首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 156 毫秒
1.
熔盐合成法制备CaTiO3粉体的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
以TiO2及CaCO3为原料,CaCl2为反应介质,对熔盐合成法制备CaTiO3粉体进行研究,并与固相合成法进行比较.结果表明,熔盐合成法可将纯相CaTiO3的合成温度从固相合成法所需的1 400 ℃降至800 ℃,熔盐法合成的CaTiO3粉末粒度较小(<0.5 μm),分布均匀,且具有很高的分散性.在熔盐合成法中由于CaCO3及TiO2在熔融CaCl2中有较高的溶解度,两者可在其中通过"溶解析出"机理进行反应,从而在较低的温度下生成单一相的CaTiO3.  相似文献   

2.
溶胶—凝胶法制备BaPbO3导电微粉   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了Sol-Gel法制备BaPbO3导电微粉的方法,研究了BaPbO3凝胶热处理过程中的反应机理,确定了钙钛矿结构BaPbO3的合成温度。测定了其导电率,并用Sol-Gel法在较低温度下合成了BaPbO2超微粉。  相似文献   

3.
采用溶胶凝胶法在一定条件下合成组成为0.91SrTiO_3+0.09(Bi_2O_3·3TiO_2)的高纯、超细陶瓷粉料。该粉料添加PbO.Li_2O,Cs_2O等物质.可制成高质量改性SrTiO_3电容器材料。用此法制备的电容器材料可大大地降低合成温度,经改性后可使其烧结温度展宽,并具有较为理想的介电常数和介电损牦。  相似文献   

4.
聚苯胺的合成及性能   总被引:6,自引:2,他引:6  
分别采用脉冲极化法和恒电流法聚苯胶膜的峰值电流合成聚苯胺,用循环伏安曲线对它的电化学性质进行表征,研究了温度对聚苯胺膜的峰值电流的影响.研究结果表明:脉冲极化法合成的聚苯胺膜在循环伏安曲线上的峰值电流比恒电流法合成的高,电化学活性强.扫描电镜照片表明这2种方法合成的膜结构不同,脉冲极化法合成的聚苯胺膜在介质条件分别为0.5 mol/L H2SO4和1 mol/L HNO3水溶液中合成的膜结构均为纤维状,且在HNO3介质条件下膜纤维形状更好,纤维长度更长;恒电流法合成的聚苯胺呈颗粒状.温度越高,聚苯胺膜的峰值电流越大,电化学活性越强,聚苯胺在对应电位时的电化学储能能力越强.  相似文献   

5.
以Fe2O3,MnO2,Cr2O3等为原料,分别在电热条件和微波条件下合成了棕色色料,并用SEM,XRD、色度仪等手段,表征了色料的成分与结构及不同合成方法对色料呈色的影响.结果表明:用微波法合成色料,其合成温度较之电热法降低了200℃,合成时间缩短至电热法的1/12,所合成的色料具有颗粒尺寸分布均匀、晶粒尺寸细小、形...  相似文献   

6.
用常规的高温合成法合成了CaO-SiO2-B2O3:Gd2O3玻璃,探讨了玻璃的最佳合成温度、玻璃的网络结构并研究了其发光性质.在CaO-SiO2-B2O3:Gd2O3玻璃体系中观察到了Gd3+的发射光谱.样品的激发光谱主激发峰在315 hill,对应于Gd3+的8S7/2→6P7/2,主发射峰在366 nm,对应于Gd8+的6P7/2→8S7/2研究了Gd3+的能级图.  相似文献   

7.
为提高乙炔气相法合成醋酸乙烯固定床催化剂的效率,增加乙炔气相法固定床工艺合成醋酸乙烯的产量,使用H2O2改进活性炭载体特性的方法,考察了活性炭改性时间、改性温度、改性剂用量对活性炭改性制得的合成醋酸乙烯固定床催化剂生产能力的影响.90℃下,用体积分数30%的H2O2对活性炭改性3 h.结果表明,改性后的活性炭作为催化剂载体的合成醋酸乙烯固定床催化剂的生产能力从1.92 g/(d.mL)提高到2.2 g/(d.mL).  相似文献   

8.
尖晶石型MAl2O4(M=Ni、Mg)纳米粉体的溶胶凝胶法制备及表征   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用溶胶-凝胶法合成了MAl2O4(M=Ni、Mg)尖晶石纳米粉体,无水乙醇溶解摩尔比nM(NO3)2∶nM(NO3)3=1 ∶ 2,草酸作络合剂,加热搅拌得到湿凝胶,继续干燥得到干凝胶,随后对于凝胶在不同温度下进行焙烧,得到了粉体状产物.用TG、DSC技术对前躯体干凝胶进行热分析,对煅烧粉末进行了XRD、TEM表征,并考察了煅烧温度对MAl2O4晶化程度的影响.实验结果表明:该方法制备单相且晶化程度较高的尖晶石型MAl2O4纳米粉体所需温度为800℃,比微波反应法合成温度降低200℃,比铝单醇盐Sol-Gel法降低100℃.  相似文献   

9.
分别用高温固相反应法及溶胶一凝胶法合成了Ba1.03Ce0.8Gd0.2O3-α固体电解质,测定了两种方法合成样品的结构和600℃~1000℃时的氢-空气燃料电池性能.结果表明,两种方法合成的样品均为钙钛矿型斜方晶结构,用溶胶一凝胶法合成的粉体的烧结温度为1450℃,比高温固相法的烧结温度(1650℃)降低了200℃,其燃料电池具有更好的性能.  相似文献   

10.
根据Ag2Se-Ga2Se3赝二元相图,对AgGa1-xInxSe2按同成分点配料,通过机械和温度振荡的方法合成出AgGa1-xInxSe2多晶材料.并对合成的多晶材料进行了XRD测试,与直接法合成的AgGa1-xInxSe多晶材料进行对比.结果表明,改进工艺后合成的AgGa1-xInxSe2多晶材料的图谱与标准PDF卡片相符,表明其是高纯单相的AgGa1-xInxSe2多晶材料.用新方法合成的AgGa1-xInxSe2多晶材料进行单晶生长,获得了完整的AgGa1-xInxSe2单晶体.实验结果表明,机械和温度振荡法是合成高质量AgGa1-xInxSe2多晶材料的一种有效方法.  相似文献   

11.
在高温超导体中存在着一类无自旋,带电量为2e(e 为自由电子电荷)、质量为2m(m 为自由电子质量)的 Bose 激子,它们描述对电子的传播特性.这类激子在临界温度下的Bose 凝聚而导致高温超导电性.在这样的理论框架下,计算了高温超导体的转变温度,结果与实验符合.  相似文献   

12.
各向异性Ginzburg-Landau超导模型整体极小元的注记   总被引:1,自引:1,他引:0  
研究当磁场$h_{ex}$小于第一临界磁场$H_{C_{1}}$时,各向异性Ginzburg-Landau超导模型整体极小元的存在性了;找到了存在无涡漩的整体极小元;当$H_{c_{1}}h_{ex}H_{c_{2}}$时,证明了涡漩的密度等于外加磁场.  相似文献   

13.
14.
报导以低品位Er_2O_3(纯度91%)为原料,采用固态反应法制备Er-Ba-Cu-O体系超导体大块样品的工艺、高温超导电性测量、X射线粉末衍射和扫描电镜分析的研究结果.  相似文献   

15.
合成了7个烃基三氯化锡的配合物RSnCl_3·nL(R=Bu,EtOCOCH_2CH_2,BuOCOCH_2CH_2;n=1,2;L=P_3~hP,P_3~hPO,DMSO,HMPA),其中有4个配合物未见文献报道。通过元素分析、IR、NMR等对上述配合物进行了表征,并对其性质作了初步研究。  相似文献   

16.
本文在BCS理论的基础上考虑了电子-原子实的作用对T_c的影响,这个影响相当于电子之间的一个关联作用,由此利用Gorkov的电子对格林函数方法得到T_c公式。用这个模型对最近的高温超导能作一些解释。  相似文献   

17.
FeCl_3 石墨层间化合物合成工艺再探   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文采用熔盐法利用自制的合成装置合成了较纯净的1阶、2阶FeCl3-GIC;探讨了合成条件对插入率、阶结构、反应完成程度等的影响。得到了与前人不同的结论,并有良好的实验重复性。  相似文献   

18.
以NC-129为先导化合物,合成了一系列2-特丁基(苯基)-4-5-巯(羟)基取代苯乙酮(肟)-3(2H)-哒嗪酮衍生物1a~1q对中间体2-苯基-4-氯-5-巯基-3(2H)-哒嗪酮的合成方法进行了改进,并采用一锅煮方法合成了目标产物Ig~Ii初生物活性测定表明,多数化合物具有较好的植物生长激素活性。  相似文献   

19.
异核双金属配合物的合成及催化性能的研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
本文合成了一种新型的金属有机双齿配体,并借助于金属配体中桥配体的桥联作用,合成了与Cd(Ⅱ)和Hg(Ⅱ)卤化物所形成的双金属配合物,对其结构进行了表征,研究了此类化合物对于CO2与环氧乙烷反应制备碳酸乙烯酯反应的催化性能,讨论了反应条件的影响.实验结果表明:(1)在相同的反应条件下,就配合物的催化活性而言:Fe(CO)3L2-(HgI2)2>HgI2>Fe(CO)3L2-(HgCl2)2>Fg(CO)3L2>Fg(CO)3L2-CdCl2(L=PhMePpy).(2)对于同一种化合物,反应条件的影响规律是:高温高压有利于催化反应.  相似文献   

20.
本文报道合成了八个有机硅化合物,均可用作甲基丙烯酸甲酯的基团转移聚合(Group Transfer Polymerization GTP)引发剂,在相同单体、催化剂、溶剂配比和聚合条件下,进行反应,所得产物用凝胶渗透色谱(GPC)作了分子量及分量分布的表征,引发剂的结构和活性对产物的分子量和分布宽度均有显着影响,所用引发剂中以1-甲氧基-1-(三甲硅氧基)-2-甲基-1-丙烯和双(乙氧基)-3-甲氧基-3-(三甲硅氧基)-2-甲基-2-丙烯-1-磷酸酯引发剂,所得产物的分子虽分布最窄,分子量的绝对位与理论值相近,分子量与理论值的偏离是随产物分子量分布宽度的增加而增大.  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号