TFDC模型和元素晶体结合能

根据程氏理论(TFDC电子理论)的电子密度数据,采用与余氏理论平行的处理方法,得到了由原子半径和电子密度表示晶体结合能的一般数学公式. 结果表明,电子密度数据可以表征晶体中原子之间的键合强度. 用电子密度参数表达的结合能公式比用价键参数表达的结合能公式要简单得多,前者的模型参数比后者的更具有一般性. 这也表明,除原子半径和电子密度外,元素晶体的结合能参数是程氏理论应用于材料科学时需要考虑的一个重要参数.     

应用MICC理论研究氦原子对氢分子特征轮廓的影响

应用分子内禀特征边界轮廓理论（MICC）分男口研究了氨原子沿氢分子键轴．垂直氢分子键轴方向接近氢分子时,氢分子特征轮廓半径及电子密度的变化．在这两种情况中,氨原子对氢分子的影响均是沿作用线内侧的氢分子特征轮廓半径及电子密度变化强于其它方向的半径及电子密度变化．     

γFe—N合金中N—Fe的交互作用

利用基于第一原理的离散变分法（DVM）计算了γFe-N合金的电子结构,分析了N-Fe间的交互作用。计算得到间隙N分别与周围不同近邻的4种Fe原子的平均键级,通过比较它们随点阵畸变化后发现,N-Fe（1）的键级大于另外3种键级,说明γFe-N合金中N与置换原子的交互作用主要集中在N与最近邻原子之间。并结合态密度、价轨的电子占据数和电子密度对其进行了综合分析。     

有序Al-Li金属化合物的成键特征与电荷偏移

用余氏金属价键理论计算了Ｆｃｃ基有序Ａｌ－Ｌｉ金属间化合物的键参量和原子间成键的电荷偏移量。结果表明：要形成较强的Ａｌ－Ｌｉ键，Ａｌ原子将偏移部分共价电子给Ｌｉ原子用于共价成键，而这一过程中Ａｌ原子的外层电子状态并没有明显的改变。     

从头算价键理论的研究进展

作为现代化学键理论之一,价键理论为分子电子结构性质和化学反应机理提供了直观的化学图像理解.虽然当前分子轨道理论占据着量子电子结构研究的主导地位,但是随着计算机运算能力的迅速提升以及量子理论计算算法的日益完善,从头算价键理论重新引起了人们的重视.本文简要回顾了40年来从头算价键理论方法所取得的突破,着重阐述厦门大学化学键...     

四聚甲基锂Li4(CH3)4的电子结构的量子化学研究

用Gaussian98W程序对四聚甲基锂Li4(CH3)4的电子结构作了量子化学计算,根据分子轨道能级、电子密度集居数分析、原子电荷、化学键键级等对Li4(CH3)4的缺电子多中心键的特点进行了理论解释.计算表明在Li4(CH3)4中每个碳原子与4个锂原子形成化学键,与一个距离较远的锂原子形成化学键的键级高于与3个距离较近的锂原子的键级,生成不对等的5中心2电子键(5c-2e);四聚甲基锂中Li-C键的平均键级是0.3749,平均键能为132.1kJ/mol.     

CoSi2薄膜内应力的微观机制研究

通过晶体价键理论与电子密度理论的结合,推算出CoSi2的表面电子密度,从理论上分析了p型Si衬底的掺杂浓度对CoSi2薄膜内应力的影响,并从实验上给予了验证.     

钙钛矿型铁电材料立方相价电子结构理论计算

应用固体与分子经验电子理论(EET)计算BaTiO3,BaZrO3,PbTiO3,PbZrO3,KNbO3,NaNbO3,CaTiO3,SrTiO38种典型立方相钙钛矿氧化物的价电子结构,并讨论晶体中各组成原子的实际价电子数.计算结果表明:8种钙钛矿氧化物的价键电子结构表现为离子性和共价性的混合,原子的种类是影响化合物价电子结构的重要因素,而相同的晶体结构决定了价电子分布的相似性;组成晶体的原子的实际价电子数与标准自由离子电荷有差异,且具有与玻恩有效电荷相似的特点.     

CoSi2薄膜内应力的微观机制研究

通过晶体价键理论与电子密度理论的结合，推算出CoSi2的表面电子密度，从理论上分析了p型Si衬底的掺杂浓度对CoSi2薄膜内应力的影响，并从实验上给予了验证。     

VSEPR理论应用问题讨论

本文提出了求算ＶＳＥＰＲ理论中中心原子价层电子对总数的亲方法：探讨了如何运用该理论来判断包括内部存在π键、大π键在内的各种多原子分子的几何构型、中心原子的杂化方式及分子内部的价键结构等问题。     

碳化硼B4C价键电子结构研究

在固体与分子经验电子理论(EET)框架下,利用键距差(BLD)方法,选取可能的一种碳化硼晶体结构作为计算模型。计算得到符合EET理论判据的碳化硼晶体的价键电子结构。基于价键电子结构讨论了碳化硼电子结构与性能的关系。     

TFDC相图

根据TFDC电子理论(简称TFDC模型)的思想,建立了能描述异类原子处于平衡态时原子间平衡性质的"电子密度-原子半径"图,称为TFDC相图,也可称为原子相图.TFDC相图建立在"二原子模型"的基础之上,除原子半径、原子表面电子密度和原子间界面电子密度连续性条件外,TFDC相图的杠杆定律还涉及组元的其他物理参数,为简单起见,第三个物理参数暂时只考虑组元的结合能.     

试论价键理论和晶体场理论的统一性

论述了价键理论和晶体场理论的统一性，并将两理论相结合，形成价键－晶体场理论，用于研究配合物的结构问题，取得了满意的结果。     

异核双原子卤化物分子键长的一个经验公式

本文给出了异核双原子卤化物分子键长与组成分子的原子的价层轨道平均 能[1]及元素在周期表中的位置的关系的方程，用该式计算了一些常见卤化物分子的键长，结果与实验数据颇为一致。     

BiFeO3晶体价键电子结构对铁电性质的影响

利用固体与分子经验电子理论(EET)方法,研究得到了钙钛矿型单相多铁材料BiFeO3"赝立方"顺电相和斜方铁电相价键电子结构,分析了价键电子结构变化对铁电性的影响.结果表明,EET理论不但给出了与第一性原理较为一致的计算结果,而且给出了原子间共价键更为细致的描述.     

稀有气体原子插入炔烃中C-H键的理论研究

采用B3LYP方法在6-311++G**基组(Ar,Kr,Xe采用DZVP全电子基组)水平上对稀有气体原子X(X=Ar,Kr,Xe)插入乙炔(C2H2)、丙炔(C3H4)、丁二炔(C4H2)中的C—H键进行了量子化学理论研究.优化得到了9种含稀有气体原子的化合物,插入稀有气体原子后体系的能量升高367.83～604.65kJ/mol.电子密度拓扑研究表明:新形成H—X和X—C化学键的键鞍点处的电子密度与相应的正常氢键的相当,因此引入X原子后的化合物的稳定性较差;C—H键插入X原子后,激活了乙炔、丙炔、丁二炔官能团上的反应活性.     

论第二周期元素性质的特殊性

第二周期元素在原子半径、电离能、电子亲和能、配位数、键能及氢化物的熔沸点等方面表现出特殊性,并对其原因进行了较深入的分析。     

新鲜多孔硅(001)表面结构与电子特性理论研究

在周期边界条件下的k空间中,采用基于密度泛函理论的广义梯度近似(GGA)平面波超软赝势法,建立H12S i31几何模型来对表面主要被H覆盖的新鲜多孔硅(Porous S ilicon,PS)(001)表面最外层的S i—H键的几何结构和电子特性进行初步的理论研究.计算得到氢化PS(001)表面几何结构S i—H键长为0.148 nm、H—S i—H键角为106°,并通过原子布居数、电子密度图分析得到氢化PS表面原子的电子特性.     

（Be（NMe2）2）3分子的键级和原子价研究

用ＤＶ－Ｖａ－ＳＣＣ方法和自然键轨道法研究（Ｂｅ（ＮＭｅ２）２）３分子的电子结构和化学键，进而根据Ｎａｔｉｅｌｌｏ和Ｍｅｄｒａｎｏ键级定义计算了分子中有关原了障的键级，根据徐光宪共价新定义计算了其中铍原子共价，结果表明，四配位的铍原子与邻近的４个Ｎ原子各形成了一个σ键，键级均为０．７２；三配位的铍原子除与两个桥联Ｎ原子各形成一个σ键（键级均为０．７７）外，还与端接Ｎ原子形成了两个共价键，键级为１．     

关于分子键级计算方法的讨论

以双原子分子为例，用分子轨道理论和作者提出的电子空位对假说两种理论方法分别计算这些分子中共价键的键级，并对计算过程和结果进行了讨论．结果表明，两种理论方法所得结论基本一致，但电子空位对假说在处理分子键级问题上显得更加简单明了．