TiO2/Si与TiO2-SnO2/Si的制备及表面光伏特性

用溶胶 -凝胶法在 p型单晶硅的表面镀上一层TiO2 或TiO2 -SnO2 纳米结构薄膜 ,并用表面光电压谱 (SPS)研究了TiO2 /Si和TiO2 -SnO2 /Si的表面光伏特性 .结果表明 ,在单晶硅表面镀一层TiO2 或TiO2 -SnO2 薄膜后所得的复合纳米材料的光伏效应比单晶硅提高了 1个数量级 ,且在 4 0 0～ 70 0℃热处理温度范围内TiO2 /Si和TiO2 -SnO2 /Si的光伏效应均随着温度的升高而增强 ,同一温度下TiO2 -SnO2 /Si的光伏效应比TiO2 /Si强     

TiO2过渡层对BiFeO3薄膜微结构和铁电磁性质的影响

研究了TiO2过渡层对BiFeO3薄膜微结构和铁电磁性质的影响.采用溶胶-凝胶法分别在Si（100）和Pt（111）/Ti/SiO2/Si（100）衬底上制备了BiFeO3薄膜.通过加入约10 nm厚度的TiO2过渡层,在两种衬底上均制备出了纯相BiFeO3薄膜,而未加过渡层的薄膜均有杂相存在.与未加TiO2过渡层相比较,BiFeO3/TiO2薄膜表面颗粒大小更加均匀、致密、平整.在室温10kHz下沉积在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上的薄膜的损耗从0.094下降到0.028;而薄膜的介电常数变化不大,分别为177和161.在室温下同时测得了薄膜的电滞回线和磁滞回线.BiFeO3/TiO2薄膜的饱和磁化强度为16.8 emu/cm3,在600kV/cm电场下,剩余极化强度为9.8μC/cm2.研究表明,TiO2过渡层能够有效地抑制Bi FeO3薄膜杂相的生成,提高薄膜的表面平整度以及耐压性.     

煅烧温度对TiO2/Si光电效应的影响

采用溶胶 -凝胶法在P -型单晶硅的表面镀上一层TiO2 薄膜 ,并在 2 0 0～ 90 0℃下煅烧得到TiO2 Si复合材料 .研究结果发现 ,经不同温度煅烧得到的TiO2 Si复合材料中TiO2 的晶相结构以及复合材料的吸光性能不同 ,其光电响应特性亦不同 .经 40 0℃煅烧得到的复合材料的光电压最强 ,相对于单晶硅约提高了 3个数量级     

CeO_2-SiO_2薄膜对硅太阳电池的减反射作用

本文报道新近研制成功的CeO_2-SiO_2薄膜的制备方法及薄膜的光学特性。作为硅太阳电池的减反射膜,CeO_2-SiO_2薄膜具有良好的减反射性能。实验结果表明,在AM1.5条件下,(输入光强为100mw/cm~2),与无减反射膜太阳电池相比,短路电流增加39.2％,与SiO减反射膜太阳电池相比,短路电流提高8％。这种减反射膜尚未见其它文献报道。     

TiO2/SiO2复合光催化剂制备工艺参数优化及其表征

先以无机钛盐、硅酸盐为原料制取聚合硅酸硫酸钛,再通过液相水解法制得TiO2/SiO2复合光催化剂,并用SEM、XRD、BET和甲基橙脱色率对复合光催化剂进行表征.结果表明,TiO2/SiO2复合光催化剂制备优化工艺参数为:Ti(SO4)2作钛源、Ti/Si摩尔比为12∶1、水解反应pH值为6、煅烧温度为650℃,以此条件制备的复合光催化剂对甲基橙脱色率可达98.6％以上；TiO2/SiO2复合光催化剂为一种分散均匀的纳米级球形颗粒,其成分为以锐钛矿为主的TiO2,SiO2的复合有效抑制了TiO2晶粒的生长,同时提高了TiO2的热稳定性.     

TiO2/SiO2复合光催化剂制备工艺参数优化及其表征

先以无机钛盐、硅酸盐为原料制取聚合硅酸硫酸钛,再通过液相水解法制得TiO2/SiO2复合光催化剂,并用SEM、XRD、BET和甲基橙脱色率对复合光催化剂进行表征。结果表明,TiO2/SiO2复合光催化剂制备优化工艺参数为:Ti(SO4)2作钛源、Ti/Si摩尔比为12∶1、水解反应pH值为6、煅烧温度为650℃,以此条件制备的复合光催化剂对甲基橙脱色率可达98.6%以上;TiO2/SiO2复合光催化剂为一种分散均匀的纳米级球形颗粒,其成分为以锐钛矿为主的TiO2,SiO2的复合有效抑制了TiO2晶粒的生长,同时提高了TiO2的热稳定性。     

TiO_2/SiO_2复合材料的制备及其光催化性能的研究

以钛酸丁酯和正硅酸乙酯为主要原料,用两步溶胶-凝胶法制备了TiO2/SiO2复合材料,并对其光催化降解活性艳红X-3B溶液的性能进行了研究,考察了Ti∶Si摩尔比、焙烧温度、初始浓度和催化剂用量对其光催化降解率的影响。结果表明,当n(Ti)∶n(Si)=6∶1,焙烧温度为500℃时TiO2/SiO2复合材料的光催化活性最好,比相同条件下纯TiO2的光催化活性有明显提高;相同条件下,降解率随溶液初始浓度的升高而降低,催化剂用量存在最佳值,25 mg/L的活性艳红X-3B溶液,催化剂用量的最佳值为1.6 g/L。     

PECVDSiO2/Si3N4双层膜驻极体性能

本文研究了在带有Cr/Au电极的玻璃衬底上利用PECVD制备的SiO2/Si3N4双层膜驻极体性能。针对这种驻极体提出了一个简单的工艺流程暴露出一部分金属电极,并在电晕注极过程中将底电极引出接地。通过实验改变电晕注极过程中的注极时间、温度等因素,希望得到对PECVD制备的SiO2/Si3N4双层膜驻极体性能的优化。本文证实了PECVD双层膜具备良好的驻极体性能,有望广泛应用于微器件中。     

GaAs太阳电池减反射膜的设计

利用实际测量的光谱响应结果来对GaAs单结太阳电池减反射膜进行设计优化. 先初步设计单结GaAs太阳电池SiN减反射膜厚度,然后太阳电池片样品进行光谱响应测量. 利用实际测量的光谱响应结果推算电池样品在AM1.5条件下的无反射时光谱响应,根据计算的结果来对GaAs单结太阳电池减反射膜厚度进行设计优化. 优化结果表明83nm为GaAs单结太阳电池单层减反射膜厚度的最优值.     

钝化硅太阳电池减反射膜的研究

从多层膜系在某一波长的反射率的计算原理和计算方法入手，采用等效分界面和权重反射率Ｒｗ的概念，给出了多层膜系优化的普适方法．具体计算了钝化太阳电池（含ＳｉＯ２钝化层）的单层减反射膜和双层减反射膜的优化设计，给出了常用减反射材料的最佳膜厚值，并得出结论：双层膜的减反射效果优于单层膜，平面双层减反射膜的权重反射率Ｒｗ小于６％，加微槽结构后降至２％以下（ＳｉＯ２钝化层厚度为２５ｎｍ）．     

CO_2保护等离子弧物理特性的研究

本文对新型的 CO_2保护等离子弧的物理特性进行了试验研究。研究表明,CO_2保护气流对等离子弧产生再压缩效应,造成了 CO_2保护等离子弧,在能量特性、物理特性和工艺性能方面具有与普通等离子弧不同的特点。研究结果为 CO_2保护等离子弧在焊接和切割中的推广应用以及制定合理的工艺,提供了理论依据。     

基于IRR信息的改进ARC算法

缓存是增强计算机整体性能的一项重要技术,缓存替换算法作为核心技术尤为重要。通过深入研究多种数据访问模式下ARC(adaptive replacement cache)算法的性能,总结出ARC算法性能较差的数据访问模式及其原因。针对发现的不足提出了一种改进的缓存替换算法,该算法通过引入IRR(inter reference recency)信息,提高了弱局部性访问模式下的缓存命中率,改善了ARC算法对不同数据访问模式的适应性。仿真实验结果表明,改进后的算法提升了应对弱局部性访问模式的能力,增强了算法的灵活性。     

CO2气体保护焊焊缝几何形状的数学模型

采用回归正交试验设计方法建立了细丝ＣＯ２气体保护焊短短过渡时焊缝几何形状和尺寸与烛工艺参数即电弧电压、焊接电流、焊接速度、焊枪角度、干伸长度间关系的数学模型。     

藏北羌塘地区岛弧花岗岩和外弧花岗岩

羌塘地区花岗岩类岩体大多数沿羌塘陆块的冈玛错-西亚尔岗岛弧分布。岩石类型有花岗岩、黑云母花岗岩,花岗闪长岩、石英闪长岩、闪长岩等,有的岩体还与酸—基性火山岩伴生。侵入体同位素年龄值为135.3—302Ma,为多期侵入,主要为燕山早期(135.3—186.3Ma),少数为燕山晚期。个别同位素年龄值为74.2和99.6Ma,最早不超过燕山晚期。花岗岩类岩体另一分布区是改则-色哇缝合带北侧。岩石类型较单一,主要是酸性岩类的花岗岩、花岗斑岩、黑云母花岗岩、角闪黑云花岗岩等,几乎不出现中性岩。同位素年龄值为120.9—129.8Ma,为燕山晚期产物。     

SF6断路器灭弧室内电弧阻塞效应的有限元分析

提出了计算稳态燃弧时SF6灭弧室内的热气流流场情况的新的有限元算法,分析了电弧与气流场的耦合,通过主要参数变化情况的分析,说明了电弧阻塞效应对电弧与气流相互作用产生的影响。     

CO_2气体保护焊短路过渡过程与电参数的关系

用计算机控制的高性能数据采集系统对 CO2 焊短路过渡过程的电参数进行了研究 .分析认为可利用电弧电压来指示熔滴短路及电弧复燃 ,利用电弧电压的微分来指示液体小桥缩颈 ,为 CO2 焊短路过渡实时控制奠定了基础 .     

双纽线｜w~2 c｜=1的弧长函数

设ｓ（ｃ）为双纽线｜ｗ２＋ｃ｜＝１的弧长,ｃ∈［０,＋∞）．本文证明了ｓ″（ｃ）＞０,ｃ∈（０,１）∪（１,＋∞）．最后,我们提出了一个关于ｓ（ｎ）（ｃ）的问题     

模糊圆弧概念的研究

基于模糊数学的基本理论,介绍和讨论了一个新概念-模糊圆弧,如果一个二维平面上的简单曲线段趋近于一个圆弧,就可以求出它的模糊圆弧.一个模糊圆弧由一条简单曲线段和该曲线段的圆度函数共同给出.并探讨了模糊圆弧的并、交、补运算.     

SF6断路器灭弧室内电弧与气流间的相互作用

采用将一维电弧模型与二维气流场相结合的计算方法，对ＳＦ６断路器灭弧室内大电流稳态燃弧期间电弧与气流间的相互作用进行了计算分析，着重研究了电弧阻塞效应及其应用，并对不同灭弧室结构对热气流场的影响进行了探讨，最后给出了更适合于混合型ＳＦ６断路器的灭弧室结构。     

喷口电弧的微分-积分模型

本文在能量守恒、质量守恒、动量守恒、欧姆定律的基础上,提出了一种描述气流中喷口电弧特性的新的物理数学模型—微分-积分模型。由于这一模型既具有积分模型的优点,又具有微分模型的优点,因而较为实用和精确。本文应用这一新型微分-积分电弧模型对SF_6喷口电弧的特性进行了计算,并与一些试验进行了对比。