣｌ４·５Ｈ２Ｏ来实现ＳｎＯ２薄膜的沉积。用Ｘ－Ｙ扫描获得了选择性薄膜图形。薄膜的电阻率约为１×１０（－２）Ω·ｍ，可见光谱区透射率为７５％～８０％．用Ｘ射线衍射对膜层进行了物相分析，判定ＳｎＯ２薄膜基本为多晶结构，其最优方向为（１１０）。此外，还用扫描电子显微镜观察了薄膜的表面形貌。     

TiO2纳米薄膜和TiO2／ZnFe2O4纳米复合薄膜的光学性能研究

用磁控溅射方法制备了ＴｉＯ２ 纳米薄膜和ＴｉＯ２／ＺｎＦｅ２Ｏ４ 纳米复合薄膜,研究了不同温度热处理和不同含量纳米铁酸锌对纳米ＴｉＯ２ 薄膜光学性能的影响。研究结果表明：用磁控溅射方法制备的纳米薄膜的厚度和晶粒尺寸均匀,并且随着热处理温度的升高而增大,掺杂纳米ＺｎＦｅ２ Ｏ４后ＴｉＯ２ 纳米薄膜的晶粒尺寸略有减小。ＸＲＤ 研究发现ＴｉＯ２／ＺｎＦｅ２Ｏ４ 纳米复合薄膜由非晶相向锐态矿相转变的温度高于纳米ＴｉＯ２ 薄膜。ＴｉＯ２ 纳米薄膜和ＴｉＯ２／ＺｎＦｅ２ Ｏ４ 纳米复合薄膜的光吸收边都随着晶粒尺寸的降低而发生蓝移,在相同热处理条件下,掺杂纳米ＺｎＦｅ２ Ｏ４ 后,纳米ＴｉＯ２薄膜的光吸收边发生了较大范围的红移,红移量随着掺杂量的增加而增大。通过热处理和掺杂纳米ＺｎＦｅ２Ｏ４ 可以实现对纳米ＴｉＯ２ 薄膜光吸收边大范围的调制。     

锌铝尖晶石的研制

在不同的ＺｎＯ／Ａｌ２Ｏ３配比条件下，于１６００℃左右合成了锌铝尖晶石及含锌铝尖晶石的陶瓷材料，在１２００￣１３００℃的温度下，测定了不同陶瘊材料与铜液之间接触角，结果表明ＺｎＯ的加入可以改善铜液对Ａｌ２Ｏ３的浸润性     

ZnO-玻璃系压敏电阻材料研究

研究了不同种类的玻璃料对ＺｎＯ－玻璃系压敏电阻电性能的影响．实验表明加入Ｇ３ 玻璃料制得的样品具有较好的电性能，并有很高的工作稳定性．还研究了ＺｎＯ－玻璃系压敏电阻的微观结构和介电性能     

氧化物复合脱铜剂钢液脱铜

实验研究了１６００℃时，不同Ｃ－ＺｎＯ配比条件下，Ａｌ２Ｏ３－ＺｎＯ－Ｃ及Ａｌ２Ｏ３－ＺｎＯ－Ａｌ复合脱铜剂的钢液铜效果，对氧化物复合脱铜剂的脱铜原理，脱主提高脱铜效率的因素进行了分析讨论。     

SnO2—ZnO薄膜特性研究

用真空蒸发ＳｎＯ２－ＺｎＯ,获取超微粒结构的ＳｎＯ２－ＺｎＯ薄膜．实验发现ｗ（ＳｎＯ２）ｗ（ＺｎＯ）＝８０％２０％薄膜有较低的电阻率,对乙醇有较高的敏感性,是较好的酒敏材料．     

离子束技术改性苯甲醛加氢反应Pd／Al2O3催化剂

以苯甲醛加氢反应Ｐｄ／Ａｌ２Ｏ３催化剂为例，初步探讨了离子束技术在催化领域中的应用。经Ａｒ＾＋离子束辐照处理后，Ｐｄ／Ａｌ２Ｏ３催化剂表面组成和结构等发生了变化，从而引起了催化剂反应性能的变化，其中经Ａｒ＾＋离子束辐照４ｈ的催化剂虽然表面Ｐｄ含量因溅射而降低，但由于Ｐｄ原子簇的粒度变小，反应活性较未经处理的催化剂有所提高。     

SnO2—ZnO二元系半导体陶瓷材料特性

报道了ＳｎＯ２－ＺｎＯ二元系半导体陶瓷体及其薄膜的制备方法，材料的电学，光学，热敏，气敏和湿敏特性，以及掺杂和热处理对材料特性的影响，ＳｎＯ２－ＺｎＯ半导体陶瓷材料有很好的稳定性，是一种多功能复合半导体材料，在光伏技术，敏感技术及仪器仪表领域有着广泛应用。     

真空反应蒸发法制备ZnO透明导电薄膜

以ＺｎＣｌ２作为蒸发源，采用真空反应蒸发技术制备出具有高透过率和电导率的ＺｎＯ薄膜．对制备薄膜的结构，电学和光学特性进行了测量．