宽度非绝热变化量子线的电子输运性质

在自由电子近似下，利用散射矩阵方法研究了两端光滑连着电子库、宽度呈宽-窄-宽和窄-宽-窄非绝热变化量子线（量子波导）的电子输运性质，用Landauer-Biittiker公式解析地计算出了两种情况下系统电子透射率作为入射电子能量和系统几何参数的函数表达式，从而分析得出丁由于量子干涉产生透射极大与极小值时入射能量与几何参数所满足的条件关系并得到了数值验证，这种简单体系的精确解除有重要的基础性意义外，能为研究考虑各种相互作用、外场特别是含时外场作用下的介观电子输运问题提供一个“零级近似”的参考。     

非平行平板电容器电容的一种近似解

对于非平行平板的电容器，构造一个势函数，求电场和能量，经过对能量求极小值得到能量的近似解，进而得到电容的近似解。     

氖和亚铜等离子蒸气系统中的负离子和电子能量分配函数

计算了激光产生铜等离子体蒸气中的物理和动力学参数，通过数值分析近似地求解玻尔兹曼动力学方程，发现存在一些具有各向同性和固定值物理量。在气体放电系统中观察了HBr混合物对其物理参数和电子能量分配函数的影响，利用交叉区电子碰撞激发过程计算了反应速度系数，表明具有HBr混合物的3d^94s^22D能级的共振激发更好。     

类硼离子C^1＋的电子碰撞电离——单通道截面的共振增加

使用Ｒ－矩阵方法，在库仑－玻恩非交换近似下采用三态密耦图像，计算了类硼离子Ｃ＾１＋的电子碰撞电离截面，给出了总的能量微分截面及分波能量微分截面。计算结果揭示了明显的Ｒｙｄｂｅｒｇ系列共振，并指出共振对截面的贡献大于直接电离过程对截面的贡献，这与Ｃｈｉｄｉｃｈｉｍｏ的结论相一致。     

量子点中类氢离子杂质的某些精确解和微扰解

根据有效质量近似理论，采用无限深势阱模型研究了位于GaAs-Ga1-xAlxAs球形量子点中心的类氢离子杂质，讨论了量子点的囚禁作用对类氢离子杂质系统的能量和电子分布几率的影响，给出了某些波函数的有限形式的精确解，并考虑了系统与外加弱电场的相互作用，利用直接微扰法给出了一级修正波函数和二级能量修正。     

精确固定节面量子 Monte Carlo方法

提出了固定节面量子Monte Carlo的一个新方法，与传统的固定节面法相比，这个新方法能更准确地计算分子的能量。导出了系统能量本征值的一个展开式，证明传统固定节面法所求出的能量值仅仅是能量本征值的零级近似；而新方法可以在只增加很少计算量（小于1％）的情况下，方便地求出一级近似、二级近似…给出了该方法的具体计算公式和步骤，并用它处理了H2，LiH,Li2和H2O分子的基态能。计算结果表明，对这些分子的基态只需要二级近似即可获得97％以上的电子相关能。说明新方法能准确度和计算量两个方面都是非常卓越的。     

Si-nipi掺杂超晶格电子态的自洽计算

本文采用局域密度泛函近似自洽地计算了沿(100)方向调制的Si-nipi掺杂超晶格的电子态.得到了电子亚带能量和波函数随自由载流子浓度的变化规律.讨论了在较低的外界激发下,电子占据态和最近邻空态-(01)亚导带间的激发能.同时计算了Hartrəe势与自洽势下的电子密度分布曲线,发现自由载流子交换关联势V_xc(z)对亚带能量的影响较小.     

电子与多电荷离子相互作用的core模型

利用量子电动力学(QED)方法,在电子与多电荷离子相互作用时,将多电荷离子作core近似,使用Clifford积作为基函数,建立了由生成流和生成势所表达的电子与多电荷离子的相互作用模型,用初态与末态波函数建立了该模型中的电子流.用初态与末态的动量和能量,求得了电子与多电荷离子相互作用时微分散射截面,并讨论了这一结果的守恒螺旋特征.     

多电荷离子和电子相互作用的量子化模型

将多电荷离子近似为一个带电心核,利用带有生成流和生成势的Clifford积给出了多电荷离子和电子相互作用的物理模型,由此得出了系统的初态和末态波函数.将这一结果做了量子化处理,得出了由生成算子和湮灭算子表达的相互作用场的能量、动量以及电荷量,说明了多电荷离子和电子相互作用的动力学过程.     

类锂离子C^3＋的电子碰撞电离

采用扭曲库仑波函数描述碰撞电子，用Ｒ－矩阵密耦波函数处理被电离电子与剩余离子构成的系统初末态，在库仑－一玻恩各级近似下计算类锂离子Ｃ＾３＋的电子碰撞电离截面及相应速率系数。所得结果与Ｊａｋｕｂｏｗｉｃａ的结果相一致。     

有限温度下界面磁极化子的回旋质量与温度的关系

早在六十年代,Larsen^[1,2]就研究了磁场中极化子的能级及其回旋共振.随着外延技术和磁光技术的不断发展,磁场中电-声子相互作用的问题,已变成一个广泛研究的领域^[3-5] Das Sarma^[6]精辟地分析了电-声子相互作用对半导体空间电荷层中二维电子回旋质量的影响.     

量子 Monte Carlo处理激发态

提出了用于电子激发态的剩余函数变分量子MonteCarlo(SFVMC)方法,导出了用于激发态的SFVMC方法的详细计算公式,并用该方法计算了CH2分子的X^3B1态、1^1A1态和2^1A1态的能量值,计算结果表明;对于CH2分子的这3个态,SFVMC方法只需要迭代到3级能量值即可达到FCI方法的精度。SFVMC方法的4级能量值和5级能量值其相关能百分率可分别达到80%和90%以上。     

有效结构理论应用于苯+环己烷+四氯化碳三元体系

本文概述了Eyring的有效结构理论对液体二元体系的应用,并简化了计算方法.在此基础上,根据已知苯+环己烷,苯+四氯化碳和环己烷+四氯化碳三个二元体系的二元参数,将有效结构理论用于预测苯+环己烷+四氯化碳三元体系的过量函数值.结果与H^E的实验值,V^E在别的温度下的实验值和G^E的其他方法计算值相比较,符合良好.     

稀土掺杂能量上转换荧光特性及机制的研究

本文报道了对同一稀土掺杂材料在不同波长的单色光激发产生能量上转换的特性．并对能量上转换提出了较为完整的理论解释，理论模型与实验结果吻合很好．     

金属离子水化能计算的新模型

本文在考虑离子的静电效应、极化效应、配位场效应及电子效应对金属离子水化能影响的基础上提出了金属离子水化能计算新模型：其计算值与实验值相吻合，并优于其他文献的计算值．     

Cu-Zr-Ti大块非晶合金的晶化动力学研究

通过差示扫描量热(DSC)法研究了Cu55Zr30Ti15和Cu50Zr40Ti10大块非晶合金的晶化过程.利用K issinger方程得到了Cu55Zr30Ti15和Cu50Zr40Ti10的晶化激活能,两种非晶的第一晶化激活能分别是349.25 kJ/mol和303.93 kJ/mol.探讨了Zr元素对非晶晶化的影响,发现随着Zr元素替代Cu元素,提高了非晶的第一晶化温度.     

氟氧化物基质中Er3+绿光上转换发光

多种稀土离子掺杂在蓝/绿可见波段和紫外波段存在受激发射,可能成为制备短波长激光、发光半导体重要的候选材料.近年来,对稀土Er3+上转换发光的研究有了长足发展,在多种基质中发现了Er3+在蓝/绿可见波段的上转换发光.分析了稀土Er3+中4f电子跃迁的特征,讨论了不同基质对Er3+在可见波段上转换发光的影响,提出了在980nmLD的激发下,氟氧化物基质中Er3+在550～525nm附近的绿光上转换发光过程是激发态吸收(ESA),给出了4I15/2→4I11/2→4F7/2步进双光子吸收、激发态4F7/2→2H11/2和4F7/2→4S3/2的无辐射跃迁、4S3/2→4I15/2和2H11/2→4I15/2绿光上转换发光机制.     

氧化工艺中影响SiO2薄膜驻极体性能的因素

该文通过控制氧化工艺条件，利用相应条件下样品的等温表面电位衰减测量，热刺激放电电流谱及电容－电压分析技术等，研究了ＳｉＯ２驻极体薄膜的内部结构作能阱分布，以及在其体内沉积的空间电荷的储存稳定性，分析了驻极电荷稳定性同氧化工艺条件之间的内在联系。     

X光电子能谱仪的结合能定标及原子灵敏度因子的测定

用镍3d-价带的XPS讯号对谱仪的结合能零点位置进行了定标,并用全和铜的XPS峰校正了从84~932eV间结合能的标度,从而准确地测定了几种金属的能级结合能的值,观察到样品表面自然沾污碳的ls峰可以因化学状态不同而有leV的结合能移动.由测量有限几种金属的XPS强度可以定出谱仪的表观传输特性,从而求得该仪器对各种元素的相对灵敏度因子.对几种化合物的测定结果表明其准确度在10%~20%的范围内,比用理论计算的灵敏度因子所得结果为准,上述结合能定标和原子灵敏度因子测定是对ESCALAB5型能谱仪做的,这一方法同样适用于其他型号的XPS谱仪.     

Te溶液生长半磁半导体Cd1-xMnxTe的光学和电学性质研究

测量了Te溶液生长半磁半导体(SMSC) Cd_1-xMn_xTe的导电类型、电阻率、霍尔迁移率和光致发光(PL).测定结果表明,Te溶液生长Cd_1-xMn_xTe晶体质量和稳定性均优于布里奇曼长晶,根据正四面体配位晶场中Mn²⁺3d (⁴T₁)能级出现在Cd_1-xMn_xTe禁带中的观点,分析了在0.85~1.5μm范围内红外透射光谱上存在吸收边的原因。