非晶硅锗薄膜太阳能电池研究

介绍了薄膜电池的制备技术及发展进程. 采用射频等离子体加强气相沉积法（PECVD）,制备了非晶锗硅薄膜,提出了制备优质非晶锗硅薄膜的条件和非晶锗硅薄膜的基本性质及其制备工艺中存在的问题和解决方案.     

射频反应溅射非晶硅基薄膜的红外谱

本文研究了用射频反溅射法制备的非晶硅基系列薄膜（ａ－Ｓｉ：Ｈ，ａ－ＳｉＣｘ：Ｈ，ａ－ＳｉＮｘ：Ｈ和ａ－ＳｉＣｘＮｙ：Ｈ）的红外吸收谱，对其中的主要吸收区进行了分析和讨论。     

氢等离子体退火对氢化非晶硅结构有序度的影响

室温下利用氢等离子体退火技术对氢化非晶硅(a-Si：H)薄膜进行处理，通过傅立叶红外、光吸收、拉曼光谱3种测试手段对非晶硅的微结构进行了分析，发现不同的退火时间对a—Si：H的微结构影响很大，氢等离子体在与薄膜的化学反应过程中主要表现为原子氢(H^0)与薄膜的反应．化学势很高的H^0能将Si—Si弱键转变成Si—Si强键．硅网络结构发生弛豫，使结构由无序向有序转变，从而能够降低晶化温度与退火时间．     

室温下硅与硅锗合金的热电性能研究

采用第一性原理方法研究在温度为300 K时,硅单质和两种锗组分不同的硅锗合金的热电性能,发现虽然硅的热电功率因子S2σ较大,但由于其热导率也高,故不是良好的热电材料,但若与其同族的元素锗形成合金,就可使材料的热导率得到显著下降,伴随而来的载流子迁移率的下降则远不如热导率明显,从而可获得较大的热电优值,而且在硅锗合金中锗含量不同时,热电优值也会有变化.     

多晶硅发射极锗硅合金基区HBT理论模型

对多晶硅发射极锗硅合金基区ＨＢＴ提出了一个理论模型，认为在多晶硅发射区和锗硅合金基区间存在一界面层。通过计算机模拟得到界面层的厚度取适当值时有利于增益的提高，但应降低界面态密度；随着基区中锗含量ｘ的增大增益相应增大，但由于界面态的作用，当ｘ增加到一定值时增益的提高变缓。     

用等离子质谱法研究钛钼合金钝化膜

Ti-15Mo合金试样在70℃,4mol HCl中,不同电位下恒电位阳极极化,使用等离子质谱(ICP-MS)方法分析试验溶液。结果表明,试验溶液中Mo贫乏,由此推测在试样表面形成的阳极钝化膜中Mo发生富集。Mo的富集系数Z(M_o)达到0.61。不同极化电位对Mo富集程度影响不大。     

非晶态Ni-P合金的组织结构转变

本文采用化学镀方法制备非晶态Ni-P合金,研究了非晶态Ni—P合金的组织结构转变过程。结果表明,非晶态Ni-P合金的磷含量影响其晶化转变,磷含量小于11.0％,晶化相为f.c.c Ni,大于11.0％的则为Ni_3P,其过程类似过冷液体的结晶过程。     

无定形氢化碳薄膜的制备方法

无定形氢化碳(a-C∶H)薄膜由于具有许多独特的性质,近年米受到研究工作者们的嘱目。本文详细介绍了 a-C∶H 薄膜的各种制备方法,包括等离子体淀积法、离子束法、溅射法和化学汽相淀积法等,给出了某些典型的实验条件。文中还讨论了制备膜的性质及其与制备条件之间的关系,氢和氧含量以及掺杂对膜特性的影响。最后,展望了 a-C∶H 薄膜的应用前景。     

交变电流对FeNiPB非晶合金畴结构的影响

我们用测量复阻抗z的方法,研究了交变电流对F_(e41)N_(i39)P_(12)B_8非晶合金畴结构的影响,并测量了50H_z到200K_z之间的样品临界电流I_c,计算出其Bloch畴壁表面能σ和畴宽D的数值。依据实验结果,我们提出了一种新的测量方法:当样品表面形成单畴时,其复阻抗中磁贡献部分为固定值,此时通过样品的电流就是临界电流I_c,由临界电流与壁表面能的关系I_c=4σω/M_st可以确定出畴壁表面的数值。我们的实验结果为2.00×10~(-4)J/m~2量级,与扫描电镜方法的结果一致,这就证明了此方法的正确性。另外,我们还研究了退火处理对畴表面的影响和交变电流频率对样品复阻实部ReZ的影响。     

合金元素对Fe─P非晶志合金电镀层性能的影响

用正交试验法研究了在电镀Fe－P非晶态合金的电解液中分别加入钼酸钠和钨酸钠以制取Fe－Mo－P和Fe－W－P非晶态合金的镀液配方和工艺条件。获得了外观呈银白色、平整光滑的非晶态镀层。比较了镀层硬度和在某些介质中的耐蚀性。     

GaAs上Ge薄膜的性能研究

用超高真空镀膜机在半绝缘GaAs衬底上蒸镀800nmGe,Ge薄膜在500度以上退火有再结晶过程,退火后由非晶变成多晶,在Ge和GaAs界面处有互扩散,电特性研究表明退火后Ge薄膜呈高浓度p型,可能是由于Ga扩散到Ge中的掺杂或是Ge的缺陷行为所致。     

钴－磷非晶合金超细微粒的制备和物性研究

用化学反应法在水溶液中用次亚磷酸钠还原氯化钴制得了纯净的钴－磷非晶合金超细微粒．通过一系列的实验，研究了反应条件（如初始ｐＨ值、反应时间以及添加剂等）对反应产物的影响，并且对产物进行了表征．在反应的初始ｐＨ值为１１和１２时，制得了平均粒度为１５０ｎｍ的粒度相对均匀的钴－磷非晶合金超细微粒     

Ce-Co-Cu-Fe稀土永磁合金的研制

本文通过研究Cu含量、Fe含量、Co含量和其它工艺参数对Ce-Co-Cu-Fe稀土永磁合金磁性能的影响,制备出了Br≥6000GS,_bHc≥4000Oe,(BH)_m=8～12MGOe的高磁性能稀土永磁合金.     

钨合金球坯制备新工艺分析

用圆盘造球工艺制备了钨合金球坯，此种工艺具有生产效率高、产品质量稳定、成本低和易操作等特点．与模压法相比，采用此工艺可使压力分布更均匀，材质更致密。本文讨论了圆盘制球工艺中钨合金球坯的受力状态、密度均匀性和球径控制等问题。     

激光烧蚀速率精密调节的新技术

提出了一种精密调节激光烧蚀速率的方法——双光束技术,得到了比单光束技术约高两个数量级的调节精度。对这种双光束调节的机制进行了解释。