X射线分光晶体TAP生长动力学

采用静态体现显微法测量在饱和点为３２２．１５Ｋ下水溶液中ＴＡＰ晶体各显露面的生长速率Ｒ，然后将实验数据用电子计算机归纳出Ｒ与σ的关系。用ＢＣＦ面扩散模型对生长机理进行了探讨，认为ＴＡＰ晶体的水溶液生长机制是面扩散起主导作用。     

超软X射线分光晶体癸二酸十八酯的生长

合成了有机晶体材料癸二酸十八酯（ＤＯＳ）,并进行多种有机溶剂中ＤＯＳ的结晶性实验测定了ＤＯＳ在苯或甲苯为主溶剂中的溶解度曲线以苯为主溶剂生长出尺寸约１８ｍｍ×１５ｍｍ×０３ｍｍ的透明晶体     

软X射线分光晶体马来酸十八酯的生长研究

合成了软X射线分光晶体马来酸十八酯(DOM),并对其进行了表征和鉴定.对DOM在多种有机溶剂中的结晶性能进行了实验,结果表明,DOM在有机溶剂中的成核趋势均很强,在甲苯和苯中具有较好的结晶特性.测定了DOM在苯和甲苯中的溶解度曲线,并分别以这两种溶剂采用溶液降温法进行了晶体生长实验.     

超软X射线分光晶体OHS溶液性质的研究

较系统地观察研究了ＯＨＳ晶体在各种有机溶剂中自发结晶的规律和结晶习性，测定了ＯＨＳ在苯和甲苯中的溶解度曲线和介稳区宽度。提出了单晶生长较合适的溶剂和生长温度区间，对溶液的状态进行了讨论。     

微机在X射线晶体分析中的应用

本文介绍在X射线晶体分析过程中,应用微机处理立方晶系德拜像的数据,确定晶格常数、晶面指数及对应的晶体,并能在监示屏上直观图解,显示晶体分析的过程。     

X射线分光晶体的本征参数及其测试

简介表征X射线分光晶体衍射特性的三个本征参数:峰值衍射系数(P),积分反射系数(R)及衍射半宽度(W),介绍测量本征参数的双晶衍射仪及其调整要点,以部分测试结果说明晶体衍射本征参数在研制光谱仪时配备适当的晶体和探索晶体元件制作工艺条件等方面的应用。     

人工水晶缺陷的X射线形貌术研究

应用Ｘ射线Ｌａｎｇ形貌术术法对三批不同Ｑ值的Ｙ棒水晶进行了研究,观察到了沉淀物,生长条纹和位错等缺陷,从各种不同的衍射矢量证实了「１１２０」衍射为观察Ｚ区位错线的最佳衍射;测定了Ｙ俸水晶片Ｚ区的位错密度,并对晶片Ｑ值与位错密度ρ之间的关系进行了初步分析。     

碘化汞室温X射线探测器的研制

碘化汞室温Ｘ射线探测器的研制李正辉，邹联隆，曹瑞钦，李伟堂（材料科学系）自本世纪７０年代初Ｗｉｌｌｉｎｇ等首先用碘化汞（ＨｇＩ２）晶体制成室温半导体核辐射探测器［１］以来，该晶体在生长和应用等方面都取得了很大的进展［２～４］．由于ＨｇＩ２晶体有效原子...     

X射线衍射仪精确测定点阵常数的研究

Ｘ射线衍射测定晶体点阵常数是基本的实验方法．用普通Ｘ射线衍射仪粉末法测定硅点阵常数，比较了不同测试方法和计算方法，以定点扫描三点抛物线法定峰、ｃｏｓ２θ外推法计算结果最佳．     

HB掺In-GaAs晶体缺陷的X射线形貌研究

利用X射线形貌术,结合电子探针研究HB掺In-GaAs晶体缺陷的问题。实验结果表明,等电子掺杂In非常明显地降低了HB法GaAs晶体的缺陷,但其掺入量及其均匀分布十分关键。     

光谱在晶体材料测试方面的应用

总结了目前用于检测晶体材料的四种常用的光谱分析方法:晶体衍射谱、红外光谱、拉曼光谱和THz光谱,及其各自的材料应用范围.分析实验所得的LiTaO3和LiNbO3拉曼光谱图,并计算LN晶体中Li的组分含量.     

一维光子晶体多缺陷耦合的多通道滤波

利用传输矩阵法研究了含有多个缺陷且缺陷等距分布的一维光子晶体的透射谱.通过计算一个由1/4波片堆组成5个缺陷的一维光子晶体的透射比,发现缺陷间的距离每增加1个周期,禁带中的5个透射峰均向中心波长靠近,且1号峰向长波方向移到距离增加前2号峰的波长处,5号峰向短波方向移动到距离增加前的4号峰波长处.通过镀膜工艺,制备了这种缺陷结构,并用MP-5000分光光度计对其特性进行了测量.结果表明,实验结果与理论结果一致.缺陷层之间距离与透射峰位置的对应关系,对于多通道滤波器设计具有参考价值.     

用RAP晶体加工废料制备硒酸氢铷

采用 4种不同的方法对邻苯二甲酸氢铷 (RAP)晶体加工废料进行处理 ,制成硒酸氢铷晶体的生长原料 .同时对这些途径进行比较 ,得出较佳的研制线路 .     

含有缺陷的二维光子晶体能带特性

为进一步研究有缺陷光子晶体的能带特性，并以此作为光子晶体器件的设计理论依据，利用倒易空间的概念，得到了正方晶格的最小布里渊区的分布、采用时域有限差分加Bloch边界方法得到了二维光子晶体的能带特性．结合超元胞的方法计算了含有点缺陷和线缺陷的光子晶体的特性，并且得到了缺陷模式的场分布，通过对能带特性的分析，将对光子晶体的研究从量子阱结构发展到了量子点结构．     

光子晶体点缺陷在入射光激励下的响应特性研究

研究了光子晶体点缺陷在入射光激励下的响应特性,通过理论分析可以获得点缺陷的透射谱.分析发现,非线性点缺陷的缺陷模在入射光的激励下发生动态移动,且满足两个特征:首先,入射光功率强度越大,缺陷模移动幅度越大.其次,整个缺陷模的透射率随着功率强度的增大而降低.采用泵浦-探测技术的数值模拟方法可获得非线性点缺陷的动态特征.泵浦光和探测光可以选择不同频率以使缺陷模的特征比较清晰.所得现象与理论分析结果一致.该结论为该类光子晶体的应用提供理论依据.     

基于同步辐射白光形貌术和X射线迹线法的6H-SiC单晶结构缺陷研究

[目的]SiC材料结构缺陷的检测和控制是实现材料应用的关键环节,因此本文对6H-SiC单晶中的结构缺陷进行研究。[方法]采用同步辐射白光形貌术观察6H-SiC单晶中的基本螺位错和基平面弯曲,并利用X射线迹线法模拟基本螺位错的形貌和基平面弯曲后衍射斑点的形状。[结果]6H-SiC单晶中的典型结构缺陷之一为基本螺位错,它的形貌特征为白色的圆斑;由于热弹应力的存在,6H-SiC单晶在生长过程中容易发生基平面弯曲,结果导致衍射斑点的形状发生改变。[结论]同步辐射白光形貌术和X射线迹线法可以用于检测6H-SiC单晶结构缺陷;样品的基本螺位错密度为1.56×10~4/cm~2,基平面弯曲半径近似为1m。