反应溅射中靶材成份对Si－Cr－Ni－O薄膜形成的XPS分析

本文用通氧反应溅射法制备了Ｓｉ－Ｃｒ－Ｎｉ－Ｏ薄膜，用ＡＥＳ和ＸＰＳ测定和分析了所制得的薄膜，发现靶村组份配比的改变将导致构成薄膜的化合物种类的改变，Ｓｉ含量的提高有阻碍Ｃｒ参与氧化的趋势，通氧量和热处理对薄膜的氧化起着一定的作用．     

NiCr合金基底上离子源辅助激光制备CeO2薄膜及其？…

室温下在ＮｉＣｒ合金（Ｈａｓｔｅｌｌｏｙ ｃ－２７５）基底上应用Ａｒ＾＋离子源辅助,准分子脉冲激光沉积了ＣｅＯ２薄膜。结果表明：在合适的外部条件控制下,直接在ＮｉＣｒ合金基底上可以制备以ｃ－轴取向的ＣｅＯ２薄膜,但这时的ＣｅＯ２薄膜在其ａ－ｂ平面内没有观察到织构的信息;进一步在相同的条件下,首先在ＮｉＣｒ合金基底上制备一层ＹＳＺ（Ｙｔｔｒｉａ－Ｓｔａｂｉｌｉｚｅｄ Ｚｉｒｃｏｎｉａ）,再在ＹＳＺ／     

PLT15薄膜热释电红外传感器的研制

用射频磁控溅射法在Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ（１００）结构衬底上沉积了高度Ｃ轴取向Ｌａ改性的ＰｂＴｉＯ３（ＰＬＴ１５）的薄膜,研究了ＰＬＴ１５薄膜的电晕极化方法,用此方法同时对多个热释电敏感单元进行了极化,利用ＰＬＴ１５薄膜制备了热释电红外感器,薄膜厚度是２μｍ,真空蒸发的Ｎｉ－Ｃｒ电极面积为１．２ｍｍ×１．０ｍｍ,敏感元一的Ｓｉ（１００）基片用热ＫＯＨ和ＥＰＷ进行刻蚀,用所设计的热释电系统测试系     

真空钎焊不锈钢接头的钎缝组织和相组成特征

用金相试验、Ｘ射线衍射物相分析和电子探针分析方法,系统地研究了４种镍基钎料钎焊１Ｃｒ１８Ｎｉ９Ｔｉ的钎缝组织特征和相组成及其随热处理时间的变化规律。研究结果表明,用ＢＮｉ１ａ和ＢＮｉ２钎料钎焊（１１２０℃,１０ｍｉｎ）的缝宽为０．１０ｍｍ的钎缝由αＮｉ、Ｎｉ５Ｓｉ２,ＣｒＢ和Ｆｅ４．５Ｎｉ１８．５Ｂ６组成,近缝区扩散层由αＦｅ,γＦｅ和Ｆｅ２Ｂ组成。用ＢＮｉ５钎料钎焊（１１７５℃,１０ｍｉｎ）的缝宽为０．０５ｍｍ的钎缝由αＮｉ,Ｎｉ５Ｓｉ２和Ｎｉ１６Ｃｒ６Ｓｉ７组成。用ＢＮｉ７钎料钎焊（１０５０℃,１０ｍｉｎ）的缝宽为０．０５ｍｍ的钎缝由αＮｉ,Ｎｉ２Ｐ和（Ｆｅ,Ｎｉ）３Ｐ组成。     

S-枪溅射NiCr薄膜的Monte Carlo模拟

对Ｓ－枪溅射ＮｉＣｒ合金薄膜过程采用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ法进行了计算模拟．用靶刻蚀图形作为粒子发射频度函数,采用Ｔｈｏｍｐｓｏｎ能量分布,并考虑了环境气体的热运动,得到沉积粒子的能量、入射角度的分布随溅射工艺参数的变化规律．     

含铅的多元氢阴极电催化性能的研究

用电沉积法制备Ｍｏ－Ｗ－Ｎｉ－Ｐｂ－Ｃａ多元活性阴极，研究了在０．５ｍｏｌ／Ｌ Ｈ２ＳＯ４中的析氢反应，结果表明，多元阴极具有较高的电催化活性，其析氢过电位比软钢阴极降低３０５ｍＶ，ｉ０提高三个数量级，且有较好的稳定性，并用光电子能谱研究了表面组成和结构。证实表面有：Ｎｉ，ＮｉＯ，ＭｏＯ２，ＭｏＯ＾２－４，ＷＯ３，ＰｂＯ２，ＰｂＯ，Ｃａ＾＋＋等物质。     

Hastelloyc-275上激光沉积YBCO超导线材

室温下应用Ａｒ＋ 离子源辅助准分子脉冲激光沉积 （０ ０ ２） 取向的 ＹＳＺ过渡层薄膜于ＮｉＣｒ 合金基底上;基底加温至７５０ ℃,用准分子脉冲激光沉积ＹＢＣＯ 高温超导薄膜于ＹＳＺ／ＮｉＣｒ 上,并切割成线材．实验结果表明：ＹＢＣＯ 超导线材不但为ｃ－轴取向的,同时为在ａ－ｂ 平面内织构的,其临界温度Ｔｃ≥９０ Ｋ（Ｒ＝ ０）,临界电流密度Ｊｃ≥１×１０６ Ａ／ｃｍ ２（７７ Ｋ,０ Ｔ）．     

13Ni5A钢铆钉激光熔覆镍基合金涂层的研究

研究了１３Ｎｉ５Ａ钢铆钉头部Ｎｉ－Ｃｒ－Ｂ－Ｓｉ合金激光熔覆层的组织、成分、显微硬度和在酸性介质中的抗腐蚀能力，并进行了实地考验．结果表明，采用激光功率密度为１．３×１０４Ｗ／ｃｍ２、扫描速度为５ｍｍ／ｓ的辐照工艺，获得了与基体呈冶金结合的无裂纹的熔覆涂层，其组织由Ｎｉ－Ｃｒ－Ｆｅ固溶体、Ｎｉ３Ｓｉ、Ｃｒ５Ｂ５及ＷＣ等相组成，显微硬度高出基体两倍多，并在酸性介质中具有优异的抗蚀性能．激光熔覆处理的铆钉经３７００ｈ实际生产考验后．明显优于未经．处理的铆钉．     

镍－碳化硅复合电镀的研究

报道了瓦特型镍－碳化硅复合电沉积过程，研究了ＳｉＣ微粒的表面活性剂处理、粒子浓度、阴极电流密度、搅拌和ｐＨ值等因素对镀层硬度和耐磨性的影响．结果表明：在最佳的工艺条件下，可制备出性能优良的复合镀层（９％～１０％ＳｉＣ含量），其硬度是纯Ｎｉ的４～５倍，耐磨性是纯Ｎｉ的５～６倍．     

Ba和Mg掺杂对Bi（Pb）—Sr—Ca—Cu—O超导性能的影响

采用固态反应法制备了名义组分为Ｂｉ１．８Ｐｂ０．２Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｘ和Ｂｉ０．９Ｐｂ０．１Ｂａ０．１Ｍｇ０．１Ｓｒ０．８ＣａＣｕ２Ｏｘ超导样品，并研究了Ｂａ，Ｍｇ掺杂对Ｂｉ系超导性能的影响。用Ｘ射线衍射及电阻－温度关系的测量获得的实验结果表明，添加Ｂａ和Ｍｇ元素可以有效地抑制Ｂｉ系２２１２相的生成，促进２２２３相的形成，并能提高超导材料的Ｔｃ。     

Ni／Si接触界面的ESCA研究

利用XPS、UPS等表面分析方法对Ni/Si接触的界面体系进行了研究,Ni-Si界面在室温下形成不稳定的多晶混层,其演化过程为:NiO_x/金属Ni/富Ni相/Ni-Si互混相/富Si相/Si,同样Ni-Si界面经650℃真空退火形成均匀的NiSi_2界面层,表层并有SiO_2相存在,说明硅化物的生成过程为:Ni与SiO_2接触产生金属氧化物,加热后逐步形成金属硅化物,讨论了NiSi_2的化学键形成。     

金属硅化物—硅功率肖特基二极管

本文用X射线衍射（XRD）方法、俄歇电子能谱（AES）分析和电学测量方法研究了Ti/Si、Ni/Si和Cr/Si三种结构的金属硅化物的形成和特性。用电流－电压法和电容－电压法测量分析了TiSi2/n-Si、Nix/n-Si和CrSi2/N-Si三种肖特基势垒二极管特性，其势垒高度分别为0．61eV、0．66eV0．66eV，理想因子均接近1。用此项技术制作的金属硅化物－n型硅肖特功率二极管有优异的电学性能。     

Single-crystal metallic nanowires and metal/semiconductor nanowire heterostructures

Substantial effort has been placed on developing semiconducting carbon nanotubes and nanowires as building blocks for electronic devices--such as field-effect transistors--that could replace conventional silicon transistors in hybrid electronics or lead to stand-alone nanosystems. Attaching electric contacts to individual devices is a first step towards integration, and this step has been addressed using lithographically defined metal electrodes. Yet, these metal contacts define a size scale that is much larger than the nanometre-scale building blocks, thus limiting many potential advantages. Here we report an integrated contact and interconnection solution that overcomes this size constraint through selective transformation of silicon nanowires into metallic nickel silicide (NiSi) nanowires. Electrical measurements show that the single crystal nickel silicide nanowires have ideal resistivities of about 10 microOmega cm and remarkably high failure-current densities, >10(8) A cm(-2). In addition, we demonstrate the fabrication of nickel silicide/silicon (NiSi/Si) nanowire heterostructures with atomically sharp metal-semiconductor interfaces. We produce field-effect transistors based on those heterostructures in which the source-drain contacts are defined by the metallic NiSi nanowire regions. Our approach is fully compatible with conventional planar silicon electronics and extendable to the 10-nm scale using a crossed-nanowire architecture.     

NiSi薄膜的拉曼研究

在Si(100)衬底上通过电子束蒸发法外延生长晶体取向单一的NiSi薄膜材料. 利用极化拉曼实验分析技术并结合群论以及晶格振动理论对NiSi薄膜拉曼峰的对称性进行指认. 在此基础上计算了各类声子峰对应的晶格振动模式. 我们还讨论了两种不同的激光退火方法对晶体质量的影响.     

0Cr19Ni9 1Cr18Ni9不锈钢薄壁焊管缺陷及对策

南京某厂从日本引进焊管机组,用带式法生产薄壁不锈钢管。其工艺流程如下: 钢带分剪→轧辊成型→钨极氩弧焊(TIG)焊成管坯→冷拔→矫直→成品。采用某厂一批0.3mm厚的1Cr18Ni9和0Cr19Ni9奥氏体不锈钢带试焊,发现有焊渣间隔分布于焊缝的内外壁上。间隔距离从5mm至100mm不等,大部分在20～30mm之间,见图1.焊渣多呈灰褐色,其形如纺锤状,尺寸(长×宽)约在(10～20)mm×(4～6)mm。     

在中等阻值范围内NiCr-O系及Cr-Si系电阻薄膜的应用比较

合金成分、沉积条件以及热处理工艺是影响薄膜性能极其重要的因素,为便于电阻薄膜的合理选材,分析了应用于中阻值范围内的NiCr-O系及Cr-Si系溅射薄膜的膜层结构,对比了它们在热处理前后的电性能变化情况,并通过短期试验考核它们在应用中劣化的可能性.实验结果表明,经退火处理后,Cr-Si系溅射薄膜的膜层构成主要为非晶态基体及SiOx氧化物包围纳米级硅化物相,而NiCr-O系溅射薄膜的膜层主要由Cr2O3和原子范围短程有序的金属相组成;Cr-Si系电阻薄膜比NiCr-O系电阻薄膜致密稳定,前者在电性能方面具有抗电压击穿、耐潮湿等优点.     

SmCo(Al,Si)/Cr硬磁薄膜的结构与性能

在优化后的磁控溅射和退火条件下 ,制备SmCo(Al,Si) /Cr硬盘磁记录介质及硬磁薄膜 .实验结果表明 ,Sm摩尔分数为 31.6 % ,Cr缓冲层为 6 6nm ,Sm(Co ,Al,Si) 5磁性层为 30nm时 ,制得的Sm(Co ,Al,Si) 5/Cr薄膜的矫顽力Hc 为 187.8kA/m ,剩磁比S =Mr/Ms≈ 0 .94;在 5 0 0℃保温 2 5min退火后 ,矫顽力Hc 达10 42 .5kA/m ,剩磁比S≈ 0 .92 ,从而制成了较理想的硬磁薄膜     

Ni,Si,Mn和Ti对高强度铜合金力学性能和导电性能的影响

利用合金化方法，并借助金相、SEM等测试分析手段研究了Ni／Si，Mn／NiSi和Ti对纯铜显微组织、力学性能和导电性能的影响．结果表明，Ti，Ni和Si均有提高合金组织稳定性的作用，但Mn，Ni和Si的加入不能有效地阻碍合金组织在高温下的长大．Ti，Ni和Si的加入还大幅度提高了合金强度．含w(Ni)=6％和w(Si)=1．42％的铜合金的抗拉强度达到了907MPa，同时，合金的导电性也保持在较高水平，达到了强度和导电性的良好匹配．然而：Mn，Ni和si的加入没有明显的强化作用．反而使导电性大幅降低。     

Pt在Ni(Pt)-Si-O固相反应中的影响

深亚微米尺度(90 nm)下,对在金属Ni膜中加入微量Pt,再经过高温退火形成NiSi.对该固相反应的反应序列进行了研究.研究发现Ni2Si-to-NiSi转变温度由300℃提高到350℃;NiSi-to-NiSi2转变温度由640℃提高到775℃;而且,NiSi薄膜的形貌在750℃才开始发生Agglomeration现象.     

BST薄膜的湿法化学刻蚀工艺优化及应用初探

采用sol-gel法在SiO2/Si衬底上制备了Ba0.7Sr0.3TiO3(BST)薄膜.利用湿法化学刻蚀技术对BST薄膜进行图形化.通过实验结果对比,选择HF/HNO3/H2O2/H2O(体积比为1∶20∶50∶20)的混合液作为最佳刻蚀液.扫描电镜(SEM)结果表明,刻蚀后BST薄膜表面干净,无残留物,图形轮廓清晰.原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)结果显示,刻蚀后BST薄膜表面粗糙度增大,结晶性退化.对刻蚀后的薄膜在600℃后退火处理,能要在一定程度上恢复其表面形貌和结晶性.应用优化工艺制备BST薄膜阵列,采用剥离法将Au,Ni/Cr和Pt/Ti电极进行微图形化.最后,成功地制备了Au/Ni/Cr/BST/Pt/Ti/SiO2/Si结构的8×8元的红外探测器阵列.