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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 125 毫秒
1.
在保持Si晶体模型完全周期性的边界条件下, 采用位错偶极子模型在其内部建立一对螺位错. 通过Parrinello-Rahman方法对模型施加剪应力, 并应用分子动力学计算位错运动速度及交滑移的发生与外加剪应力间的关系. 在此基础上进一步研究晶体内的空位缺陷对螺位错运动的影响. 结果表明, 在位错滑移面上的六边形环状空位聚集体可加速螺位错的运动, 并且螺位错能通过交滑移跨越该空位缺陷, 避免产生钉扎现象. 揭示了低温层中大量存在的空位缺陷是降低位错密度的原因.   相似文献   

2.
在室温下采取恒塑性应变幅控制研究了单滑移取向[123]铜单晶体的循环形变过程.塑性应变幅为1×10-3.通过扫描电子显微镜-电子通道衬度(SEM-ECC)技术对同一试样在不同循环周次进行疲劳过程位错组态演化,以及驻留滑移带(PSB)的形成和它的表面形貌观察.对比了不同周次的位错组态,从而把疲劳过程的早期位错演化分为主滑移平面上的主刃型位错和基体位错墙间的螺型位错段起主要作用的两个阶段.同时也提出了一个关于PSB形成的可能机制:当基体位错墙的间距与墙的宽度都达到一临界值时,由于基体位错墙两边的螺型位错段对基体位错墙施加不平衡的作用力,当此力达到临界值时导致基体位错墙的连锁性破坏,从而形成驻留滑移线(PSL).随着循环周次的增加,与PSL相邻的螺型位错段继续作用而最终导致PSB的形成.  相似文献   

3.
基于位错理论,利用分子动力学和第一性原理的方法建立并计算铂(Pt)中<110>(111)刃型位错结构、能量及电子结构.结果表明:<110>(111)的位错芯能量为2.400 eV,位错芯半径为0.5549 nm;计算位错中心区原子的格位能,位错中心区未滑移的原子能量比发生滑移的原子能量低,即未发生滑移的原子更为稳定;对...  相似文献   

4.
研究在无穷远纵向剪切和平面内电场作用下压电智能材料中螺型位错与考虑界面应力纳米尺度夹杂(纤维)间的力电耦合交互作用.运用复势方法,求解了夹杂和基体中复势函数的解析解以及应力场和电位移场分量.利用广义Peach-Koehler公式,给出了作用在压电螺型位错上位错像力的解析解答.研究结果表明:当夹杂的半径缩减到纳米尺度时,界面效应对夹杂(纤维)附近位错运动和平衡位置的影响将变得非常显著.正界面效应将排斥基体中的位错;当存在正的界面效应时,软夹杂能排斥界面附近的压电螺型位错.  相似文献   

5.
根据理论分析和实验观察表明.Ⅲ型裂纹尖端应力场中存在的偏聚氢原子将对该应力场中的发射位错产生附加作用力.此作用力使裂尖发射出的螺位错离开裂尖区域的阻力增大.导致裂尖无位错区变短.同时、裂尖区域偏聚氢原子促进螺位错以交滑移的方式运动.  相似文献   

6.
【目的】研究剪切应变作用下晶体的位错攀滑移运动特征,揭示原子晶格势垒、剪切应变对位错运动特征的作用机理。【方法】根据位错滑移运动,构建包含外力场与晶格原子密度耦合作用项的体系自由能密度函数,建立剪切应变作用体系的晶体相场模型,模拟位错攀移和滑移运动,计算临界应变。【结果】位错攀移克服的势垒大于滑移的阻力势垒;位错启动运动,存在临界的势垒;施加较大的剪切应变率作用,体系能量变化为单调光滑曲线,位错以恒定速度作连续运动,具有刚性运动特征;剪切应变率较小时,体系能量变化出现周期波动特征,位错运动是处于低速不连续运动状态。【结论】位错攀移和滑移运动特征与实验结果相符合。  相似文献   

7.
采用分析位错映像力的方法研究了纯铝表层区域直螺、直刃位错所承受的滑移应力,理论上计算出映像应力作用下直螺、刃位错临界滑移距离和纯铝表层低位错密度区尺寸.讨论了直刃位错临界攀移距离和温度的关系,指出了表面上相对稳定的位错组态.  相似文献   

8.
分析了金属塑性变形过程中,位错增殖、螺型位错交滑移和刃型位错攀移过程,建立了包括五个加工硬化阶段的位错理论模型。利用计算机,在不同的变形条件下,对理论模型进行了计算,计算结果和实验结果相当吻合。  相似文献   

9.
实验已测得金属材料(钢,铜等)在电场(电压为10~3—10~4伏)中硬度、弹性等机械性质都有增加。本文从金属电子气体模型的电介函数出发,利用位错的连续介质模型,在不考虑热激发的情况下,对近螺型位错在电场应力下引起位错攀移,从而增加了位错的割阶,探讨位错在滑移面内的滑移阻力,以及引起金属强化的物理机制。  相似文献   

10.
【目的】研究初始原子对亚晶界湮没机制的影响。【方法】采用晶体相场模型模拟亚晶界结构在应力作用下的湮没过程,并从位错运动和能量变化角度对湮没过程进行分析,同时讨论初始原子在两晶粒交界处的对齐程度对其后亚晶界湮没的影响。【结果】研究表明,初始晶界原子排列错位1/4晶格常数时,首先位错在晶界处攀移,然后位错同时分离成两个,一个分离出的位错停留于原位,另一个则进入亚晶内部进行攀移和滑移直至相遇湮没,之后原来停留于原位的位错在攀移一段时间后也进入亚晶内部进行攀移和滑移,最终相遇湮没,形成单晶。而初始晶界原子排列错位1/2晶格常数时,湮没过程与初始晶界原子排列错位1/4晶格常数时的情况存在很大的差异。【结论】亚晶界湮没过程中,位错直接进入亚晶内部进行攀移和滑移,位错间发生复杂的相互作用,最终位错全部湮没,形成单晶。同时体系能量将随应力的增加而波动下降,形成4个明显的峰谷。  相似文献   

11.
位错是晶体中的一种线型缺陷,它在晶体中普遍存在,不仅影响着晶体的力学强度,而且对固体的许多物理性质均有重要影响.为了能形象地理解位错的基本性质,本文以刃型位错作为研究算例,通过编写Visual C++程序,成功地实现了对刃型位错原子动态图象及其应力场分量的计算机模拟,并详细阐述了程序设计原理和实现方法.本文的编程思想和通过定性及定量分析得出的结论对深入研究位错的特性提供了很好的参考思路.  相似文献   

12.
将专业课知识融入高级语言程序设计教学   总被引:1,自引:0,他引:1  
“高级语言程序设计”作为计算机专业的基础课程,在计算机专业教学中占有十分重要的地位。同时, 该课程也是“数据结构”、“算法设计与分析”、“编译原理”、“操作系统”等课程的先修课程,它们之间又存在着密切的关系。从高级语言程序设计课程与其后续课程的融合问题入手,以操作系统课程为例,分析了计算机专业课的相关理论对程序设计课程的影响,提出了在语言类课程教学中初步渗透专业课的基本知识、在适当时机用适当的教学案例将专业课相关理论介绍学生的基本理念。目的是帮助学生从更深的层次上理解程序设计的相关概念和原理,为促进程序设计课程的开展、树立学生学习的兴趣和信心、提高程序设计的质量找到新的解决途径。以实例分析为手段,分析了这种方法的可行性,讨论了该方法实施的相关条件。  相似文献   

13.
随着计算机的普及,越来越多的人开始学习计算机,然而很多人都认为学习计算机就是学习编程,其实编程能够解决的问题通过硬件设计和连接同样能够达到相同的效果,完成相同的功能.软硬件协同工作,共同应用于实际问题中,则能发挥更大的作用.  相似文献   

14.
很多专家预测,软件迟早要作为一种保护客体出现在知识产权领域的国际公约中。目前对于计算机软件的法律保护到底采取什么样的形式,仍无统一的看法。本文讨论软件保护的专利法,主要阐述哪些软件可以得到工业产权保护,即专利法保护的客体条件。 软件发明者保护软件的最好方法是通过申请专利取得保护,申请一旦批准,专利法保护发明者的思想,他人利用这种思想,独立开发软件,必须得到专利权人同意,否则是违法的。 可以列为法律保护的软件有:1.控制程序;2.实用(或应用)程序;3.程序说明书;4.使用指导材料;5,输入信号(储存数据);6.输出信号。以上1、2项由工业产权保护,3至6各项一般由版权法保护,其中5、6项被部分国家列为保护客体。  相似文献   

15.
现在的工控系统中,恒温控制系统多利用计算机与单片机进行数据通信。详细介绍了计算机VB编程及89C52单片机C51语言编程。  相似文献   

16.
针对在Delphi 7下编写波浪估计算法效率低且不易实现的问题,本文采用基于Delphi 7和MATLAB 7.0混合编程的方法,实现了上位机软件的波浪估计能力。该方法简单,开发周期短。将上位机软件估计结果与Nortek公司商用软件Quickwave对比,结果表明本文的上位机软件估计结果准确,采用混合编程方法可准确地实现ADCP上位机软件中波浪估计的功能。  相似文献   

17.
本文从现代编程思想出发,介绍了COM组件技术及在现实编程环境中遇到的一些有关COM编程的关键技术.并具体描述了联机手写汉字规整化COM组件的设计及在客户程序中如何使用组件.  相似文献   

18.
程序设计课程是高等学校计算机专业的重点课程,使学生熟练掌握一门程序设计语言编写程序,制作软件解决实际问题,这是计算机教学中的一个难点,是程序设计教学中不断探索的问题。  相似文献   

19.
高职计算机程序设计语言类课程是计算机相关专业的重要课程,也是学生掌握现代信息技术的核心课程。文章就当前高职语言课程的具体情况进行分析,针对如何有效地进行程序设计语言类课程的教学改革,提高学生的代码编程能力与职业技术能力进行了探索。  相似文献   

20.
李强 《科技信息》2012,(27):35+50-35,50
本文利用基于连分式有理反插值的方法来求极大或者极小值问题,得到的比一般迭代的方法效果更好,精度更高,更有利于计算机编程实现。在实际应用中,这种方法即适合静态计算,也适合动态过程控制。  相似文献   

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