薄膜ZnS：Er^3＋的近红外发光

报道了用分舟热蒸发法研制的掺铒硫化锌薄膜器件的电致近红外发光特性，用Ｘ射线衍射技术对薄膜的微观结构进行研究，指出了掺铒薄膜发光与薄膜微结构的关系．     

新法制备高亮度蓝色SrS∶Ce薄膜电致发光器件

以ＳｒＳ∶Ｃｅ和ＺｎＳ的混晶为原料用电子束蒸发的方法制备了蓝色ＳｒＳ∶Ｃｅ薄膜电致发光（ＴＦＥＬ）器件,研究了新法制备的ＳｒＳ∶Ｃｅ膜的光致发光（ＰＬ）性能和它的电致发光（ＥＬ）器件的电致发光性能,并与直接用ＳｒＳ∶Ｃｅ粉末制备的薄膜和器材的性能进行了对比．结果表明混晶法制备的薄膜电致发光器件的亮度和效率比直接法制备的器件要高得多,且ＺｎＳ的引入弥补了在ＳｒＳ∶Ｃｅ薄膜Ｓ的不足,避免了直接用ＳｒＳ∶Ｃｅ材料蒸发而采用的共Ｓ蒸发方法中Ｓ气氛对环境的污染．     

新法制备高亮度蓝色SrS：Ce薄膜电致发光器件

以Ｓｒｓ：Ｃｅ和ＺｎＳ的混晶为原料用电子蒸发的方法制备了蓝色ＳｒＳ：Ｃｅ薄膜电致发光器件，研究了新法制备的ＳｒＳ：Ｃｅ膜的光发光性能和它的电致发光器件的电致发光性能，并与直接用ＳｒＳ；Ｃｅ粉末制备的薄膜和器材的性能进行了对比。     

薄膜型InSb霍尔器件

利用真空蒸发镀膜技术研制出灵敏度薄膜型ＩｎＳｂ霍尔器件，研究了影响ＩｎＳｂ薄膜电子迁移率的因素，俄歇电子能谱分析和扫电镜形貌像表明，制备的ＩｎＳｂ薄膜化学元素配比与所用蒸发源材料相同，表面光滑，晶粒尺寸μｍ级。室温下测得ＩｎＳｂ薄膜的电子迁移率为４００００ｃｍ＾２／Ｖ．ｓ，ＩｎＳｂ薄膜霍尔器件输入输出电阻范围为２００－５００Ω，乘积灵敏度达到５０－１５０Ｖ／Ａ．Ｔ。     

用电子能谱研究n~+/p结太阳能电池减反膜ITO

优质氧化铟、氧化锡及铟锡氧化物(ITO)等透明导电膜的制备和研究对于改善光电器件中薄膜的减反射特性和信噪比都有重要的现实意义,它独特的光电特性使其在电子工业特别是半导体光电器件应用上有着特别重要的地位.例如在太阳能电池中,具有良好的光减反射特性的氧化铟膜已成为电池的一个重要组成部分.用ITO于浇铸多晶硅的n~+/p电池上作减反射膜已取得了较好的效果.ITO用于光电器件的效果直接与ITO薄膜的性能有关,搞清工艺对薄膜性能的影响,从而寻找合适的工艺条件是非常重要的.透明导电膜的制备工艺有电阻加热蒸发、溅射、化学汽相淀积以及离子镀等,其中以电阻加热蒸发方法最为方便和经济,缺点是蒸发时氧化物易受热分解放氧形成多种低价氧化物     

混晶法制备高亮度蓝色SrS∶Ce薄膜

以ＳｒＳ∶Ｃｅ和ＺｎＳ的混晶为原料用电子束蒸发的方法制备了蓝色ＳｒＳ∶Ｃｅ薄膜，研究了新制备ＳｒＳ∶Ｃｅ膜的光致发光（ＰＬ）性能和它的电致发光（ＥＬ）器件的电致发光性能，并与直接用ＳｒＳ∶Ｃｅ粉末制备的薄膜进行了对比．测量了它们的Ｘ射线衍射谱、ＰＬ激发光谱和发射光谱以及电致发光器件的ＥＬ光谱，结果表明混晶法制备的薄膜比直接法好，ＺｎＳ的引入弥补了在ＳｒＳ∶Ｃｅ薄膜中Ｓ的不足，且避免了在直接用ＳｒＳ∶Ｃｅ材料蒸发过程中Ｓ气氛对环境的污染．     

硅衬底硫化锌薄膜发光器件的研制

用双舟热蒸发技术在硅衬底上制备硫化锌电致发光薄膜．用XRD、XPS技术和电致发光谱分析技术．研究该薄膜的微结构与发光特性．发现硅衬底上硫化锌薄膜与硫化锌粉末在晶体结构上存在差异，掺入的稀土元素铒呈三价．电致发光谱为Er^3 的发光谱线．硅衬底硫化锌发光薄膜器件可与硅器件工艺兼容．     

交流薄膜电致发光显示器件的表面保护及其特性研究

对采用二源电子束蒸发方法制作的双重绝缘层结构的Zns：Mn交流薄膜电致发光（ACTFEL）显示器件，进行了两种不同的表面保护，发现不同的保护方法对器件的发光特性有不同的影响。通过计算机模拟，其结果与实验数据吻合得较好，有助于加深对器件发光特性的研究。     

铒近红外发光的瞬态特性

报道了用分舟热蒸发研制的掺铒硫化锌薄膜器件的电致近红外发光的瞬态特性,首次运用多段式指数衰减公式与高斯函数复合,描述薄膜发光的瞬态过程,理论结果与实验数据十分接近,证实薄膜的定域能级对器件的弛豫发光产生了影响．     

热处理条件对热蒸镀WO3薄膜结构的影响

采用高真空热蒸发沉积技术在硅单晶Ｓｉ（１１１）衬底上沉积了ＷＯ３薄膜，借助化学刻蚀，ＳＥＭ，ＸＲＤ和Ｒａｍａｎ光谱分析等手段，了不同的热处理条件对ＷＯ３薄膜结构的影响，结果表明，在真空条件下或干燥Ａｒ气氛条件下对薄膜进行退火热处理有利于控制薄膜晶粒的生长，同时有利于增强薄膜的稳定性。     

纳米尺度水薄膜液-气相变分子动力学模拟

采用分子动力学模拟,研究了纳米尺度水薄膜厚度和系统温度对液-气相变蒸发率的影响.模拟了水薄膜厚度为2nm时,温度(375~425K)对相变蒸发率的影响;同时模拟了温度400K条件下,水薄膜厚度(2、3、4nm)对相变蒸发率的影响.结果表明:相同水薄膜厚度下蒸发率随着温度的升高而增大,相同温度下蒸发率随水薄膜厚度的增大而增大,蒸发率随时间呈指数形式递减.相关结果可为微热管及其他依靠内部液体相变传热的散热器件设计提供参考.     

Luminescence Property of Phosphor Gd 3Ga 5O 12 :Ag

采取在不同的温度下烧结不同的时间方法制备了一种新型的兰色发学材料,用Ｘ光衍射对材料的结构进行了分析．并利用电子束蒸发的方法制备该材料的薄膜电臻发光器件．对该器件进行了光致发光,电致发光,亮度电压等发光性质进行了测试．得出器件亮度大约为２尼特     

Thermogravimetric analysis of fuel film evaporation

Generally, fuel films exist in many types of internal combustion engines, mainly resulting from spray-wallinteraction or from the contact of air-fuel mixture with in-cylinder walls. In port-fuel-injected (PFI) gasoline engines, the fuel sprays impinge ont…     

铜膜电阻温度传感器研制中的几个关键技术分析

本文分析讨论研制钢膜电阻温度传感器的几个关键技术和工艺,并说明光刻版的设计要与实验室的工艺条件相适应;蒸发源的纯度、镀膜室的真空度和基片的温度对镀膜的质量有重要影响;镀膜厚度对器件互换性有重大影响,光刻时要防止到蚀过量和刻蚀不足等.文中还公开了作者在这些方面的做法和体会.     

高性能InP／InP,InGaAs／InP体材料LP—MOCVD生长

给出利用低压金属有机化合物化学汽相沉积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）生长技术在ＩｎＰ衬底上生长ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓ的条件，研究了ＩｎＰ／ＩｎＰ的生长特性、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ的组份控制、生长特性及生长温度对ＩｎＧａＡｓ特性的影响．发现ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ最佳生长温度为６４０℃，得到ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ１６Ｋ光荧光（ＰＬ）谱全高半峰宽为３２．０ｎｍ，ＩｎＰ／ＩｎＰ室温霍尔迁移率为４３６０ｃｍ２／Ｖｓ，背景掺杂浓度为５×１０１４ｃｍ－３，Ｘ光双晶衍射全高半峰宽为２１＂．     

真空退火法制备的VOx薄膜的微观结构研究

以Ｖ２ＩＯ５粉末为原料采用真空蒸发镀膜法结合真空退火还原的方法,在单晶Ｓｉ（１００）衬底上得到了以ＶＯ２为主的薄膜,采用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）技术和扫描电子显微镜（ＳＥＭ）技术对不同退火条件下所得薄膜的物相和表面形貌进行分析,得到了薄膜的微观结构与退火条件的关系,并对最佳退火条件进行了探索。     

热处理对TiO2薄膜结构和表面形貌的影响

研究了热处理对电子束蒸发法制备的TiO2薄膜结构和表面形貌的影响。利用X射线衍射仪和原子力显微镜,检测了TiO2薄膜的晶体结构和表面形貌。实验结果显示：沉积态TiO2薄膜为非晶态;低温（400℃以下）退火TiO2薄膜开始向锐钛矿相转变;高温退火（850℃以下）TiO2薄膜由锐钛矿向金红石相转变。     

有机小分子太阳能电池实验教学平台建设

采用真空热蒸镀方法制备有机小分子太阳能电池并测试其光电性能,使学生了解有机小分子太阳能电池的结构及制备工艺,熟悉Keithley半导体测试仪的使用方法,绘制器件的电流电压曲线,计算有机小分子太阳能电池的各项性能参数;通过对器件中每一层薄膜的制备和功能的分析,理解太阳能电池的结构和工作原理,并运用于工艺实验环节,着力提升学生的实践能力。     

开式系统中水膜闪蒸换热特性的实验研究

针对开式系统中水膜闪蒸的换热特性进行了实验研究.实验参数选择如下:循环水过热度为1~15 K;闪蒸室压力分别为20.4、30.2、47.4 kPa;水膜厚度分别为100和300 mm;循环水流量分别为0.028、0.056、0.083 kg/s.实验结果表明:闪蒸换热系数的变化范围为60~140 kW/(m2.K),并随过热度的增大而减小,随闪蒸室内饱和压力的升高而增大,随水膜厚度的增大而减小.根据实验结果,基于闪蒸过程类似核态沸腾,给出了换热系数与各影响参数之间关系的实验关联式,与实验结果的误差小于27%.