Mg^＋,Nb^＋离子注入对SnO2薄膜晶粒热稳定性的影响

采用Ａｒ＾＋离子溅射方法将３００ｎｍ ＳｎＯ２薄膜沉积在Ｓｉ片上，分别对膜层进行６０ｋｅＶ，５×１０＾１６ｃｍ＾－２Ｍｇ＾＋离子注入和１００ｋｄＶ，６×１０＾１６ｃｍ＾－１Ｎｂ＾＋离子注入，对未注入，Ｍｇ＾＋离子注入，Ｎｂ＾＋离子注入３种薄膜进行５００℃，４ｈ退火处理．     

双束注入的晶格应变

用双晶ｘ射线衍射仪测出了注入能量为１８０ｋｅＶ,不同注入剂量和不同退火温度的Ｎ＾＋＋Ａｓ＾＋双束离子注入的摇摆曲线。利用离子注入的多层模型,试探应变函数和ｘ射线衍射的运动学理论,借助于计算机,用Ｌｅｖｅｎｂｅｒｇ－Ｍａｒｕａｒｄｔ最优化法拟合实验曲线,给出了不同剂 退火温度晶格应变随注入深度的变化。     

Si^＋／As^＋双离子注入SI—GaAs对注入层电激活均匀性改？…

研究了单（Ｓｉ＾＋）双（Ｓｉ＾＋／Ａｓ＾＋）离子注入半绝缘砷化镓电激活的均匀性,结果表明,ＬＥＣＳｉ－ＧａＡｓ衬底中深电子陷阱能级均匀性分布好坏,对注入层电激活性有一定影响,当ＳＩ－ＧａＡｓ中碳含量小于５＊１０＾１５ｃｍ＾－３时,对注入层电激活影响不大,采用多重能量Ｓｉ＾＋注入,可改善栽流子纵向分布的均匀性,采用Ｓｉ＾＋／Ａｓ＾＋双离子注入可改善ＬＥＣ ＳＩ－ＧａＡｓ衬底中ＥＬ２横向不均匀分布对电     

Si^＋和Ti^＋注入H13钢注入层微观结构的研究

利用透射电子显微镜，分析了Ｓｉ＾＋（１００ｋｅＶ，５×１０＾１７ｃｍ＾－２）和Ｔｉ（１００ｋｅＶ，３×１０＾１７ｃｍ＾－２）注入Ｈ１３钢注入微观结构的变化，结果表明，离子注入后板条状马氏体完全消失，Ｓｉ＾＋注入导致注入层晶粒细化，而Ｔｉ注入导致注入层非晶化。     

等离子体浸没离子注入豌豆种子对过氧化物酶同工酶的影响

用等离子体浸没离子注入设备对豌豆种子进行N~+注入.用聚丙烯酰胺凝胶电泳技术对豌豆胚芽中的过氧化物酶同工酶进行分离,用联苯胺染色法进行显色.发现过氧化物酶同工酶的活性和数量随离子注入剂量的变化而呈明显变化.酶谱分析可知,注入离子影响了过氧化物酶同工酶酶谱和迁移率.说明离子注入对生物体的影响可在同工酶水平上得到反映.从一个侧面证实了注入离子与生物酶分子之间存在质量沉积和电荷交换效应.     

基于等离子体注入设备的离子剂量检测装置

针对等离子体浸没式离子注入（PIII）过程中,无法对实际注入目标基板的离子剂量进行检测和显示的问题,设计了一套基于PIII设备的离子剂量检测装置。该装置围绕注入基板放置离子检测装置,等离子体注入过程中,通过信号调理电路和LabVIEW数据采集卡对检测信号进行分析处理,以实现等离子体注入剂量的实时监测。实验结果表明,基于PIII设备的离子剂量检测装置能够有效收集等离子体进行检测,检测结果可以为腔室结构优化和注入工艺改良提供参考依据。     

重离子注入对汪麦染色体畸变率的影响

采用中科院近代物理研究所１００Ｋｅｖ,２００Ｋｅｖ及２０ｍｅｖ离子注入机,产生不同剂量的Ｃ＾１＋、Ｎ＾１＋、ｅ＾１＋对春小麦品种“８１５２９”及Ｎ＾７＋对“８２５７９”进入注入实验,研究对小麦染色体畸变率的影响及其生理生化效应。研究结果表明：①不则离子同一剂量对小麦染色体畸变率的影响不同;②同一离子随剂量的增加染色体畸变率呈上升趋势;③小麦剥皮后提高了离子注入的敏感性;④中能离子注入对小麦染色体畸     

C,W和C＋W离子注入钢表面纳米相镶嵌复合层结构电？…

选取质量差异很大的Ｃ,Ｗ和Ｃ＋Ｗ对钢进行离子注入,用ＴＥＭ对注入样品横截面进行结构分析。结果表明：注入层结构发生了明显的变化,形成了纳米相镶嵌复合层,Ｗ注入复合层的厚度大约是相应离子射程的１６．３倍。     

C60薄膜的离化团族束沉积及离子掺杂

用离化团簇束（ＩＣＢ）沉积法在石英玻璃和云母衬底上形成了Ｃ６０薄膜,ＸＲＤ测试表明膜呈多晶结构,原位电阻测试表明膜的室温电阻率超过１０＾４Ωｃｍ,具有负的电阻温度系数。用８０ｋｅＶ Ｐ＾＋,ＢＢｒ３＾＋,Ａｒ＾＋和Ｈｅ＾＋对Ｃ６０膜作剂量范围为０￣１０＾１６ｃｍ＾－２的离子注入,Ｃ６０膜的电阻率随注入剂量增加而急剧下降,磷注入具有ｎ型掺杂作用,离子与Ｃ６０分子的相互作用导致Ｃ６０分子分裂,引起薄膜     

C, W和C+W离子注入钢表面纳米相镶嵌复合层结构电子显微镜分析

选取质量差异很大的C,W和C+W对钢进行离子注入,用TEM对注入样品横截面进行结构分析.结果表明:注入层结构发生了明显的变化,形成了纳米相镶嵌复合层,W注入复合层的厚度大约是相应离子射程的16.3倍.C+W注入改性层是由注入层、过渡层和缺陷层构成的,其厚度为694nm,该厚度是离子射程的25.1倍.3种条件下注入, 其结构变化有明显的差异.用TRIM95程序对3种离子注入的碰撞参数进行了计算,结果表明其结构的变化明显地与注入参数相关.还分析了纳米相镶嵌复合层结构的形成机理.     

离子注入材料表面改性及其在摩擦学中的应用

对离子注入材料表面改性及其在摩擦学中的应用进行了综述.大量文献资料表明,离子注入是改善材料摩擦学性能的一种有效方法,许多金属离子或非金属离子均可注入到金属、陶瓷、高分子等材料的表面以改善其摩擦学性能.离子注入对材料表面耐磨性能改善的效果取决于注入离子的种类、注入剂量、注入能量和注入温度.讨论了为使该技术更加广泛地应用于实际摩擦学体系还须研究的一些问题.     

LC-14型强流氧注入机注入均匀性的背散射分析报告

报道了应用双指数函数对大注量氧注入硅的背散射谱进行拟合,成功地分离出注入的氧峰.数据处理结果表明,氧注量的均匀性以标准偏差表示为7.8%,基本上达到了设计要求.计算了注氧层和表面硅层的厚度,并且还对注量进行了校正.     

Ti离子注入聚合物纳米结构分析

采用MEVVA源引出的Ti等离子注入聚酯 (PET)薄膜 ,注量在 1× 10 172× 10 17cm- 2 范围 .用透射电子显微镜分析了金属离子注入PET纳米结构随注量增加的变化 .结果表明 ,注入的Ti原子在PET中形成了密集的纳米相 ,这些纳米相均匀地弥散分布在注入层中 .用透射电子显微镜 (TEM )观察横截面表明 ,注入层为 3层结构 .可见Ti的注入已经在注入层中形成了金属化表面 .表面硬度、抗磨损特性和电导率明显地增加 .最后分析了金属离子注入对聚合物特性的改善机理 .     

Plasma Immersion Ion Implantation of the Pea Seed and Its RBS Spectra

Plasma immersion ion implantation (PI~3), a new technique with certain advantages over biological samples, was developed. Argonion as well as nitrogen ion implantation of the pea seeds has been carried out with the PI~3 implanter and their RBS spectra were also studied. The results show that the mass deposition effect of ion implantation on biological samples can be achieved with the PI~3 implanter. In addition, there is an optimal implantation time for a given treatment condition. It presents new possibilities for the ion implantation into biological samples.     

钒和碳双注入钢的纳米结构、强化机制和抗磨损特性

研究了V C双重离子注入合成纳米结构、相变和抗磨损机制．研究表明，注入后可改变钢的成分，V与Fe原子比最高可达到28％；形成了纳米相弥散强化结构和无序相强化结构．从而提高了钢表面硬度，表面硬度可提高23％～146％；抗磨损也有着明显的提高，磨损阻抗为未注入钢的2．2～3．6倍．     

MEVVA离子源金属掺杂蓝宝石着色的研究

利用金属蒸气真空弧（ＭＥＶＶＡ）离子源将金属离子掺杂到无色人工合成蓝宝石中。研究在不同元素的注入条件下和退火过程中蓝宝石的着色情况。利用ＲＢＳ研究掺杂元素在蓝宝石表面的分布状况,ＸＲＤ分析蓝宝石金属掺杂层的物相变化,通过对金属掺杂蓝宝石的可见光吸收的测试,获得掺杂元素与蓝宝石着色的关系。     

管型材料离子注入内表面改性研究进展

利用在管材中心引入同轴接地电极并在金属管材上加脉冲负偏压以产生径向离子加速电场,实现了金属管材内表面离子注入。目前国内外还有其它一些技术手段实现材料内表面改性,如脉冲放电爆炸金属箔注入、离子束溅射沉积、等离子体化学气相沉积法等。这些实验方法所遇到的主要问题是离子注入沿轴向不均匀、膜与基底结合不牢。在原实验方法基础上,又提出了一种新的方法——栅极增强等离子体源离子注入法。实验结果表明：此方法不但可以大大提高离子注入沿轴向的均匀性,而且可以实现气体离子和金属离子两种离子的共同注入。     

Research progress in the inner surface modification of metal tubes by plasma processing

The recent progress in inner surface hardening of tubes by plasma processing is summerized. Several techniques of inner surface plasma source ion implantation and deposition are introduced, and their advantages and disadvantages are discussed. The basic principles, technical features and new progress of inner surface plasma source ion implantation methods for metal tubes, which were developed in our laboratory, are described in detail. And perspectives of the future technical development for inner surface ion implantation of tubes are presented.     

注入电压对Ti6A14V合金离子注氧层结构的影响

采用等离子体基氧离子注入技术对Ti6A14V合金进行表面处理。注入电压选取-30和-50kV。注入层的结构用X射线光电子能谱、小掠射角X射线衍射、Raman光谱进行表征。注入样品在注氧层中均形成了以TiO_2为主的键结构,-30kV低电压注入样品的注氧层中TiO_2为非晶态,经过500℃真空退火后,TiO_2结晶形成金红石。而-50kV高注入电压则可在注氧层中直接形成粒径为nm的金红石。