孤立民导体凹凸型尖端表面电荷与电场分布

从电荷分布的微观解释和导体表面电场的特性出发,对孤立民导体凹凸形尖端处表面电荷与电场分布进行了定性分析;根据此带电导体的等势面与电力线正交的特征,给出了此带电导体尖端处的表面电荷与表面电场间的定量关系式,并进行了讨论。     

孤立带电导体凹凸形尖端表面电荷与电场分布

从电荷分布的微观解释和导体表面电场的特性出发,对孤立带电导体凹凸形尖端处表面电荷与电场分布进行了定性分析;根据此带电导体的等势面与电力线正交的特性,给出了此带电导体尖端处的表面电荷与表面电场间的定量关系式,并进行了讨论.     

导线内部电场与电荷密度分析及研究

导线表面电荷的分布是不均匀的,各点电场强度的大小也不同。采用表面电荷法计算导线表面的电荷密度,然后求出导线表面各点的最大电场强度值。通过计算方法能够反映出电荷密度及电场强度沿导线圆周分布的情况,同时估算了一下电荷密度的数量级。     

导体椭圆柱面的电荷及场强的分布

利用复变函数保角变换,将无限长导体椭圆柱面变换为无限长导体圆柱面,给出了无限长导体椭圆柱面电荷密度和空间电场分布.     

载有稳恒电流导体内净电荷和导体内外电场分布

作者从运动电荷在磁场中受到洛仑兹力作用和能量守恒出发，阐明了载有稳恒电流的导体内部净电荷不为零和导体内，外部均存在电场强度的径向分量。     

通电导体的电场和电荷的分布

通电导体有表面电荷的堆积，在电阻率不均匀的导体内，还会有空间电荷的分布，正是由于这些电荷的存在，才能在导体内形成服从欧姆定律的稳定电流。     

通电导体内稳恒电场的建立和电荷的分布

本文通过通电导体内稳恒电场的建立过程，分析了通电导体内荷的堆积 和分布情况。     

场发射显示器环境下不同置向碳纳米管的尖端电场强度计算

针对碳纳米管场发射显示器的实际工作环境,计算给出了碳纳米管在垂直、与垂直碳纳米管等长倾斜45°和与垂直碳纳米管等高倾斜45°放置3种情况下的空间电势分布和电场分布,数值计算表明在上述3种情况下的碳纳米管尖端表面附近的电场强度比值约为13:10:12。进一步分析说明在垂直和倾斜碳纳米管同时存在的情况下,要提高电子发射的均匀性,就必须提高倾斜碳纳米管的高度。     

空间电荷分布产生电场的数值模拟

该文利用辛普生算法数值求解场强迭加积分和利用有限差分算法数值求解二维泊松方程 ,求解等离子体截面上由于空间电荷分布所产生的电场 ,并对径向电场的分布情况进行研究 .通过有限差分算法的比较 ,表明数值求解场强迭加积分的可靠性 .在复杂区域的场强计算中 ,场强迭加法具有很大的优越性     

均匀带电球面产生的场强的求解

本文根据叠加原理,求出了均匀带电球面在空间任一点产生的场强,并指出带电导体表面的电场强度有跃变。     

谈稳恒电流条件下导线上的电场与电荷分布

讨论了在稳恒电流条件下导线上的电场与电荷分布情况。     

电场中不均匀导电媒质的电荷分布及其应用

利用高斯定理和电荷守恒原理,求得电场中不均匀导电媒质的电荷分布规律,发现电荷分布与电场强度大小和方向及媒质的不均匀性有关,与初始条件无关,而且稳定电场和似稳电场中电荷分布是相同的。应用所得理论结果,对裸眼井井壁的面电荷分布和地层冲洗带内的体电荷分布情况作了初步的探讨。     

一些曲面上的电荷、电流分布及其上的电场、磁场

有论文讨论并计算了带有均匀电荷的长直圆柱面空间的电场和磁场，但计算都比较复杂．本文用最简捷的方法直接计算得出，而且用最简捷的方法还计算出均匀带电球面上的电场和圆柱面上均匀纵向电流在柱面上的磁场，并得出重要结论。     

半导体微结构间电场的研究

分析了半导体表面空间电荷层对深亚微米、纳米尺度下半导体微结构间电场的影响，并同宏观尺寸下采用的金属极板公式进行了比较．结果表明：当半导体微结构间距离在１ μｍ 以上时，可以忽略半导体表面空间电荷层对微结构间电场的影响；当半导体微结构间距离缩小到亚微米和数十纳米量级时，空间电荷层对微结构间电场分布的影响逐渐增大，此时分析电场一般不能利用金属极板公式．微结构间电场同金属极板近似公式间的相对误差与半导体材料的介电常数、掺杂浓度等因素有关．     

椭圆形线电荷的轴向电场分布

通过坐标变换求出了椭圆形线电荷的轴向场强及电位分布规律，并对结果进行了分析讨论。     

电荷所在处的电场强度

本文证明了电荷所在处的电场强度都是唯一确定的。当讨论点电荷、线电荷、面电荷所在处的电场强度时，应该使用电荷体分布的物理模型。     

非均匀闭合电路导体内部电荷分布规律及其应用

本文运用欧姆定律的微分形式及高斯定理，讨论了稳恒电流情况下非均匀导体内部的电荷分布规律，并应用此规律分析一些实际问题．