磷化镓晶体掺氮浓度的热力学计算

磷化镓绿色发光二极管是近代新型的半导体发光显示器件。器件发光效率与掺入等电子陷阱氮的浓度息息相关。本文应用热力学理论算出赝二元合金Ga P_(1-x)N_x中氮的溶解度与温度关系。对指导提高磷化镓绿色发光效率有直接的作用。     

软X射线分光晶体TAP缺陷成因的研究

测定了ＴＡＰ晶体中铊离子的价态，发现ＴＡＰ晶体中除了一价的铊离子Ｔｌ＋外，还有少量三价铊离子Ｔｌ３＋的存在．实验还测定ＴＡＰ晶体中存在的金属离子杂质，总量为０２０７ｍｇ／ｇ．联系ＴＡＰ结构的特点讨论了ＴＡＰ晶体存在Ｔｌ３＋和金属离子杂质是产生ＴＡＰ晶体结构缺陷的重要原因，并分析了ＴＡＰ晶体位错线基本走向平行于ｃ轴的原因     

晶体中热缺陷的跃迁几率

很多固体物理文献,对热缺陷引起扩散均简单认为热缺陷从一个位置越过势垒E_1的几率P_(E1)=e~((-E_1)/kT.本文根据统计分布,讨论热缺陷的跃迁几率,得到的扩散系数会比上述文献有一个数量级以上的差别,并指出定量研究热缺陷跃迁几率的途径.     

一维光子晶体中缺陷层厚度与缺陷模的关系

采用传输矩阵法,分析了缺陷层厚度与缺陷模波长之间的关系,即:一定的缺陷层厚度范围内,缺陷模的波长将随缺陷层厚度的增大而发生红移,且两者呈线性关系。利用这个关系,设计了一种精确计量微小位移的方法。     

电子辐照GaP晶体中缺陷的产生和影响

本文描叙电子辐照GaP晶体中缺陷的产生过程及对少子扩散长度和发光的影响。测量了电子辐照前后的少子扩散长度的变化,观察了缺陷密度和形貌,通过阴极射线发光讯号和电子束感生电流讯号的检测,对少子扩散长度和缺陷的变化加以验证。分析了电子辐照GaP晶体中缺陷产生的机制,计算了GaP晶体的原子位移间能和电子辐照阔值能量。本工作证明GaP晶体中点缺陷和微缺陷是重要的无辐射复合中心,高密度微缺陷使材料少子寿命和发光效率显著降低,产生发光猝灭。     

冷轧板表面线状缺陷成因分析与探讨

分析了线状缺陷的形貌特征,通过对现场试样线状缺陷的分析和模拟轧制试验,研究了线状缺陷的形成原因.结果表明,"黑线"是由钢中夹杂引起的,"亮线"是钢中气泡和夹杂共同作用的结果.     

NiAl晶体中点缺陷的模拟

利用嵌入原子法（ＥＡＭ）势函数,通过分子静态弛豫方法ＮｉＡｌ合金中各种点缺陷的形成能进行了模拟计算。结果表明,从点缺陷的形成能来看,在ＮｉＡｌ晶格中很难形成Ｎｉ反位置缺陷,而Ａｌ原子亚点阵位置总是被占据。当合金富Ｎｉ时,Ｎｉ占据Ａｌ位置形成Ａｌ的反位置缺陷;当合金富Ａｌ时,形成Ｎｉ空位。点缺陷周围原子的位移情况及双空位形成能与空位之间间距的关系的研究表明,随着两个空位之间距离的增大,其交互作用逐渐     

一维光子晶体的缺陷模

从传输矩阵出发,详细推导了一维光子晶体的缺陷模,得出了光子晶体的缺陷模位置、数目和组成光子晶体缺陷层的光学厚度,缺陷层数目的关系。     

难干木材的干燥缺陷及其成因分析

木材干燥是木材精深加工过程中的一道重要在序,也是能耗较大的一道工序。干燥质量的好坏直接影响到后续工序加工质量和木制品的生产成本。     

一维光子晶体的缺陷模式研究

利用传波矩阵方法,计算了电磁波在带有缺陷的一维光子晶体中的传波。数值计算表明,在只有一个缺陷层时,缺陷模式频率与缺陷层在光子晶体中的位置无关,当有两个缺陷层出现时,缺陷模式频率与缺陷层在光子晶体中的位置是有关的。另外,计算也表明,缺陷模式频率对缺陷层材料的折射率变化是非常敏感的。     

NiAl晶体中点缺陷浓度的模拟计算

利用嵌入原子法（ＥＡＭ）势函数,采用分子静态弛豫方法得到了ＮｉＡｌ合金中Ａｌ空位、Ｎｉ空位、Ａｌ反位置缺陷和Ｎｉ反位置缺陷的形成能．通过平衡方程的建立及求解得到了各种点缺陷浓度随温度与组分的变化规律．研究结果表明,在ＮｉＡｌ合金中,当偏离化学计量比时,均存在“组分缺陷”．“组分缺陷”浓度基本不随温度变化,约在１０－２～１０－１数量级,而由原子热振动引入的“热缺陷”浓度随温度变化明显．ＮｉＡｌ合金的屈服强度和扩散系数随化学成分的变化,主要与不同化学成分合金的“组分缺陷”种类及浓度有关．     

NaCl色心晶体中的缺陷化学反应

从激光晶体中色心的热化学反应，光化学反应，可逆反应等，研究晶体中色心的形成、转化、聚合、分解及其规律．并以ＮａＣｌ晶体为例探讨其反应机理和实际应用．     

水工混凝土常见质量缺陷成因及其防治措施

混凝土工程施工时,经常发生一些质量缺陷,这些质量缺陷不能根除,在施工时只能进行防治,本文对水工混凝土质量缺陷产生原因进行分析,提出相应的防治措施。     

在砷化镓衬底上异质外延磷化镓的表面缺陷与绿色发光管(摘要)

由于多色发光显示器件的需要,近年来半导体磷化镓绿色发光器件发展迅速,国外普遍采用高压单晶炉拉制体材料,然后在磷化镓体材料衬底上同质外延磷化镓薄膜,再在薄膜上制造绿色发光管的方法。国内由于高压单晶炉尚未成熟,近年来均沿用日本索尼公司一种所谓低压合成溶质扩散法(SSD)、但是,应用该法生长磷化镓速率十分慢,每小时生长0.01～0.1毫米,所得还是多晶体。由此所制成的磷化镓绿色发     

钛合金激光修复过程中缺陷的成因及对策研究

钛合金激光修复是以激光熔覆和快速成形技术为基础,以修复破损零件为目的的技术。钛合金激光修复技术近年来发展迅速,但是该技术目前处于发展阶段,修复过程中还存在某些缺陷,如裂纹及开裂,成分不均匀和气孔等,有必要研究这些缺陷的成因并提出相应的解决办法。     

CFG桩基施工中质量缺陷成因与处理

CFG桩基在施工中常遇到桩位偏移、缩颈、串桩、漏桩、断桩等质量缺陷,本文结合案例就常见质量缺陷的成因进行了一一分析,并提出了处理方案,有效的保证了CFG桩基的施工质量。     

压力容器检验中夹层缺陷探讨

文章探讨了压力容器中母材夹层的检验,通过对夹层缺陷其危害性以及产生原因进行分析,并提出了有效的判断夹层产生缺陷的方法,希望对压力容器检验工作提供一些帮助。     

桥梁钻孔灌注桩施工与质量缺陷的成因及其预防

随着公路、铁路、市政桥梁和高层建筑在我国的飞速发展,我国的钻孔灌注桩施工技术也得到了长足的进步,但事情总是有两方面,在钻孔灌注桩施工技术推广过程中,也出现了各种质量隐患,比如:施工完成的桩身存在短桩(尤其在端承桩施工过程中,短桩会严重的削弱桩的承载力,影响基础工程的整体承载力)、断桩(桩身出现裂缝甚至断裂)以及斜桩(在成孔过程中,桩孔的垂直度不满足要求),极大程度的限制了钻孔灌注桩技术的进一步推广。本文以下结合钻孔灌注桩施工工序以及笔者的工作经验,对在施工过程中作为监理方应注意的质量控制要点进行详细论述,以期对钻孔灌注桩施工技术质量水平的提高起到一定的促进作用。     

植物自掺杂氮二氧化铈的制备及其氧缺陷成因

选取2种具有金属与氮的卟啉结构植物叶片(三叶草、夹竹桃)为氮源,经过盐酸浸泡、Ce3+盐浸泡、干燥和500°C烧结,得到掺杂氮二氧化铈;通过X射线衍射仪和X射线光电子能谱仪分析其相结构及成分和氧缺陷.结果表明:所得掺杂氮二氧化铈具有立方萤石结构;由植物叶片烧结所得二氧化铈中含有氮,且其氧缺陷含量高于纯二氧化铈样品;以植物叶片为氮源可实现对二氧化铈的氮掺杂,并提高其氧缺陷含量.这归因于氮掺杂所引起的电性不平衡、氧缺陷形成能下降、氧缺陷稳定化及晶格畸变等因素.此方法避免了人工掺杂氮方法所需的昂贵设备及有毒含氮化学试剂的使用,有望推广到一般掺杂氮金属氧化物的制备中.