基于相量模型对三点式振荡器射同异反的原则判别

在满足三点式正弦波振荡器振幅平衡的条件下,利用电路中的相量模型法,研究了正弦波振荡器射同异反原则的判别,并认为此方法对相位平衡条件的判别是合理的．     

硒化镉晶体光参量振荡器件制备参数研究

研究了红外非线性光学晶体硒化镉的光参量振荡器光学参数．根据非线性光学原理和折射率色散关系,报道了CdSe晶体在不同泵浦光波长（1．833、2．87和2．1646μm）下CASe光参量振荡器的角度调谐曲线,由此确定出信号光、闲频光以及相位匹配角的变化范围;并对CdSe晶体的走离角,有效长度以及相位匹配允许角等参数进行研究．以上研究结果,对CdSe光参量振荡（OPO）器件制备加工精度提供了重要的技术参数．     

用非线性电流源法分析微波振荡器的相位噪声

提出用非线性电流源法分析微波ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ振荡器单边带相位噪声特性的新方法。给出了包含ＭＥＳＦＥＴ完整非线性噪声模型在内的振荡器相位噪声分析模型，在此基础上利用改进的非线性电流源法分析了振荡器的单边带相位噪声特性。ＣＡＤ分析与实验结果表明，此法可精确有效地分析振荡器输出基波及各次谐波附近的近载相位噪声分布特性，且适用于非线性微波ＣＡＤ。     

一个1.5V低相位噪声的高频率LC压控振荡器的设计

介绍了一种适用于DCC-1800系统的压控振荡器的设计,中心频率为3．6GHz．分析并比较了三种降低相位噪声的方法并进行了仿真验证,然后阐述了3．6GHz压控振荡器器件尺寸的优化分析．采用电感电容滤波技术降低相位噪声,在偏离中心频率600kHz处,仿真得到相位噪声为-117dBc／Hz,调谐范围达到26．7％．VCO电路在1．5V电压下工作,静态电流为6mA．     

基于电流反馈放大器的多相位正弦振荡器

提出了一种用电流反馈放大器设计奇数阶多相位正弦振荡器的方法,设计出的振荡器能产生任意奇数阶等幅等相差正弦信号,三相和五相正弦振荡器的仿真结果验证了理论分析的正确性.     

混沌噪声与白噪声对Van der Pol振荡器相位噪声的影响

从描述振荡器的非线性微分方程出发,提出将噪声作为非线性微分方程的一项,通过建立随机非线性微分方程来分析振荡器的相位噪声.并用这种方法,在相同强度下,针对分别为白噪声和混沌噪声的情形,分析了Van der Pol振荡器产生的相位噪声,发现混沌噪声产生的相位噪声要远大于白噪声所产生的相位噪声.通过分析其原因,提出了一些低相位噪声振荡器设计所应考虑的问题.     

基于平衡运放的电压模多相位正弦振荡器

为了获得高精度、高稳定性、易集成的电压模式多相位正弦振荡器,以平衡运放及其同相和反相积分器为基础,给出多相位正弦振荡器.该电路能输出2组N(N为奇,亦可为偶)个等幅度、等相位分布的正弦输出,无源灵敏度低;振荡幅度与振荡频率可独立调节;所有电容接地,适宜集成.计算机仿真结果与理论分析一致.     

3~5 μm AgGaS2光参量振荡器的优化分析

研究调Q Nd∶YAG(1.064 μm)激光器泵浦的AgGaS₂光学参量振荡器. 根据三波互作用的相位匹配原理, 分析AgGaS₂光学参量振荡器的Ⅰ类相位匹配角、 角度调谐曲线和有效非线性系数等动力学参数. 计算在小信号近似下, 允许角随输出波长和晶体长度的变化规律, 并讨论允许角对相位失配系数的影响. 在允许的相位失配范围内, 研究晶体长度对转换效率的影响.      

相位平衡条件在负反馈放大器的自激与振荡器中的表述

相位平衡条件在负反馈放大器的自激与振荡器中，具有不同的描述形式，但本质上它们是类同或一致的，即均是正反馈。本文分析了自激与振荡器相位平衡条件之不同表式的成因，并给出了一致表述的处理方法。     

晶体管参数对高稳晶振频率稳定度的影响

本文利用晶体管混合π型等效电路和振荡器的相位平衡条件，计算出晶体管参数对振荡器频率稳定度的影响，计算结果表明，晶体管发射结电容对频率稳定影响最大，为了减轻这些影响，本文提出了一行之有效的办法。     

自动幅度控制电路在射频CMOS电感电容振荡器中的应用及原理分析

分析推导了互补金属氧化物半导体(CMOS)电感电容振荡器的电压振荡幅度与相位噪声的关系.采用自动幅度控制电路控制射频CMOS电感电容振荡器,在0.18μm CMOS工艺下进行Candence SpectreRF仿真,在3.4 GHZ时,1MHz频偏处相位噪声最差值采用自动幅度控制电路为-113.3dBc/Hz,不采用自动幅度控制电路为-105.1dBe/Hz.在不同频率下对振荡器相位噪声仿真结果表明,当频率变化从3.16-3.4 GHz时,采用自动幅度控制电路的相位噪声都低于不采用自动幅度控制电路的相位噪声.由此得出通过控制振荡器振动振幅,提高品质因数,可以降低振荡器相位噪声.     

采用冲激敏感函数的差分LC振荡器相位噪声分析

提出了一种基于冲激敏感函数(ISF)的具有较高预测精度的分析方法,并采用该方法研究了差分交叉耦合电感电容(LC)振荡器的相位噪声特性.首先推导出振荡器中任意噪声源与振荡器相位噪声的函数关系,然后求解出各噪声源所对应的等效ISF,并用等效ISF计算出每个噪声源的相位噪声贡献,最终获得整个相位噪声的完整解析式.仿真结果表明,所提方法对谐振槽和差分对管相位噪声贡献预测的相对误差与传统方法一致,分别为1.34%和2.88%,而对尾管噪声预测的相对误差与传统方法相比从20.4%下降到5.2%.另外,所提方法比传统方法更直观、简捷.     

一种基于变容管偏置的温度补偿LC振荡器

文章介绍一种用于在宽温度范围内产生稳定时钟信号的温度补偿振荡器。该振荡器基于温度对控制电压的影响改变偏置变容管的容值，补偿因温度变化引起的振荡器频率变化，使整个振荡器的温度系数(temperature coefficient, TC)为0。另外，在通过分频产生几十兆赫兹频率的同时，振荡器的相位噪声性能得到进一步优化。该文在SMIC 180 nm CMOS工艺下完成整体电路的设计与仿真。后仿真结果显示，在1.8 V电源下整体功耗为7.12 mW,中心振荡频率2.400 2 GHz处的频率漂移可达到8.68×10^-6℃^-1,经过分频后得到的30 MHz信号在10 kHz偏移下的相位噪声大小为-112.923 dBc/Hz。     

电感及电容结构的压控振荡器电路设计与仿真

随着通信技术对射频收发机性能要求的不断提高,高性能压控振荡器已成为模拟集成电路设计、生产和实现的关键环节。针对压控振荡器设计过程中存在相位噪声这一核心问题,文中采用STMC 0.18μm CMOS工艺,提出了一种1.115 G的电感电容压控振荡器电路设计方案,利用Cadence中的Spectre RF对电路进行仿真。研究结果表明:在4～6 V的电压调节范围内,压控振荡器的输出频率范围为1.114 69～1.115 38 GHz,振荡频率为1.115 GHz时,在偏离中心频率10kHz处,100 kHz处以及1 MHz处的相位噪声分别为-90.9 dBc/Hz,-118.6 dBc/Hz,-141.3dBc/Hz,以较窄的频率调节范围换取较好的相位噪声抑制,从而提高了压控振荡器的噪声性能。     

钇铁石榴石振荡器的S波段频率综合器的设计

针对现代雷达系统以及一些精密测量仪器所需要的超宽带、微小步进、低相位噪声本振源的问题,提出了一种采用钇铁石榴石振荡器为主的锁相环内插直接数字频率合成器方案.实现了S波段2～4 GHz频率范围内微小步进频率源的研究与设计.实验表明：采用钇铁石榴石振荡器频率综合器的相位噪声与动态范围都优于采用一般压控振荡器的频率综合器.     

延迟线法相位噪声测试技术研究

压控振荡器(VCO)、YIG振荡器(YTO)等大漂移器件的相位噪声测试一直是测试领域的难题,本文详细介绍了利用延迟线法对该类器件进行相位噪声测试的原理和应用情况。     

振荡器寄生振荡的分析和消除

振荡器——是没有外界起动信号的情况下能自己发出信号的电路，在振荡器的设计和调试过程中，会经常发生寄生振荡，这种情况对振荡器的经常使用及其精确度是有害的．振荡器在不需要的频率发生的寄生振荡，对振荡器的设计和调试带来了很大的困扰．本文对寄生振荡进行理论分析，并提出避免寄生振荡的发生及其改进措施．     

电抗线对三端式正弦波振荡器相位平衡的判别

在对三端式正弦波振荡器电路使用中,当振幅平衡满足时,对判别它的相位平衡是否满足这一问题,提出了元件(包括复合元件)电抗线的概念,并用其能直观、准确、迅速地判别出正弦波振荡器电路相位平衡是否满足.     

一种1.84GHz低噪声电容电感压控振荡器

研究在不影响功耗特性的情况下,改善电感电容压控振荡器(LCVCO)相位噪声特性的方法.在传统LCVCO结构基础上,增加PMOS尾电流源,并采用LC回路滤除二次谐波;使用开关电容阵列进行多带调谐,减小压控振荡器(VCO)增益,即控制电压对输出的扰动.基于Chartered 0.18μm RF CMOS工艺设计流片,测试结果表明,1.84 GHzLCVCO的功耗为16.6 mW,在100 kHz和1 MHz频偏处相位噪声分别为-105 dB/Hz和-123 dB/Hz.     

单向循环时滞交联振荡器链的停振

给出了一类指数多项式具有负实部零点的充要条件，由此获得了单向循环时滞交联振荡器链的停振结果。