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相似文献
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1.
教育是纪检监察工作的四项职能之一,也是党风廉政建设工作的基础。2002年度,驻厅纪检组、监察室在省纪委、科技厅党组领导下,按照细雨润物着眼于平时,警钟长鸣防患于未然的工作思路,在以往抓党风廉政教育的基础上,与时俱进,不断创新,有计划有重点地抓好党风廉政教育几个关键环节,取得了明显的效果,有力地促进了党风廉政建设各项责任目标的完成,为推动科技厅的全面建设创造了条件。一、基本做法1.注重教育的长期性和阶段性的结合,营造生动引人的教育局面。党风廉政建设和反腐败斗争任务的长期性,决定了党风廉政教育也是长…  相似文献   

2.
氧化锌纳米晶敏感材料的制备   总被引:5,自引:0,他引:5  
  相似文献   

3.
本文主要介绍ZnO纳米棒的生长及其优异的发光性能.分别采用低温(<100℃)和高温(-900℃)在p型衬底上生长ZnO纳米棒.ZaO纳米棒/p型衬底构成p-n结,从而制成发光二极管(LEO).利用光致发光(PL),点致发光(EL),以及电学性能测试仪等仪器设备测试LED的性能.结果表明,ZnO发射光的谱带很宽,可见光部分来源于深能级发射,预示ZnO在白光LED科技领域具有潜在的应用价值.  相似文献   

4.
纳米氧化锌薄膜的光致发光特性研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
本文报道了利用低压金属有机气相外延(LP-MOCVD)工艺首先在二氧化硅衬底上生长硫化锌(ZnS)薄膜,然后,将硫化锌薄膜在氧气中于不同温度下进行热氧化,制备高质量的纳米氧化锌(ZnO)薄膜。X-射线衍射(XRD)结果表明,氧化锌具有六角纤锌矿晶体结构,在900℃退火的样品的光致发光(PL)中,在长为3.3eV处观察到一束强紫外光致发光和相当弱的深能级发射,紫外发光强度与深能级发射强度之比是80,表明纳米ZnO薄膜的高质量结晶。  相似文献   

5.
综述了银/氧化锌纳米复合材料的制备方法,主要包括溶胶一凝胶法、水热合成法、蒸气沉积法、光合成法、配位均匀共沉淀法以及固相法.分析比较了这些方法的基本原理、制备过程及优缺点,并阐述了银/氧化锌纳米复合颗粒在光催化、无机抗菌等方面的应用.  相似文献   

6.
采用无机可溶性盐为原料通过化学沉淀的方法制备了新型优质的纳米级ZnO压敏电阻材料,并且,利用XRD,TEM,SEM等分析技术,对其微观结构进行表征和讨论,研究结果表明,由于采用化学共沉淀方法制备粉体颗粒细小、活性高、微观成分均匀,使制备压敏电阻的烧结温度降低到950℃,同时显示更优良的电性能,其非线性系数和电压梯度分别达到87.2,988.2V/mm。  相似文献   

7.
著名诺贝尔奖获得者Feyneman在20世纪60年代曾预言:如果我们对物体微小规模上的排列加以某种控制的话,我们就能使物体得到大量异乎寻常的特性,就会看到材料的性能产物的丰富变化。他所说的材料正是现在所谓的“纳米材料”。纳米材料是20世纪80年代中期发展起来的新型材料,它具有既不同于微观原子、分子,也不同于宏观物质的超常规特性。纳米信息材料在纳米技术发展的基础上,在光学、电磁、超导等方面呈现出优良的物理特性,受到电子、计算机、通讯和材料科学等众多研究领域的极大关注。纳米信息材料是指用于信息领域的纳米结构材料与结构,是…  相似文献   

8.
著名诺贝尔奖获得者Feyneman在20世纪60年代曾预言:如果我们对物体微小规模上的排列加以某种控制的话,我们就能使物体得到大量异乎寻常的特性,就会看到材料的性能产物的丰富变化.  相似文献   

9.
表面复合是严重影响纳米结构半导体发光性质及器件性能的重要因素之一.氧化锌(ZnO)因其具有优异的光电性质和物化稳定性在太阳能电池和发光二极管等光电器件领域展现出巨大的应用前景.本文利用MATLAB程序求解扩散方程,对化学水浴沉积法合成的ZnO纳米棒的表面复合速率进行理论模拟计算.与实验结果相结合,揭示表面复合对ZnO纳米棒发光性质的影响.  相似文献   

10.
硅烷偶联剂对纳米氧化锌表面改性的机理研究   总被引:10,自引:0,他引:10  
根据偶联剂改性无机粒子的作用机理,提出了一个硅烷偶联剂接枝在氧化锌表面的结构模型,用Gaussian03对两种硅烷偶联剂接枝在纳米氧化锌表面的模型进行了理论计算,结果表明,KH550和KH560能与纳米氧化锌表面结合而达到改性的目的,KH560的效果更好.实验与理论计算的结果相吻合.  相似文献   

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12.
氧化锌薄膜是一种宽禁带化合物半导体材料,其在光电子器件、压电器件、太阳能电池、气敏传感器等领域有着广泛的应用.采用非平衡分子动力学方法,选取微正则系综,利用Buckingham势函数,模拟了纤锌矿型氧化锌薄膜在z方向的热导率.模拟结果表明:薄膜厚度在15.593~31.2096 nm的氧化锌薄膜在温度为300 K时,其薄膜热导率的范围为0.870575~1.52165 W/(m·K),明显小于对应的大体积氧化锌的实验值,并且氧化锌薄膜的热导率随着薄膜的厚度的增加而增加,具有明显的尺寸效应.  相似文献   

13.
以纳米氧化锌作为光催化剂,重铬酸钾作为光生电子接受体,研究纳米氧化锌-重铬酸钾体系测定COD的最优条件以及影响因素,利用光度分析法测定Cr(Ⅲ)的浓度,间接给出水体COD值.对实际水样进行了测定,并与重铬酸钾消解-氧化还原滴定法进行比较,结果令人满意.  相似文献   

14.
采用均匀沉淀法制备了铁掺杂纳米氧化锌脱硫剂,利用XRD和BET手段对脱硫剂进行了表征,优化了铁的掺杂量,并探讨了焙烧温度、脱硫温度和氧含量等因素对脱除H2S性能的影响。结果表明,铁的掺杂使脱硫剂的比表面积和孔容增大,当Fe∶Zn的摩尔比为5∶100(FZ5.0)时其活性最好。FZ5.0脱硫剂适用于室温脱硫,当样品的焙烧温度为270℃,氧含量为10%,穿透时间达到370 m in时,脱硫性能最佳。  相似文献   

15.
王秋蕙 《河南科技》2022,(4):100-103
笔者构建并研究了基于ZnO纳米结构的阻抗式湿度传感器.首先采用水热法合成了不同掺杂浓度的湿敏氧化锌纳米棒Zn1-xSnxO(x=0%,1%,3%,5%),然后通过介电泳操作将其在微加工叉指电极之间沉积.以纳米结构的氧化锌为传感元件,将处理后的样品作为阻抗传感器进行测试.通过检测氧化锌阻抗随湿度环境变化构建阻抗式湿度传感...  相似文献   

16.
利用化学气相沉积的方法,在硅衬底上生长了铟掺杂的氧化锌纳米螺旋结构.通过X-射线衍射仪、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、选区电子衍射等手段对样品的形貌和结构进行了表征.结果表明,合成的纳米螺旋由纳米带旋转而成,曲率半径为几个微米.纳米带宽约200 nm,厚约几十纳米,铟杂质的引入使其生长方向沿(1010)方向.  相似文献   

17.
Ll_0FePt(001)薄膜由于具有较高的磁各向异性和较高的矫顽力在磁记录介质材料方面具有潜在的应用前景,本文从衬底选择、元素掺杂和制备工艺三个方面介绍了FePt薄膜的研究近况。  相似文献   

18.
以Zn(Ac)_2 2H_2O和Tb_4O_7为原料,采用溶胶-凝胶、浸渍-提拉技术在单晶硅(100)衬底上制备了铽掺杂的氧化锌(ZnO∶Tb)薄膜。分别在氮气和氢气气氛下对薄膜进行退火处理,并进行了XRD、IR、EDS和AFM表征,同时结合荧光光谱测试详细研究了退火气氛对薄膜发光性质的影响。结果表明,经氮气和氢气气氛处理的薄膜中,ZnO∶Tb粒子均具有六方纤锌矿结构,且排列致密均匀,相应的ZnO∶Tb粒径分别为59和45 nm。经氮气气氛处理的ZnO薄膜,掺杂前后的发光情况变化显著,由485 nm的蓝光发射移到382 nm的紫外发射。用氢气进行退火处理时,掺杂前后薄膜的荧光光谱都由强的紫外发射和弱的蓝光发射组成,但掺杂后薄膜的紫外光发射减弱,蓝光发射增强。薄膜层数为3、Tb掺杂量为3.85 mol%时,ZnO∶Tb薄膜的荧光发射效果最佳。  相似文献   

19.
近年来,半导体纳米结构因其在先进器件等方面存在广阔的应用前景,而成为国内外纳米领域人们关注的又一热点.其中,ZnO纳米阵列结构被认为是其中最具有应用前景之一.ZnO是一种宽禁带直接带隙Ⅱ-Ⅳ族半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV,具有较大的激子束缚能(60meV),它具有良好的压电性和生物适合性,可用于机电耦合传感器和生物医药领域.而且,制备ZnO纳米结构的技术较多,如化学气相沉积(CVD)、金属有机化学气相沉积(MOCVD)、热蒸发、分子束外延(MBE)、脉冲激光沉积(PLD)等.  相似文献   

20.
<正>近年来,半导体纳米结构因其在先进器件等方面存在广阔的应用前景,而成为国内外纳米领域人们关注的又一热点。其中,ZnO纳米阵列结构被认为是其中最具有应用前景之一。ZnO是一种宽禁带直接带隙II-IV族半导体材料,室温下禁带宽度为  相似文献   

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