亚稳态离子的电子碰撞电离截面

利用扭曲波玻恩交换近似方法计算了类氖Ｓｉ＾４＋离子的基态和亚稳态的电子碰撞直接电离截面和激发自电离截面，通过比较，指出了亚稳态离子电离贡献的重要性；在考虑亚稳态离子贡献的情况下，对最近首次给出的Ｓｉ＾４＋离子的电子碰撞电离实验结果给出了合理的解释。     

电子碰撞电离H（2s）的理论研究

利用ＢＢＫ模型对电子碰撞电离Ｈ过程进行理论研究，计算了对称和不对称几何条件下的三重微分截面。除将部分结果与现有理论进行比较外，首镒给出了入射能量为１５０ｅＶ共面不对称条件下的三重微分截面和Ｈ原子２ｓ态的电子动量谱，从而为实验提供较为全面的理论数据。     

高电荷态氩离子与Ne原子碰撞过程中的转移电离截面的研究

采用符合关联实验技术进行的Ar^q+ + Ne (q = 8, 9, 11, 12)碰撞体系中多电子转移过程的研究. 在实验上鉴别了反应中各种电子转移过程, 并测量了转移电离截面. 研究了转移电离截面与反冲离子电荷态的关系, 并利用修正后的分子过垒模型计算结果与实验结果进行了对比分析, 计算结果较合理地描述了实验现象.     

Cq＋离子与Ar原子碰撞反应过程中转移电离的研究

应用位置灵敏探测和飞行时间技术,测量了C^q＋（q=1,2,3）离子与心原子碰撞反应中的转移电离截面与单电子俘获截面之比,并与DuBois的He^q＋（q=1,2）与Ar的实验结果进行比较．同时在玻尔的过垒模型基础上,给出进一步的定性解释．     

C~(q )离子与Ar原子碰撞反应过程中转移电离的研究

应用位置灵敏探测和飞行时间技术,测量了Cq (q=1,2,3)离子与Ar原子碰撞反应中的转移电离截面与单电子俘获截面之比,并与DuBois的Heq (q=1,2)与Ar的实验结果进行比较.同时在玻尔的过垒模型基础上,给出进一步的定性解释。     

高电荷态氩离子与Ne原子碰撞过程中的转移电离截面的研究术

采用符合关联实验技术进行的Ar^q Ne(q=8，9，11，12)碰撞体系中多电子转移过程的研究。在实验上鉴别了反应中各种电子转移过程，并测量了转移电离截面．研究了转移电离截面与反冲离子电荷态的关系，并利用修正后的分子过垒模型计算结果与实验结果进行了对比分析，计算结果较合理地描述了实验现象．     

^3He（^4He）-H2碰撞体系的相互作用势及微分散射截面的理论研究

运用量子化学从头计算方法,在CCSD（T）／aug—cc—pvtz和CCSD（T）／cc-pvtz理论水平下,计算了^3He（^4He）-H2相互作用能数据,采用Murrell—Sorbie势函数（M-S势）拟合了^3He（^4He）原子与H2分子各向异性相互作用势,并用公认精确度较高的密耦方法计算了^3He（^4He）-H2碰撞体系的微分散射截面,总结了微分散射截面的变化规律。研究表明：拟合势不但表达形式简洁,而且较好地描述了^3He（^4He）-H2体系相互作用的各向异性特征。     

密度泛函方法研究了HFe（CO）5^＋中H^＋的电离反应

用密度泛函方法的ＬＤＡ和ＮＬ／ＬＤＡ优化分子片试ＨＦｅ（ＣＯ）５＾＋和Ｍｎ（ＤＣＯ）＾－５的几何结构３，并计算了Ｆｅ（ＣＯ）５的ＮＬ／ＬＤＡ亲子亲合能，其来７５１．６ｋＪ．ｍｏｌ＾－１，介于文献报道的ＨＣＮ和ＮＨ３的质子亲合能之间，解释了Ｆｒ（ＣＯ）５容易从Ｈ２ＣＮ＾＋中得到了质子而难以由ＮＨ＾＋４夺得质子的实验事实。     

H（^2Sg）＋CN（X^2∑^＋）体系的非反应碰撞传能研究

用Ｍｏｎｔｅ－Ｃａｒｌｏ轨迹法研究了Ｈ（＾２Ｓｇ）＋ＣＮ（Ｘ＾２∑＾＋）体系的非反应碰撞传能方式,变化规律及其与反应过程的竞争能力。     

类锂离子C~（3＋）的电子碰撞电离

采用扭曲库仑波函数描述碰撞电子，用Ｒ－矩阵密耦波函数处理被电离电子与剩余离子构成的系统初末态，在库仑－玻恩各级近似下计算类理离子Ｃ￣（３＋）的电子碰撞电离截面及相应速率系数。所得结果与Ｊａｋｕｂｏｗｉｃｚ的结果相一致。     

垂直于→q平面几何条件下102ev电子碰撞He原子电离的动力学关联效应

考虑出射道三粒子之间的动力学屏蔽（DS）效应（简称DS3C模型）,用DS3C理论模型计算和分析了垂直于动量转移平面（即垂直于平面）几何条件下,入射能量为102eV电子碰撞He原子单电离的完全微分截面（FDCS）,将计算结果与绝对实验数据及3C、DWB1-CM、DWB2-CM等模型的理论数据进行了比较。结果表明：DS3C能够较好地定性描述垂直于平面的碰撞结果。说明入射电子能量较低时,对于非共面几何条件下的碰撞,出射道不仅要考虑核与电子、电子与电子间的相互作用,而且也不能忽略出射粒子间的动力学屏蔽效应。     

低能氖原子与H2（D2、T2）分子碰撞分波截面的理论研究

用密耦方法及Tang-Toennies势模型计算了Ne-H2(D2、T2）碰撞规格绵碰撞截面,得到了H2分子的对称同位素替代情形下Ne-H2(D2、T2）三碰撞体系分波截面的变化规律。     

簇合物Co6（μ3—S）2（μ4,η^2—SPR）（CO）14（R=Fc,naphthyl C10H7）、Ru3（μ3—S

用P2S5分别与萘和二茂铁反应,得到两种配位基前体：C10H7－P＝S－S－S＝S－P－S－S－C10H7（L1,C10H7为naphthyl萘基)和Fe-P＝S－S＝S－P－Fc-S(L2,Fc为二茂铁基）。L1和L2分别与Co2(CO)8反应,得到两种新的含S,P桥基的六核钴羰基簇合衍生物：Co6(μ3-S)2(μ4,,η^2-SPC10H7)(CO)14(Ⅰ)和Co6(μ3-S)2(μ4,η^2-SPFc)(CO)14(Ⅱ).L1与Ru3(CO)12)反应得到Ru3(μ3-S)(μ-H)2(CO)9(Ⅲ)和Ru4(μ3-S)(μ3-PC10H7)(CO)10(Ⅳ).通过元素分析和谱学表征,对族合物Ⅰ－Ⅳ的结构进行了推测。     

电子—原子碰撞过程中R—矩阵理论的剖析（Ⅰ）

本文详细分析了R—矩阵概念的形成，对理论中的公式作了详细的推导．讨论了如何将R—矩阵理论用于电子—原子碰撞问题．纠正了Burke文中推导公式时出现的失误．     

Si（^3Pg）＋CO（X^1∑^＋）体系的反应碰撞轨迹

使用经典轨迹法研究了平行络合反应Si(3Pg)+CO(X1∑+,V=0,J=0)→SiCO(X3Σ-)或SiOC(X3∑-)的碰撞轨迹.该两个络合反应均为无闽能反应,络合物SiCO和SiOC的寿命均大于2.0×10-12 sec,表现为长寿命络合物.     

Nim（m=1，2）吸附CO的量子化学研究

用密度泛函DFT方法对NiCO，Ni2CO(A)和Ni2CO(B)单配位络合物进行量子化学的计算．对CO在Ni金属催化剂上可能的吸附模式以及C≡O叁键活化的微观机理进行分析．发现CO在镍上有两种吸附方式：立式顶位吸附和卧式吸附；CO的活化程度与吸附方式密切相关，卧式吸附有利于CO活化．     

族合物Co4（μ3—S）[P（S）（OCH3）2]2（CO）9、Co（μ，η^2—S2）[P（O—i—C3H7）2]2（CO）10和Co6（μ3—S）2（μ—P五节杂环化合物）（μ6—η^3—P五节环化合物）（μ—CO）（CO）10的合成和谱学表征

用Co(CO)8与3个含硫、磷杂原子的有机前配体反应,得到两四核和一个六核含硫、磷原子配位分子片的新颖钴羰基族合衍生物,通过元素分析、^1HNMR和MS等谱学表征,确定它们的化学组成如下：族合物Co4(μ3－S）[P（S）（OCH3）2]2（CO）9、Co（μ,η^2－S2）[P（O－i－C3H7）2]2（CO）10（Ⅱ）和Co6（μ3－S）2（μ－P五节杂环化合物）（μ6－η^3－P五节环化合物）（μ－CO）（CO）10（Ⅲ）,对它们可能的立本结构进行了推测。     

18Ar^q＋（q=1,2）与H和He碰撞的电荷剥离截面

采用二体碰撞近似和托马斯费米近似计算了多电荷离 子１８ Ａｒｑ＋ （ ｑ ＝ １ ,２） 与中性原子 Ｈ 和 Ｈｅ 碰撞的电荷剥离截面以及离子势函数和电子动量分布．计算结果与文献［５］ 中数据符合得较好．所用的计算公式和计算程序可以计算任何一个多电荷离子 Ａｑ＋ 与 Ｈ 和 Ｈｅ 碰撞的电荷剥离截面,因而具有一定的普遍意义     

^204Hg（n,^3He＋2Pn）^202Pt核反应截面的实验测量

首次报道￣（２０４）（ｎ，￣３Ｈｅ＋２Ｐｎ）￣（２０２）Ｐｔ核反应截面的实验测量结果为１μｂ量级，证实了中子截面系统学研究结果的可靠性。实验中所用的快中子源（Ｅ＿ｎ＝２１ＭｅＶ）是利用能量２５ＭｅＶ、流强１０μＡ质子轰击１ｍｍ厚铍靶而产生的；反应产物放射性Ｐｔ是通过化学分离法而得到的；γ能谱测量是采用低本底ＨＰＧｅγ谱仪。