YBa_2Cu_3O_(7-y)氧化物超导体在不同电流密度下的电阻转变特性

1 同一电流密度下的电阻特性YBa_2Cu_3O_(7-y)超导体(Φ10×2.5)采用四引线法测量电阻,电极间隔为1.5m,测量表明,对于名义成份为 YBa_2Cu_3O_(7-y),的样品,室温电阻约为5Ω,电阻随温度降低而减小.图1是恒流为20mA 的 R—T 曲线.温度在128k 以上样品呈金属行为;当温度降到128k 时,电     

氧化铟锡薄膜电阻温度曲线中的滞后现象

用电子束蒸发技术在玻璃衬底上制备氧化铟锡薄膜,并在500℃下氮气氛围中退火1 h.将退火后的薄膜用光刻技术形成一个M型规则线图,并记录连续4轮由室温升至400℃,接着降至室温过程中样品的电阻变化.测量数据显示,电阻温度曲线在温度上升和下降阶段存在滞后现象.结合半导体载流子输运理论建立模型,与降温实验数据拟合程度很好,但当用来解释升温数据时却存在明显的偏差.由降温过程的数据计算得到氧化铟锡的电阻温度系数在温度大于380℃后趋于+1.393×10-3/℃,同时给出了氧化铟锡薄膜的激活能.     

利用退火的碳纳米管与金属接触特性的改善

碳纳米管与金属电极间的接触特性是提高纳米器件性能的重要因素。本文采用介电电泳在金属对电极上组装碳纳米管,形成金属-碳纳米管-金属结构。将样品分别在200℃、300℃、400℃下恒温退火1h后自然冷却。通过测量样片的伏安曲线,根据曲线线性度和斜率来评价退火前后的接触状态。实验表明,在三种温度下退火,接触电阻均有不同程度的减小。但一段时间间隔后,电阻又会增加。在本次实验时间范围内,其接触电阻均小于退火前。样片在300℃下分别退火30min、60min、90min后比较其电阻的大小,发现电阻随着退火时间的延长而逐渐减小。     

MgB2制备过程中退火效应和热稳定性的实验研究

报道了关于 MgB₂ 超导体制备过程中的退火效应和热稳定性的实验研究。把硼片在不同的温度 Mg 气氛中退火不同时间得到 MgB₂,制备样品的测量结果显示制备 MgB₂ 的合适温度范围是 700～1000℃,并且较高的制备温度下只需要相对短的退火时间内就能得到较高转变温度的样品。热稳定性实验的结果显示在没有 Mg 的气氛中 MgB₂ 在 700℃ 下是稳定的,从 800℃ 开始分解,直到完全失去超导电性。实验还观测到利用 MgB₂ 混合物薄膜前驱代替硼片制备 MgB₂ 时,在 600℃ 退火时样品就显示超导电性。     

β相V2O5纳米棒的生长及其光电性能

为研究退火温度对生长β相V2O5纳米棒的晶体结构、光学和电学性质的影响规律,采用直流磁控溅射法在玻璃衬底上生长了非晶态V2O5薄膜,样品经一定温度区间的O2氛围退火后,开始生成β相V2O5纳米棒。实验表明,在一个狭窄温度范围内,V2O5纳米棒光电性能呈现温度敏感特性;室温下,所制样品在紫外及近紫外线波长范围具有很高的吸收率,在近红外线波长范围具有较高的透射率;其中,经500 ℃热处理的样品,高低温电阻变化了2个数量级,相变温度出现在350 ℃左右。     

真空退火对Co_(81.5)Fe_(4.5)Mo_2B_(12)玻璃包裹丝巨磁阻抗效应的影响

采用高频感应加热熔融快淬法制备了Co_(81.5)Fe_(4.5)Mo_2B_(12)玻璃包裹丝,研究了真空条件下退火对细丝巨磁阻抗效应及非对称性的影响.结果显示,随着退火温度的升高,玻璃包裹丝的巨磁阻抗效应先增大后减小.退火温度为250℃时,巨磁阻抗效应最明显;退火后样品的磁阻抗曲线对称性大都有所改善;退火温度为330℃时,磁阻抗曲线对称性遭到破坏,可能是磁各向异性降低所引起的.     

非晶态Ni_(85-x)Si_(15)B合金的结构弛豫对电阻特性的影响

本文研究了非晶态Ni_(85-x)Si_(15)Bx合金的结构弛豫对电阻特性的影响。通过等时退火和等温退火两种实验方法研究了室温电阻率和电阻温度系数随退火温度及退火时间的关系。用近自由电子模型及Nagel推广的Ziman理论对实验结果进行了初步分析和讨论。图2,参6。     

Co-Fe-Cu合金颗粒膜的穆斯堡尔谱研究

对利用熔甩法制备的Co10Fe5Cu85样品在室温至800℃范围进行了一系列的等时退火.采用室温穆斯堡尔谱测量,研究了制备态和不同温度退火样品的结构和相分布变化.研究表明,随着退火温度的升高,合金的超顺磁相先增加而后又减少,并在450℃达到峰值,说明巨磁阻效应与超细微颗粒的含量密切相关.     

Co—Fe—Cu合金颗粒膜的穆斯堡尔谱研究

对利用熔甩法制备的Ｃｏ１０Ｆｅ５Ｃｕ８５样品在室温至８００℃范围进行了一系列的等时退火,采用室温穆斯堡尔谱测量,研究了制备态和不同温度退火样品的结构和相分布变化,研究表明,随着退火温度的升高,合金的超顺磁相先增加而后又减少,并在４５０℃达到峰值,说明巨磁阻效应与超细微颗粒的含量密切相关。     

喷涂热分解法制备SnO_2·F薄膜及其光电性能研究

以SnC l4.5H2O和NH4F为原料,用喷涂热分解法在石英玻璃上制备SnO2.F薄膜。采用X光电子能谱分析仪(XPS)和X光衍射仪(XRD)分别表征SnO2.F薄膜的成分和晶体结构,研究了F-的掺杂量和热处理对薄膜方块电阻、可见光区透射率和红外光区反射率的影响。实验结果表明,用本次实验的配方,衬底温度TS大致450℃,喷涂时间为15s时,薄膜的方块电阻R□为0.2~4kΩ/□,可见光透过率达T≈80%和红外光反射率R≈80%以上。样品在O2及N2气氛中进行一定温度范围的退火处理后,其电阻率上升。     

Nd2-xCexCuO4-δ晶体的生长及性质

为了从电子型超导体的角度探求高温超导体的机理,采用自助熔剂缓冷法成功地生长出了高质量的Nd2-xCexCuO4-δ单晶,并由X射线衍射和扫描电镜证明了晶体是高质量的单晶.用物性测量仪在0～9 T范围内分别测量了磁场平行和垂直样品表面的电阻转变曲线.结果显示,样品零场下零电阻转变温度约为21 K,在80～150 K范围,电阻随温度的变化关系可以用幂指数关系R(T)～T2来描述,但是在低温区表现出N型反常行为.在起始转变温度以下有一个很大的电阻突起峰,且受到磁场的抑制.晶体表现为类重费米子系统性质.样品特征温度为23.1 K.     

Fe/Al2O3/Fe隧道结的巨磁电阻效应

采用多靶离子束溅射镀膜技术制备了Ｆｅ（２００℃退火）／Ａｌ２Ｏ３／Ｆｅ多隧道样品,研究了隧道结样品的巨磁电阻效应,在室温下获得了５．８９％的巨磁电阻效应,具有甚高场灵敏度并且测量了样品的伏安特性曲线,观察到了非线性的伏安特性曲线,证明了隧道效应的存在。     

溶胶-凝胶法制备具有室温铁磁性的Ti_(0.975)Co_(0.025)O_2纳米颗粒

采用溶胶-凝胶工艺制备了磁性Co掺杂TiO2基稀磁半导体的纳米颗粒,在空气氛围中以不同温度对样品进行退火处理.通过差热/热重综合热分析仪(TG-DTA)、X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱(Raman)、透射电镜(TEM)分析了纳米颗粒的结构和相变温度.使用振动样品磁场计(VSM)测试样品磁性能.研究发现:退火温度较低时样品为锐钛矿结构,在823K时出现少量金红石相,当退火温度为873K时,样品基本转变成金红石结构,同时析出少量CoTiO3.退火温度同时对样品的磁性有较大影响.随着退火温度的升高,样品室温下的M-H曲线由顺磁形式向铁磁形式转变.退火温度为873K时,我们得到了具有室温铁磁性的Ti0.975Co0.025O2纳米颗粒.     

四探针研究N~+注入Si的退火特性

本文用四探针法测量了在不同剂量和不同能量下的N~+注入Si后的薄层电阻率及其退火效应,结果表明,N~+注入Si的退火特性曲线为“W”形,曲线中的两个波谷是两个好的退火区:其中间的波峰是逆退火区,在退火温度为1080℃附近时,当注入剂量为1×10~(14)N~+/cm~2,注入能量为170kev和注入剂量为5×10~(14)N~+/cm~2注入能量为160 kev时,薄层电阻率都有急剧增大的趋势,最后,本文对上述这些实验结果进行了初步的分析和讨论。     

(Ni79Fe21)0.44(Al2O3)0.56纳米颗粒膜的巨磁电阻效应

采用磁控溅射法在玻璃基片上制备了一系列不同Ni79Fe21含量x的（Ni79Fe21)x(Al2O3)1-x纳米颗粒膜样品，并对样品的巨磁电阻效应进行了研究。在（Ni79Fe21)0.44(Al2O3)0.56颗粒膜样品中，扫描透射电镜（TEM）照片清晰显示纳米Ni79Fe21颗粒包课于Al2O3中。观测到了室温下近2.5%的巨磁电阻效应，发现样品的巨磁电阻效应随着退火温度升高而单调下降，不存在一个最佳退火温度。     

退火温度对CoCrPt/Ag纳米颗粒膜的影响

在室温下,应用磁控溅射法制备了CoCrPt(25 nm)/Ag(40 nm)纳米颗粒薄膜,随后进行了退火.CoCrPt靶和Ag靶分别采用射频溅射和直流对靶溅射模式.用振动样品磁强计(VSM)研究了Ag衬底层对CoCrPt磁特性的影响,发现650℃退火后的样品,矫顽力达到最大.扫描探针显微镜(SPM)观测显示颗粒的尺寸随退火温度的升高而增加;X射线衍射(XRD)图样表明,样品具有六角密积结构.     

铒离子注入氮化镓的光学活性与缺陷掺杂变化

对100keV、1×1015cm-2的Er离子注入的GaN 退火样品的各项性质进行研究,采取光致发光(室温)、拉曼光谱和卢瑟福背散射对不同的退火样品的微观结构和光学性质进行研究.在退火样品中,均观测到了在1539nm 附近的PL峰.随着退火温度的升高,PL峰强在900℃时达到最大值.RBS结果显示随着温度的升高,Er离子不断扩散,且有部分在表面析出,导致在光学活性位置上的Er离子减少,使PL强度在更高温度下减弱.      

石墨微晶粉末系统磁阻研究

用加压的方法制备了石墨微晶粉末样品,利用Quantum Design公司的Squid测量提供的磁场和低温,在温度为1.8 K～300 K和4.5 T的磁场范围内测量了样品的电阻,某些样品的电阻与温度关系符合涨落引起的隧穿导电机理,即满足R∞exp[T1/(T1+T2)],样品磁阻(MR)为正值.其它样品的曲线符合R∞1/Tα这一指数规律,其中α接近于数值1,提出声子激发的束缚态电子隧穿导电机制,其电输运特性取决于势垒有效宽度,含有负磁阻成分.研究表明样品的负磁阻是由于磁场中费米面附近电子能级的分裂,增强了声子激发的束缚态电子隧穿导电效应.     

退火工艺对AlN基片上NTC薄膜性能的影响研究

通过退火过程原位电阻测试、电阻—温度特性测试和扫描电镜(SEM)测试,研究了退火温度和退火时间对Al N基片上磁控溅射制备的Mn-Co-Ni-O系负温度系数(NTC)热敏电阻薄膜性能与微观形貌的影响.实验结果表明,功能层在450℃附近开始结构弛豫和晶化过程,晶化初期电阻下降;由于Al N基片与NTC薄膜材料之间存在键性差异,晶化收缩会导致薄膜中出现孔洞,造成恒温段电阻升高;恒温退火的温度越高,退火后样品B值越高,晶化收缩越剧烈,电阻增加越快;恒温时间越长,样品电阻增加越多,恒温时间对B值没有影响.     

关于退火温度对VO2薄膜制备及其电学性质影响的研究

采用真空蒸发-真空退火工艺由V2O5粉末制备VO2薄膜,研究了退火温度对薄膜的影响.经XRD,XPS及电阻-温度测试发现,随退火温度的升高,VO2薄膜先后经历了单斜晶系VO2(B)型→单斜晶系VO2(A)型→四方晶系VO2的变化,在3种类型的薄膜中V均以V4+为主,且在VO2(A)型薄膜中V4+含量最高.薄膜电阻以退火温度460℃时为分界线,低于460℃时,VO2(B)型薄膜电阻和电阻温度系数随退火温度的升高而增大;高于460℃时,四方晶系VO2薄膜的电阻及其电阻温度系数随退火温度的升高呈现相反的趋势.