利用永久磁场抑制中子管中的电子电流

讨论密封式中子管中抑制二次电子的几种方法．对Philip型中子管,用永久磁块抑制二次电子时得到中子产额是不加磁块时中子产额的1．33倍．     

中子管靶面二次电子抑制

通过实验给中子发生器的靶的上方加一抑制电压 (负电压 ) ,使靶表面发射的二次电子受到抑制 ,从而使中子管达到更好的工作状态。     

中子管离子束系统

对国内研制使用的测井中子管离子束系统作了理论分析，并讨论了与此有关的中子管性能。     

中子管桌面实验台及其应用

报道一种模拟中子管工作状态的实验装置和方法，可以在动真空和静真空条件下较准确地选择中子管关键部件的尺寸，为中子管的研制提供可靠的实验数据。     

中子管离子源脉冲工作特性的研究

利用实验方法研究了中子管离子源的电离特性,其中包括电离时间的延迟特性;不同气压下电离电流和脉冲电压幅值的关系;不同气压下电离脉宽和脉冲电压幅值的关系;气压和加热电流的关系,并对实验曲线进行了分析,确定了Ｃ／Ｏ测井中选择气压和阳极电压参数的原则和方法。     

在中子管上加装α粒子探测器

讨论了在中子管上加装α粒子探测器的一些问题，给出了在中子管上加装α粒子探测器的具体方法：用在玻璃表面涂闪烁材料（ＺｎＳ（Ａｇ））的方法制成了适合中子管制作工艺条件的α粒子探测器；并对α粒子探测器和带α粒子探测器的中子管的性能做了讨论。     

中子管高温性能研究

报道了中子管耐温性能测试设备和方法。实验结果表明我们研制的高温陶瓷测井中子管的耐温指标已达到１５０℃。     

C／O比测井用中子管的研制

报道了外型直径４８ｍｍ，长２００ｍｍ的圆柱型陶瓷体石油测井用中子管的研制．该管在２０ｋＨｚ的脉冲电压下工作正常，产额最高可达５×１０８ｎ／ｓ，寿命在２５０ｈ以上．     

中子散射技术及中国散裂中子源概述

介绍了中子散射的特点和它的优越性以及散裂中子源的基本原理、发展状况和多学科的应用优势,介绍了中国散裂中子源的总体目标、总体方案、先进性及建成后的国际地位.