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相似文献
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1.
本文报道了由N-CdTe薄膜电极构成的液结太阳电池的基本光电化学性质.电池可表示为:N-CdTe/1MNa2S、1M NaOH、1MS/C测量了电池的电流-电压、电流-电极电位曲线,确定了光强与光电压、光电流、转换效率的关系.在60mW/cm2光强下,电池的能量转换效率为1~2%.电极的禁带宽度为1.43eV,借微分电容及最大光电位的测定得到平带电位为-1.1~-1.2V (VS·SCE).此外,还试验了对电极与电解液对转换效率的影响.  相似文献   

2.
用XPS研究了纯铜和纯铁在室温和300℃被空气氧化时的表面氧化产物及其在真空中加热时的热力学稳定性.结果表明它们的室温表面氧化物(Cu2O和Fe2O3以及二价铜比合物)在真空中300~350℃加热时可还原成金属,而高温(300℃)表面氧化物Cu2O和Fe2O3在同样的真空加热时则不能还原成金属,高温CuO只能还原成Cu2O.本文认为在"二维表面"内室温氧化物的热力学性质可以不同于本体氧化物.  相似文献   

3.
基于苯磺酸酯与巯基化合物的亲核取代反应,设计合成了以菲并咪唑为荧光团、二硝基苯磺酰基为识别基团的反应型L-Cys/H2S荧光探针(PIP-DNBS),并通过红外光谱、核磁共振氢谱和碳谱、质谱等方法对化合物的结构进行表征与确认。探针PIP-DNBS溶液(VDMF∶VHEPES=1∶1)在日光下和紫外灯照射下均可实现对H2S的裸眼识别。通过荧光增强方式实现对Cys和H2S的选择性识别,且识别不受其他类似物和pH变化的干扰。探针对L-Cys和H2S的荧光识别符合线性关系,检出限分别为79.01和38.06 nmol·L-1,可以实现L-Cys和H2S的定量检测。此外,时间响应曲线表明,探针PIP-DNBS对H2S的荧光识别在4 min内完成,明显优于其对L-Cys的识别速度(10 min),基本实现了对L-Cys和H2S的差异性识别。  相似文献   

4.
探讨了AA型可充MH/MnO2电池研制过程中遇到的问题及解决的途径.对研制的AA型可充MH/MnO2电池进行了测试,结果表明电池充放电性能良好,明显优于可充Zn/MnO2电池.  相似文献   

5.
锂离子电池具有体积小、无污染、能量密度高、循环寿命长等特点,被广泛应用于消费电子设备领域.近期研究表明,S官能化的MXenes在锂离子电池电极材料的领域中展现出了巨大的应用潜力,采用密度泛函理论研究了Cr3C2S2单层的结构特点及其储锂性能.结果表明,Cr3C2S2单层不仅结构稳定,并且展现出良好的导电特性,其官能化表面与锂离子之间有着较强的相互作用,且基底在吸附双层的锂离子时吸附能为负值,这表明Cr3C2S2单层能够实现较好的锂离子存储.该研究为锂离子电池阳极材料的选择上提供了一个新的备选材料.  相似文献   

6.
测量了Na|β-Al2O3|NaxHg1-x电池的电动势(E),并据此计算了低钠汞齐中钠的活度系数(γNa).仔细的数据分析表明,各电池电动势的温度系数在318.15K、333.15K、353.15K和370.85K附近均有微小转折,各温度区间温度系数的差异随x值变小而减小.最后,得出电池电动势、钠的活度系数和钠/以无限稀释汞齐为参考态的假想态钠汞组分电池的标准电动势(E0)的实验参数方程式.  相似文献   

7.
采用汞空位扩散模式,解释了高温(600℃)短时间(10'~15')热处理后使Hg0.8Cd0.2Te变成P型的现象,把热处理后样品逐层减薄,同时用范德堡法[1]在77K (液氮温度)下进行霍尔测量,得出在不同汞压、不同时间下样品中汞空位的分布.由此验证了汞空位扩散模式,并计算得600℃下Hg0.8Cd0.2Te中汞空位扩散系数DL为2×105微米2/小时左右;汞空位最终浓度Lf与汞压成反比,其比例常数(KF)/Ki为5×1019·厘米-3大气压;汞空位激活能Q为0.6电子伏特左右.  相似文献   

8.
本研究采用密度泛函理论,计算研究了FexCuy(x+y=2)羰基簇合物的结构、吸附能和前沿分子轨道特征,分析了第二金属原子在配体反应中的作用,也证实了CO与双金属团簇的反应比纯团簇体系的反应更容易,其中FeCu具有最大的分步吸附能。最后利用HOMO和LUMO的能级差来考察第二金属对羰基配合物的反应活性的影响,发现双金属团簇羰基配合物比相应的Fe2和Cu2能量低,其中FeCu(CO)2比其他双金属羰基配合物具有更低的能隙和相对高的吸附能。这表明在反应中调节双金属团簇以获得更高活性的羰基配合物是可行的。  相似文献   

9.
本文对反应溅射SiO2薄膜作了红外光谱研究,发现反应溅射法所获得的SiO2薄膜中,硅与氧的反应并不完全.我们认为这是造成它与硅之间界面态密度升高的原因之一.为了改善Si与反应溅射SiO2薄膜的界面特性,将溅射在硅片上的SiO2薄膜,在含CCl4的气氛中于950℃温度下进行氧化与退火处理.结果使Si-SiO2的界面特性大大改善,对于n型(100)晶向的硅片其界面态密度下降到5.3×1010cm-2·V-1.以此SiO2薄膜作为栅,成功地制出了MOS场效应晶体管.  相似文献   

10.
探讨了 AA型可充 MH / Mn O2 电池研制过程中遇到的问题及解决的途径 .对研制的 AA型可充 MH /Mn O2 电池进行了测试 ,结果表明电池充放电性能良好 ,明显优于可充 Zn/ Mn O2 电池 .  相似文献   

11.
摘要:在优化的实验条件下。通过反相微乳液法制备了CdS纳米晶,并研究了溶液pH值、反应物浓度和温度对CdS纳米晶粒大小的影响。采用TEM、XRD和Raman等测试手段对晶体的粒径和结构进行了表征。结果表明.CdS纳米晶粒具有闪锌矿型立方晶系结构,其粒度分布较窄,约为3---5nm,且分散状态良好。  相似文献   

12.
在实验的基础上,研究了氯化钠对阴离子表面活性剂AES形成胶团性质的影响。总结出普遍规律,为AES的应用提供了实验数据和理论基础。  相似文献   

13.
用阴极电沉积法从钼酸盐溶液中获得了草绿色的不锈钢转化膜。该膜具有良好的热稳定性。XPS和AES分析表明,膜厚约为173nm,膜的表面钼以Mo存在,而在膜内则以Mo和Mo共存。从AES深度剥蚀曲线的组成恒定区求得膜的组成为:O52.8%,Mo30.4%,P12.5%和Fe4.3%。循环伏安的氧化峰也证明膜内存在Mo。  相似文献   

14.
本文设计并合成了一个新的含有查尔酮基团的小分子有机凝胶剂,通过熔点,红外光谱,核磁共振波谱等对凝胶剂进行了表征;并以凝胶剂在乙醇水溶液中形成的水凝胶为模板,硫代乙酰胺为硫源,在水凝胶体系中利用离子的原位自组装合成宽度为300-600nm,长度数微米的CdS纳米带,用透射电镜TEM和X射线衍射对CdS的微观结构进行表征,并讨论了初步的形成机理.  相似文献   

15.
本文给出了Al-Ti/W-PtSi-Si、Al-Ti/W-Si等多层结构电学性能,特别是欧姆接触与抗电迁移性的研究结果.包括电子能谱分析,扫描电镜观测表面形貌,电迁移激活能的确定以及在场感应晶体管和集成电路中的应用效果等.还讨论了相关的作用机理.  相似文献   

16.
CdS纳米半导体薄膜的制备和表征及光电性能   总被引:1,自引:1,他引:0  
以不同摩尔比的氯化镉与硫代乙酰胺混合溶液为电解液,应用电沉积技术,在表面活性剂与电解液的液/液界面之间制备CdS纳米薄膜。采用SEM、XRD及XPS等方法对纳米膜的表面形貌及物相、组成进行了表征。紫外-可见吸收光谱分析表明:CdS纳米膜在可见光范围内有良好的透过率,适合做太阳光谱的响应器件。荧光光谱测试表明:当用320nm的光激发时,在373nm和536nm出现两个发射峰。在光照条件下,此纳米膜电极能够产生阳极光电流,说明光生电流主要靠空穴导电。  相似文献   

17.
本文报道了以射频溅射仪溅射沉积非晶态InP薄膜.并用X光衍射法、反射电子衍射怯、扫描电镜、红外分光光度计及俄歇能谱仪等研究了薄膜结构、貌相、组分及吸收边光谱等.并与富In的InP多晶薄膜作比较.  相似文献   

18.
用电子能谱仪中改变能量分析器通能的办法,将Ni3p光电子减速成不同能量后送入电子倍增器,从而测定了倍增器的增益随电子能量的变化曲线.发现在不同工作电压下,增益特性有所不同.观察了这一特性对测量俄歇微商谱峰-峰高度的影响.  相似文献   

19.
作者用热壁外延方法在(100)GaAs衬底上生长Zn_(1-x)Mn_xSe拉半磁半导体薄膜,并用X射线衍射(XRD)、喇曼散射、俄歇电子能谱(AES)等技术对薄膜性能作了研究.实验结果表明已成功地生长出(100)Zn_(1-x)Mn_xSe单晶薄膜,其中x最大达到0.17.  相似文献   

20.
用XPS、AES研究了可伐合金分别经1:1:8体积比的盐酸——硝酸——水溶液,1:1:1.5:6.5体积比的盐酸——硝酸——丙三醇——水溶液处理后的表面组成、表面层原子价态和表面元素深度分布,并探讨了混合强酸中可伐合金的腐蚀行为。  相似文献   

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