铁胺络合物在悬汞电极上的电化学行为研究

采用循环伏安法研究了电化学还原染色过程中铁胺络合物的电化学行为.结果表明,铁胺络合物在悬汞电极上的电化学还原过程为受扩散控制的准可逆过程,电极上发生单电子转移.加入靛蓝染料后铁胺络合物的电化学还原过程为受吸附控制的准可逆过程,电极上仍发生单电子转移,反应机理为EC机理.     

碳纤维纳米圆盘电极和金超微电极的制备

提出了一种简单制备碳纤维纳米圆盘电极的新方法.将微米级碳纤维经化学刻蚀后,通过多次电化学沉积电泳漆,加热烘烤;然后将完全绝缘的碳纤维电极塑封在聚丙烯膜中,打磨抛光后露出电极表面,制得碳纤维纳米圆盘电极.电化学实验表明电极的有效半径为几十到几百纳米.以制得的碳纤维纳米圆盘电极为基体,通过还原沉积金制备了纳米级超微金电极.     

银盘电极上的示波计时电位法

首次将银盘电极用于示波计时电位法直接进行示波测定,讨论了银盘电极上的示波计时电位法。银盘电极制备简单,寿命物,使用时不需镀汞、无污染。与用汞膜电极的示波计时电位法相比,银盘电极上的示波计时电位法具有图形稳定、灵敏度高、精密度好及测定的线性范围等优点。     

碳糊修饰电极阳极溶出伏安法测定痕量汞

本文对碳糊修饰电极的制备进行了研究并用该电极阳极溶出伏安法测定痕量汞．结果表明：碳糊修饰电极测汞的灵敏度比碳糊电极的高得多，测汞的线性范围２０×１０－９ｇ／ｍｌ－１０×１０－６ｇ／ｍｌ，检测限５×１０－９ｇ／ｍｌ；本方法选择性好，应用于水样分析，结果满意．     

乙酰胆碱酯酶电极反应机理

在研究酶电极基础上探讨了电极上的反应机理。以乙酰胆碱酯酶催化活性为基础的抑制型酶电极的电极反应是:1)催化底物水解;2)底物中的I-被氧化为I2;3)底物氯化硫代乙酰胆碱分解产生的硫代胆碱含有的-SH基在银基汞膜电极上与汞生成硫醇汞盐。硫代胆碱在玻碳电极表面的氧化,为具有吸附性的不可逆过程,电极反应的电子转移数n=2,反应速率常数k=0.29s-1。     

在常规电化学测量仪上测量新极谱图的方法

利用常规的电化学测量仪，采用数值计算法测量超微电极上的新极谱图，介绍其方法和原理。采用半微分法测量了２，３，５，６－四氯苯醌在乙腈溶液中汞超微半球电极上电化学还原反应的异相反应速率常数，测量结果与伏安法一致。     

硫氮氧杂大环汞修饰电极的研究

利用合成的新型硫氮氧杂大环化合物为载体制备了ＰＶＣ膜汞（Ⅱ）修饰电极．该电极对汞（Ⅱ）的线性响应范围为８×１０－６～６×１０－３ｍｏｌ·ｌ－１，对大多数金属离子的选择性系数小于１×１０－３．还研究了修饰电极的各种性能，讨论了修饰电极的响应机理，并将修饰电极应用于直接电位法和电位滴定法的测定中．     

亚硝基R盐在汞电极上的电化学行为

研究了亚硝基R盐在汞电极上的电化学行为和电极反应机理.结果表明亚硝基R盐在汞电极上的电极反应为准可逆过程,电子转移数为4,其被还原为其相应的氨类化合物;吸附符合福兰克林吸附方程,吸附系数β=3.63×105 L/mol,饱和吸附量Γs=1.00×10-10 mol/cm2,吸附因子υ=0.94.     

汞修饰二氧化锡掺氟光透电极的研究

探讨了电镀法在ＳｎＯ２掺氟导电玻璃电极上生成汞膜的最佳条件，分析了汞修饰ＳｎＯ２：Ｆ电极的光学性质、电化学性质。     

二氧化铅电极制备方法综述

文章综合介绍了国内外对二氧化铅电极制备方法的研究,包括对电沉积机理、基体、底层与中间层、表面层掺杂以及工艺条件等,并提出了二氧化铅电极制备方法的进一步研究方向.     

脑电采集电极研究进展

脑电电极是脑电采集系统的第一环节,高效便捷稳定地获取脑电信号是研究脑科学的重要保证.从传统的Ag-AgCl湿电极到石墨烯干电极、多孔陶瓷半干电极,检测电极的发展已经获得长足进步.介绍了脑电采集系统的结构、脑电极的分类方法和各类电极的近期研究成果及专利,并讨论了电极新型材料的选取、更优结构的设计以及先进加工制备工艺,最后分析了脑电极的研究方向和发展前景,对脑电采集电极的学习及设计有参考价值.     

球冠形电极的温度场

讨论了球冠形电极在油层中的温度场，给出了流动介质中的扩散方程。根据浸在油层中球冠形电极的电流强度，确定出油层中温度分布的数学模型；并求出了所提出的数学模型的解析解。     

PVC膜汞离子选择电极的研制及电极响应机理初探

本文研究以苄基十四烷二甲基氯化铵与氯化汞络阴离子的缔合物为活性物质制备成PVC膜汞离子选择电极,其响应线性范围为10~(-5)—10~(-1)mol·L~(-1),斜率为29mV/decade。对电极的响应机理进行了研究。     

锡在金电极上的欠电位单层沉积的分析应用

用循环伏安法研究了Sn2 在金盘电极上的欠电位沉积.在特别提纯的1 mol/L HCl支持电解质溶液中,Sn2 在金盘电极上可以产生清晰的欠电位沉积峰和本体沉积峰.基于Au/Sn欠电位体系优良的电化学特性,发展了一种选择性好、灵敏度高的电化学分析方法.Sn2 浓度在1.96×10-10～2.91×10-s mol/L范围内与峰电流有线性关系.连续7次测定1.0×10-9 mol/L Sn2 得到的相对标准偏差为5.06%.该方法已用于实际样品的测定,所得结果与原子发射光谱(ICP-AES)所得数据相吻合.     

聚合物薄膜修饰电极的制备及应用

简介了聚合物薄膜修饰电极的基本类型，评述了聚合物修饰电极的制备方法和应用．     

掺杂化学修饰电极的研究进展

文章从掺杂化学修饰电极的制备方法、掺杂聚合物薄膜修饰电极和掺杂元机物薄膜修饰电极的应用等方面取得的进展及发展趋势进行综述和展望.     

二氧化铅电极的制备及其应用

介绍了PbO2电极的发展简史,电极的制备方法和电化学特性,以及在有机和无机工业生产中的应用。     

头孢氨苄在悬汞电极表面吸附行为的研究

报道了头孢氨苄在悬汞电极表面的吸附行为。使用恒电位方波扫描法,测量了不同浓度的头孢氨苄在悬汞电极表面的微分电容曲线。结果表明：头孢氨苄在悬汞电极表面的吸附电位范围为＋０．０８～－ １．３５Ｖ（ＶＳ．ＳＣＥ）,吸附类型服从Ｆｒｕｍ ｋｉｎ 吸附,吸附因数为０．８４,吸附平衡常数为８．５×１０４,吸附自由能为－ ３７．４ＫＪ／ｍ ｏｌ．     

铁基蒙脱土修饰电极上多巴胺的电化学行为及其测定

制备了FeC l3改性蒙脱土修饰电极,采用循环伏安法研究了多巴胺（DA）在该电极上的电化学行为.结果表明,电极过程为扩散控制的准可逆过程,其氧化峰电流与浓度在1.0×10^-5-4.0×10^-3mol·L^-1范围内呈良好的线性关系,其线性回归方程为：Ipa（A）=-3.288 04×10^-6-0.035 99 C（mol·L^-1）,相关系数R为0.997 6,检测限可达2.88×10^-6mol·L^-1,回收率在95.4%-103.1%之间,为DA的测定建立了一种电化学方法.     

离子注入Ni—C修饰电极伏安法测定痢特灵

痢特灵在0．1mol·L－1盐酸中，用注入镍的玻碳电极作为工作电极进行伏安测定，形成一良好的还原峰，峰电位Ep＝－0．34V（vs．SCE）．峰电流与痢特灵浓度在1．0×10－5～1．0×10－4mol·L－1范围内成线性关系，检出限为5．0×10－6mol·L－1．用于片剂测定，得到满意的结果．用循环伏安法研究了该物质的电化学行为及其反应机理，认为痢特灵的电极反应过程属于准可逆过程。