Eu^3＋：Y2SiO5晶体的格位选择光谱研究

在室温和液氮温度下,测量并研究了Ｅｕ＾３＋：Ｙ２ＳｉＯ５晶体的透射光谱,荧光光谱,激发光谱和格位选择荧光光谱。实验结果表明,在该晶体中Ｅｕ＾３＋替换Ｙ＾３＋离子,占据２个不等价的Ｃ１光学格位,这２个格位的＾５Ｄ０→＾７Ｆ０能级跃迁谱线相隔大约只有０．２ｎｍ。     

硼酸镁中Ce^3＋,Gd^3＋对Sm^3＋发光的敏化作用

研究不同组成铈钆钐激活硼酸镁的发光光谱、激发光谱和发光寿命表明:在254nm紫外光激发下,只含Sm~(3+)的硼酸镁发光很弱;Ce~(3+)虽能很好地吸收紫外光,但只能将一部分能量传递给Sm~(3+);依靠Gd~(3+)的能量传递中间体作用,铈钆钐共激活的硼酸镁中Sm~(3+)的发光明显地增强。Ce~(3+)、Gd~(3+)和Sm~(3+)间能量传递的机理为共振传道。     

含纳米硅粒SiO2薄膜的光致发光

采用RF磁控溅射技术制备含纳米硅的SiO2薄膜.通过对Si-SiO2复合靶的比分进行调节控制,并在不同的温度下进行高温退火得到不同粒径的纳米硅.利用XRD对样品进行分析得出纳米硅的平均粒径;对样品测量光致发光谱,其发光峰分别位于361 nm和430 nm,比较发现光致发光的峰位随比分的改变有微小的蓝移.文中对发光机理进行初步讨论.     

CdS:Y3+纳米带的制备及其光致发光特性

采用热蒸发法制备CdS∶Y~(3+)纳米带.利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)对纳米带的形貌、晶体结构进行表征;利用荧光光谱仪(PL)对纳米带的光致发光特性进行分析.结果表明:CdS∶Y~(3+)纳米带外观形状基本规则平整且表面光滑,部分纳米带边缘会出现锯齿状;纳米带的厚度大约几十纳米,长度在几十微米到上百微米之内,宽度在5~15μm之间.纳米带具有六方结构,晶格常数a=0.414nm、c=0.671nm;纳米带的发光谱中出现多个发光峰,且各个发光峰的强度增强.     

La2O3：Tb^3＋纳米晶的燃烧法制备及其光致发光性质

采用柠檬酸燃烧法制备稀土Tb^3＋掺杂的La2O3纳米晶。并用X射线衍射仪（XRD）、透射电子显微镜（TEM）和荧光分光光度计对La2O3：Tb^3＋纳米晶的结构、形貌和发光性能进行分析．结果表明,不同柠檬酸与稀土离子配比（C／M）制备的样品经800℃退火后均得到结晶性良好的六方相La2O3：Tb^3＋纳米晶,晶粒尺寸约为20nm．纳米晶的三维荧光光谱图显示,Tb^3＋在基质中的最佳激发波长为280nm,在280nm光的激发下,La2O3：Tb^3＋纳米晶产生Tb^3＋的特征发射峰,归属于5^D4-7^FJ（J=6,5,4）跃迁,主发射峰位置均在543nm处（5^D4-7^F5跃迁）．同时研究了柠檬酸与稀土离子配比（C／M）对结晶度、发光性质等的影响．     

Ce^3＋和Tb^3＋离子掺杂的钇铝石榴石（YAG）发光材料的软化学合成

用硫酸盐溶液合成了Ｃｅ＾３＋、Ｔｂ＾３＋掺杂的钇铝石榴石（ＹＡＧ）材料：以Ａｌ（ＯＨ）３作为沉淀种子掺杂的钇铝石榴石，利用尿素缓慢水解产生的ＯＨ＾－，使Ｙ（Ｃｅ、Ｔｂ）形成氢氧化物同质共沉淀，此沉淀经过后处理，在１２２０℃高温分解后即为成品。其颗粒小，光致发光效果良好。     

嵌入SiO2薄膜中的GeO和Ge纳米晶光致发光的研究

作者通过离子注入法得到了镶嵌于SiO2薄膜中的Ge纳米晶,并通过系统的氧化性或还原性退火处理,以改变样品中Ge的氧化物成分组成．分析了不同样品在室温下的光致发光(PL)特性,并结合XRD分析表明：300与400nm附近的荧光峰的发光机制是GeO(nc-GeO)纳米晶发光,而不是GeO的缺陷发光;570nm附近的荧光峰的发光机制为Ge纳米晶(nc-Ge)发光,而不是Ge及Si界面的缺陷发光．     

纳秒脉冲激光制备的纳米硅光致发光研究

在氧气、空气或氮气环境中,用脉冲激光辐照加工出的纳米硅有较强的PL发光,将这些PL光谱进行高斯去卷积处理,可以得到不同的子峰,这是因为在氧气、空气或氮气中加工出的纳米硅能带带隙中有与氧和氮有关的局域态。结合 计算结果,在纳米硅中Si=0双键和si—N键等可引入的局域态对PL发光有贡献。     

碳纳米管模板对 YBO3：Eu3＋（5％）结构、形貌及光致发光的影响

在前驱体溶液中添加和不添加碳纳米管，采用简单的水热合成法并在1000℃下烧结，获得树枝状和类球状纳米结构的 YBO3：Eu3＋样品．研究表明：对于树枝状结构的样品，其红色和橙色光的强度比更高，且其CIE 坐标为（0．67，0．33），几乎与商业红色荧光粉 Y2 O2 S ：Eu3＋的色坐标相同，可见树枝状结构的红色荧光粉YBO3：Eu3＋在纳米器件和照明器件中具有潜在应用价值．该文还对样品的发光性质和机制做了解释．     

Zn2SiO4：Mn纳米微晶薄膜的溶胶—凝胶法制备及其光致…

以硝酸锌，硝酸锰，正硅酸乙酯，无水乙醇为主要原料，用溶胶－凝胶提拉法制备了Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ薄膜，并利用ＸＲＤ，ＳＥＭ，荧光分光光度计和多频荧光寿命仪等对薄膜进行了分析。结果表明，采用上述先驱动通过溶胶－凝胶过程可获得的均匀致密的薄膜。     

液相脉冲放电制备β-SiC纳米颗粒及其光致发光

采用脉冲放电法在六甲基二硅烷液体中放电制备得到β-SiC纳米颗粒,研究了空气气氛中退火样品的光致发光谱与退火温度的关系。在室温下观察到400nm和470 nm的发光峰。讨论了相关的光致发光性质和可能的内在机理。400nm峰可能是源自于β-SiC纳米颗粒表面的原子过量缺陷中心,而470nm峰则认为与在β-SiC纳米晶和无定形SiO2界面处的缺陷有关。     

La2O3∶Tb3+纳米晶的燃烧法制备及其光致发光性质

采用柠檬酸燃烧法制备稀土Tb3+掺杂的La2O3纳米晶,并用X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和荧光分光光度计对La2O3∶Tb3+纳米晶的结构、形貌和发光性能进行分析.结果表明,不同柠檬酸与稀土离子配比(C/M)制备的样品经800℃退火后均得到结晶性良好的六方相La2O3∶Tb3+纳米晶,晶粒尺寸约为20nm.纳米晶的三维荧光光谱图显示,Tb3+在基质中的最佳激发波长为280nm,在280nm光的激发下,La2O3∶Tb3+纳米晶产生Tb3+的特征发射峰,归属于5D4-7FJ(J=6,5,4)跃迁,主发射峰位置均在543nm处(5D4-7F5跃迁).同时研究了柠檬酸与稀土离子配比(C/M)对结晶度、发光性质等的影响.     

纳米Si薄膜的光致发光模型

报导了纳米Ｓｉ 薄膜材料的光致发光现象．并根据纳米Ｓｉ 在１ ．６３ｅＶ 的发光峰值,讨论了发光与纳米微粒尺寸的关系,提出了一个模型,该模型能解释纳米Ｓｉ 光致发光现象,并研究了光致发光与限制激子的关系．     

沉淀法制备ZnO：Eu^3＋纳米晶及其发光性能的研究

分别以尿素、氨水作为沉淀剂,与Zn(NO3)2和Eu(NO3)3混合物反应,制备出不同尺寸的纳米ZnO:Eu3 晶.用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜及荧光分光光度计对所制备的ZnO:Eu3 进行了分析.结果表明,以尿素为沉淀剂可以得到颗粒均匀、尺寸较小并且发光性能优良的ZnO:Eu3 纳米晶,主发射峰位置在611 nm处;随着Eu3 掺杂浓度的提高,ZnO:Eu3 粒径逐渐减小;利用均匀沉淀法(尿素为沉淀剂)制备的ZnO:Eu3 其发光性能优于直接沉淀法(氨水为沉淀剂)制备的ZnO:Eu3 .     

不同掺杂浓度的CdS：Mn/SiO_2核壳纳米结构的光致发光

通过反胶束法合成了分散性较好的Mn2+掺杂的CdS/SiO2核壳纳米结构,在合成过程中,没有添加任何偶联剂.利用高分辨透射电镜和电子衍射仪器对合成的纳米颗粒的结构进行了表征.进一步研究了这些纳米颗粒的光致发光谱、光致发光激发谱和电子自旋共振谱,对于不同的Mn2+掺杂的CdS/SiO2核壳纳米结构的发光特性和机制进行了详细的分析.这些稳定的荧光纳米颗粒可望在生物、医学等方面以及与材料相关的领域内有广泛的应用.     

TiO2/Y2O3/海泡石复合体的制备及光催化降解甲基橙的研究

以TiCl4和Y2O3为原料,海泡石为载体,采用过氧化氢络合物热分解法制备了复合TiO2/Y2O3/海泡石光催化剂.以甲基橙为目标降解物.进行正交试验,得出制备的最佳条件.研究了对甲基橙溶液的降解率的影响因素。     

三元体系Y(NO_3)_3-Cu(NO_3)_2-H_2O(35℃)的研究

本文研究了Y(NO_3)_3-Cu(NO_3)_2-H_2O三元体系在35℃下的相平衡,测定了各饱和液相的折光率。结果指出:该体系中未发现有Y(NO_3)_3与Cu(NO_3)_2的复盐生成。     

Na0.5Bi0．5TiO3纳米线的制备及其光致发光特性研究

采用溶胶-凝胶-水热合成技术,以钛酸四丁酯、醋酸钠和五水硝酸铋为原料,NaOH为矿化剂,合成了直径约10～20 nm,长度达到微米量级的钙钛矿结构钛酸铋钠纳米线单晶. 通过X射线衍射仪,透射电子显微镜,X射线光电子能谱等技术对纳米线的形貌和成分进行了表征,并研究了Na0.5Bi0.5TiO3纳米线的光致发光特性.