热处理温度对溶胶-凝胶法制备的Ce_(0.97)Co_(0.03)O_2薄膜结构和光学性能的影响

采用溶胶-凝胶法,在Si(100)衬底上制备了3%Co掺杂CeO2薄膜,研究了不同热处理温度对Ce0.97Co0.03O2薄膜结构和光学性质的影响。X射线衍射(XRD)表明,3%Co掺杂CeO2薄膜为多晶薄膜,且未破坏CeO2原有的结构,随着退火温度的升高,晶粒尺寸逐渐增大。椭偏光谱法研究表明,Ce0.97Co0.03O2薄膜的光学常数(折射率n、消光系数k)随着退火温度增加而增大,光学带隙Eg随退火温度增加而减小,这是薄膜结构随退火温度增加发生变化所致。     

外加剂制备莫来石料烧结性能的影响

本文研究了加入添加剂CeO2和MgO对莫来石料烧结性能的影响。结果表明,复合加入添加剂CeO2/MgO比单独加入CeO2或MgO促进烧结的效果好,不仅可以降低烧结温度,而且可以提高体积密度。     

低温铸铁搪瓷釉耐酸耐热性能的研究

通过实验研究不同搪瓷釉的组成、烧结温度和时间对搪瓷釉性能的影响,从而分析不同烧结温度和时间对铸铁搪瓷釉耐酸、耐热、耐温差急变等性能的影响.结果表明,在搪瓷釉中增加ZrO2和BaO的含量显著提高了铸铁搪瓷层表面的耐酸耐热性能.铸铁搪瓷釉最佳的烧成温度为740℃,最佳烧结时间为8 min.铸铁搪瓷层表面的耐酸指数为AA级,耐热温度为520℃,耐温差急变的温度为320℃.     

稀土改性凹凸棒石协同等离子体净化硝酸尾气

硝酸生产尾气中含有的氮氧化物是大气污染源之一,研究采用等离子体协同稀土改性凹凸棒石粘土催化剂可有效净化脱除硝酸生产尾气中的NOx;同时该催化剂对氮氧化物还具有吸附功能,提高了反应物浓度和反应速率.试验研究表明随等离子体输入电压增加NOx脱除率增大,等离子体能够有效提高活性粒子和氧自由基浓度,增大催化剂的活性和吸附性能;催化剂煅烧温度对其催化活性也具有显著影响,适宜煅烧温度可增加催化剂表面活性点密度;CeO2稀土的引入,也可增强其反应活性.研究实验条件下最佳工艺参数为等离子体输入电压大于35 kV,催化剂煅烧温度在400～600 ℃,NOx脱除率最大.     

抗粘、耐酸汽车钢化玻璃油墨的制备与性能

采取自制的调墨油、耐酸钢化颜料黑(低熔点玻璃粉和高温陶瓷黑色素的混合物)和助剂制备了抗粘、耐酸的汽车钢化玻璃油墨,进行了同步热分析,并采用SEM和XRD研究了烧结温度和时间对油墨釉层表面析晶、表面形貌及其对釉层光泽度和耐酸性的影响,确定了油墨的最佳烧结温度和时间.结果显示:低熔点玻璃粉的软化点为512℃,与调墨油树脂的最终分解温度(470℃)较接近,从而在600～700℃的烧结温度范围内可以充分熔融流动并代替树脂作为连结料;钢化颜料黑在579.4℃开始析晶,起到了降低油墨烧结温度和抗粘的作用;采用SEM和XRD研究了烧结温度和时间对油墨釉层表面析晶、表面形貌及对釉层光泽度和耐酸性的影响,确定了油墨的最佳烧结温度和时间分别为660℃和4 min;所制备的油墨具有良好的抗粘性、耐酸性以及较好的光泽度.     

合成工艺对NiFe_2O_4基惰性阳极性能的影响

为得到制备NiFe2O4基惰性阳极的最佳条件,利用正交实验法确定合适的工艺条件.考虑了影响惰性阳极制品的4个主要因素,每个因数又设计3个水平,通过正交实验极差分析研究了各因素对制品气孔率的影响,并确定了影响因素的主次.实验结果表明:对烧结后试样气孔率影响最大的因素是烧结温度,其次是纳米粉含量,再次是成型压力,最后是烧结时间;添加合适量的纳米粉,提高烧结温度和保温时间,增大成型压力等都有利于降低样品的气孔率.最佳工艺条件为:纳米粉质量分数20%,成型压力200 MPa,烧结温度1 400℃,烧结时间6 h.     

稀土掺杂TiO2光催化抗菌材料的制备与性能研究

采用溶胶-凝胶法并结合旋转涂膜法制备了稀土掺杂光催化抗菌薄膜(Ce/TiO2,Pr/TiO2,Gd/TiO2,Dy/TiO2,Y/TiO2,Eu/TiO2),研究了烧结制度、烧结温度、烧结时间、稀土掺杂量等因素对材料光催化抗菌性能的影响,分别确定了最佳制备工艺条件.结果表明,除Ce掺杂TiO2薄膜含有极少量金红石型TiO2外,其余全部由单一锐钛矿型TiO2构成,薄膜表面均存在缺陷;RE/TiO2光催化抗菌薄膜对大肠杆菌平均杀菌率皆在90%以上,较纯TiO2杀菌率(34%)有明显提高.稀土元素掺杂显著提高了光催化材料对可见光的响应.材料经反复使用和高温、高压、冲刷等处理,薄膜完整不脱落,始终有很...     

热压烧结工艺对WC-Cu-Sn涂层组织性能的影响

采用热压技术在45#钢基片表面制备WC-Cu-Sn耐磨涂层,对影响WC-Cu-Sn涂层组织性能的主要工艺因素WC含量、烧结温度和烧结时间进行了正交试验设计及极差分析。结果表明,WC质量分数47%、烧结温度850℃、烧结时间1min为涂层的最佳工艺参数,该工艺条件下的47WC-Cu-8Sn涂层组织相对耐磨系数高达12,其致密度随烧结温度升高先增大后减小,随烧结时间延长逐渐减小;WC-Cu-Sn涂层磨损机制主要以磨粒磨损为主、黏着磨损为辅。     

高速钢表面PN＋PVD复合处理工艺和性能研究

采用多弧离子镀设备,在高速钢W18Cr4V上先进行等离子氮化,再沉积TiN薄膜,研究了不同渗氮温度和时间对PN+TiN薄膜组织和性能的影响.结果表明,温度为500℃左右和时间为2h以上条件下对W18Cr4V进行渗氮处理后再沉积TiN薄膜,可以得到最佳的薄膜表面显微硬度(1800～2000HV0.05)和膜/基结合力(50N),涂层耐磨性也得到明显提高.     

二步法制备CeO_2纳米涂层

研究发现一步法制备CeO2涂层保护层的表面存在裂纹和孔洞,为了提高薄膜的表面质量,采用二步法制备CeO2纳米涂层,用XRD和SEM研究了制备的薄膜,确定制备的参数,试验结果表明,二步法能够得到表面质量高的CeO2薄膜涂层。     

CeO_2涂层薄膜的制备

采用化学溶液沉积（CSD）法,在Ni基带上制备高性能CeO2涂层。研究了前驱液性质、前驱膜的热处理问题,通过溶液干凝胶粉末的热分解过程,用XRD分析了薄膜物相,并用红外分析来验证,确定了前驱膜的烧结温度范围。用视频光学接触角量仪验证了溶液和基底具有良好的浸润性。     

多孔SiO_2减反射薄膜的制备研究及光伏应用

采用溶胶凝胶法,使用氨水催化正硅酸乙酯在乙醇溶剂中水解制备SiO_2溶胶,研究反应物浓度、退火温度及匀胶速率对多孔SiO_2减反射薄膜的光学性质的影响.结果表明,SiO_2溶胶颗粒尺寸随着乙醇用量的增加而减小,匀胶速率可以对薄膜厚度进行调整及制备出不同折射率的薄膜.乙醇用量为120 m L和转速为2000 r/min时,制备出的SiO_2薄膜具有最佳减反射性能.不同退火温度下,SiO_2溶胶颗粒尺寸、薄膜的光学性质均无明显改变.采用优化后的工艺制备出的多孔SiO_2减反射薄膜应用于Cd Te薄膜太阳电池上,在400 nm-800 nm波段,量子效率得到提高,积分短路电流密度提高了4.83%,光电转化效率由14.92%提高到15.45%.     

微波等离子体化学气相淀积ZrO2薄膜的表面形貌研究

以锆的β-二酮螫合物为源,以微波等离子体化学气相淀积方法合成ZrO_2薄膜过程中,观察到不同淀积条件下出现的四种不同表面形貌。从等离子体的电子温度、电子密度和源物质的浓度等方面对几种形貌的成因进行了讨论。同时用扫描电镜观察了高温退火及等离子体退火对薄膜形貌的影响,以及不同衬底薄膜形貌的差异。     

Synthesis of the CuInSe2 thin film for solar cells using the electrodeposition technique and Taguchi method

The Taguchi method was used to obtain the optimum electrodeposition parameters for the synthesis of the CuInSe₂ thin film for solar cells. The parameters consist of annealing temperature, current density, CuCl₂ concentration, FeCl₃ concentration, H₂SeO₃ concentration, TEA amount, pH value, and deposition time. The experiments were carried out according to an L₁₈(2137) table An X-ray diffractometer (XRD) and a scanning electron microscope (SEM) were respectively used to analyze the phases and observe the microstructure and the grain size of the CuInSe₂ film before and after annealing treatment. The results showed that the CuInSe₂ phase was deposited with a preferred plane (112) parallel to the substrate surface. The optimum parameters are as follows: current density, 7 mA/cm 2 ; CuCl₂ concentration, 10 mM; FeCl₃ concentration, 50 mM; H₂SeO₃ concentration, 15 mM; TEA amount, 0 mL; pH value, 1.65; deposition time, 10 min; and annealing temperature, 500℃.     

一维纳米SnO2/TiO2复合薄膜电极的制备及光电性能

采用静电纺丝的方法,通过调节前驱体液中SnCl₂·2H₂O的质量分数,制备了直径为90~180nm的SnO₂纳米线,经TiCl₄溶液水解处理制备得到了SnO₂/TiO₂薄膜电极。使用SEM和EDS对薄膜电极进行表征,通过线性扫描伏安法和光电催化测试,分析研究了SnO₂/TiO₂ 纳米复合薄膜电极的光电化学性质。结果表明,当SnCl₂·2H₂O质量分数为3%时,SnO₂/TiO₂ 复合薄膜电极的光电流密度达到最大;随后将其与TiO₂、SnO₂薄膜电极相比,SnO₂/TiO₂ 复合薄膜电极产生的光电流明显增大;复合薄膜电极对罗丹明B（RhB）的光电催化降解率在90min后可达到95%,而TiO₂仅为56%、SnO₂为58%。     

MgB2制备过程中退火效应和热稳定性的实验研究

报道了关于 MgB₂ 超导体制备过程中的退火效应和热稳定性的实验研究。把硼片在不同的温度 Mg 气氛中退火不同时间得到 MgB₂,制备样品的测量结果显示制备 MgB₂ 的合适温度范围是 700～1000℃,并且较高的制备温度下只需要相对短的退火时间内就能得到较高转变温度的样品。热稳定性实验的结果显示在没有 Mg 的气氛中 MgB₂ 在 700℃ 下是稳定的,从 800℃ 开始分解,直到完全失去超导电性。实验还观测到利用 MgB₂ 混合物薄膜前驱代替硼片制备 MgB₂ 时,在 600℃ 退火时样品就显示超导电性。     

退火温度对CH3NH3PbI3薄膜结构和性能的影响

采用真空双源共蒸发技术制备了CH_3NH_3PbI_3薄膜,研究了退火温度对CH_3NH_3PbI_3薄膜结构和性能的影响。利用XRD、原子力显微镜、紫外—可见—近红外分光光度计和霍尔效应仪研究了CH_3NH_3PbI_3薄膜的微观结构和光电性能。研究结果表明:合适的退火温度(95℃)有助于薄膜结晶度的提高,利于晶粒长大,使得晶界减少,界面处缺陷度较低,带电粒子迁移率提高。退火温度超过100℃时,薄膜热稳定性急聚下降,使CH_3NH_3PbI_3分解,部分I-以CH3NH3I的形式挥发,产生大量过剩Pb I2相,导致薄膜载流子浓度降低,导电性能下降。退火后的薄膜在可见光区域内吸收系数提高。退火温度为95℃时,薄膜禁带宽度1.66 e V最小,最接近理论值1.55 e V。     

Anomalous transport characteristics of Fe X Cu1-X granular film

The transport characteristics of FexCu1 - x granular film fabricated by rf magnetron sputtering is introduced. In a wide temperature range from 12 to 290 K the granular film exhibits an evident negative temperature dependence of resistivity. The temperature coefficient of resistance of the granular film will change its sign from negative to positive with the deposition time, the annealing condition and the atom ratio of iron to copper respectively. When the atom ratio X equals 0.64 and the deposition time is 1 min, an anomalous big negative temperature coefficient of resistance appears in our sample. XRD shows that the structure of the granular film is like amorphous, so a preliminary explanation is given according to amorphous alloy theory.     

Preparation and thermoelectric properties of p-type Bi0.52Sb1.48Te3 + 3% Te thin films

Thin films of p-type Bi0.52Sb1.48Te3 + 3% Te were deposited on glass substrates by flash evaporation.X-ray diffraction and field-emission scanning electron microscopy were performed to characterize the thin films,and the effects of preparation and annealing parameters on the thermoelectric properties were investigated.It was shown that the power factors of the films increased with increasing deposition temperature.Annealing the as-deposited films improved the power factors when the annealing time was less than 90 min and the annealing temperature was lower than 250℃.A maximum power factor of 10.66 μW cm-1 K-2 was obtained when the film was deposited at 200℃ and annealed at 250℃ for 60 min.     

金刚石薄膜绝缘电阻的时间效应与表面处理

本文研究了常规热丝ＣＶＤ法生长的金刚石薄膜的绝缘电阻特性，发现薄膜从反应取出后其电阻会随时间降低至某一稳定值（时间效应）。用浓硫酸和双氧水的混合液、或氩等离子体对薄膜进行表面处理，可以提高电阻５￣６个数量级，且不再随时间变化；而氩气气氛下的加热处理效果不大。文中还提出了产生电阻时间效应的原因和提高薄膜绝缘电阻的方法。