He同位素与HCl碰撞分波截面的理论计算

采用Huxley势函数拟合得到He-HCl较为可靠的相互作用势,使用精确度较高的密耦近似方法计算了入射能量为80meV时,氦原子的三种同位素3He,4He,10He与HCl分子碰撞体系的激发分波截面。通过分析各碰撞体系分波截面的差异,探讨了He(3He、4He、10He)-HCl碰撞体系的弹性分波截面00-00,非弹性碰撞转动激发分波截面00-01到00-07,随量子数和体系约化质量的变化规律。     

He同位素与HBr碰撞对分波截面的影响

基于构造的各向异性势,用密耦方法求解散射方程,计算了E=40 meV时3He,4He,5He,6He和7He分别与HBr分子碰撞的弹性和非弹性分波截面,详细讨论了氦同位素原子对分波截面的影响.结果表明:对给定的碰撞能量和确定的碰撞体系,激发分波截面比弹性分波截面收敛快;激发态越高,截面收敛越快;尾部效应仅在弹性散射和低激发态中产生,高激发态不产生尾部效应.随着氦同位素原子质量的增大,弹性分波截面和态-态激发分波截面收敛速度变慢,收敛需要的分波数增多.     

3He、 4He与H2 、D2、 T2碰撞(E=0.5 Ev)分波截面的理论研究

用密耦近似（Close—Coupling）方法和Tang—Toennies势模型计算了入射能量E=0．50eV情况下,氦原子的两种同位素（^3He、^4He）与H2及其同位素D2、T2替代碰撞体系的振转激发碰撞截面．通过分析各碰撞体系分波截面的差异,总结出在对称同位素替代情形下^3He、^4He与H2、D2、T2碰撞体系分波截面随量子数增加和体系约化质量的变化规律．结果表明,体系的约化质量变化给体系的碰撞截面带来不同程度的影响．     

2.8 MeV中子引起的~(232)Th(n,γ)~(233)Th反应截面的测量

用中子活化法和离线γ能谱测量技术对2.8MeV中子引起的~(232)Th(n,γ)~(233)Th反应截面进行了测量.2.8 MeV强流中子由D-D中子发生器获得,中子注量率的波动通过测量伴随~3He粒子得到;中子的平均能量通过~(64)Zn(n,p)~(64)Cu和~(115)In(n,n′)~(115m)In的反应截面比得到.γ能谱采用低本底高分辨率高纯锗伽马谱仪进行测量.实验结果与已发布的截面数据及评价核数据库ENDF/B-Ⅷ.b4、JENDL-4.0u+和CENDL-3.1的数据进行了比较.利用模型程序TALYS-1.8对~(232)Th的中子俘获反应激发函数曲线进行理论计算,并与实验数据和评价数据进行了对比分析.     

液氦~4He表面电子输运理论中的有效温度近似

本文改进了液氦~4He 表面电子输运理论中的有效温度近似处理方法,研究了平行于表面的电子迁移率.研究结果表明:当漂移场小于0.8V/cm 时,电子基本上处于基亚能带,电子系统仍是较理想的二维系统;当温度小于0.6K 时,电子-皱子(ripplon)散射起主要作用,电子-~4He 气原子散射可以忽略,而当温度大于1.65K 时,电子-~4He 气散射是主要的,皱子散射可以忽略.     

T(d,n)~4 He反应中氘的平均能量测量

本文用α粒子通量比的方法则量了T(d,n)~4 He反应中氘的平均能量,误差为±15Kev.     

~3He(~4He)-H_2碰撞体系的相互作用势及微分散射截面的理论研究

运用量子化学从头计算方法,在CCSD(T)/aug-cc-pvtz和CCSD(T)/cc-pvtz理论水平下,计算了3He(4He)-H2相互作用能数据,采用Murrell-Sorbie势函数(M-S势)拟合了3He(4He)原子与H2分子各向异性相互作用势,并用公认精确度较高的密耦方法计算了3He(4He)-H2碰撞体系的微分散射截面,总结了微分散射截面的变化规律。研究表明:拟合势不但表达形式简洁,而且较好地描述了3He(4He)-H2体系相互作用的各向异性特征。     

超流He系统的拓扑结构研究

本文利用有序介质缺陷的同伦论系统地研究超流He系统的拓扑结构.对于~4He和~3He的A,B相的拓扑结构,给出更严格、更简洁的讨论.尤其是,以代数拓扑理论为工具,本文预言超流~3He系统的四种新相:C,D,E和F相,给出其拓扑结构的示性数,以及C,D相出现的大致物理条件.     

用硅半导体探测器测量T(d,n)~4He反应产生的中子的能量

本文用硅半导体探测器测量了低能氘束通过(d,n)~4He反应产生的中子的平均能量,误差±26Kev。这是一种较新的方法,设备简单,精度较高,而且可以和某些其它实验同时进行。     

用共振群方法计算~7Be的~3He-~4He集团态的E2、M1跃迁

该文假定~7Be的基态和第1,2,3激发态是~3He-~4He集团态,用共振群方法(RGM)计算这些态的本征能量和本征函数,并用这些函数计算了这些态之间的M1、E2跃迁几率,所得结果与实验基本符合,说明了~7Be的基态和第1,2,3激发态主要是~3He-~4He集团态,也说明了用RGM来研究核的集团态是很有效的,特别是理论计算的跃迁与实验的符合说明了计算中求得的各态的波函数是比较好的。     

T(d,n)~4He反应的中子能谱的测量和模拟计算

本文描述用飞行时间谱仪对T(d,n)~4He反应的α关联中子能谱和角分布的测量,以及介绍对这些中子能谱的蒙特卡罗模拟。在计算中考虑了氘在氚-钛靶的多次散射。对发射中子谱自寺和关联中子平均能量的计算结果分别与Pavlik等人的计算结果和我们的实验结果很好地符合。     

He—H2碰撞转动激发截面的理论计算

首先在IOSA(Infinite-Order-Sudden-Approximation)方法中利用WKB近似方法代替Nemerov方法计算相移,然后对He与转动能层较大的H_2分子碰撞总的、弹性和转动激发积分散射截面进行了计算。结果表明,用此方法所计算总的和弹性散射截面的值与较准确的CC(Close-Coupling)方法得出值符合得很好,对非弹性散射截面,当取适当k值时,结果令人满意。     

超流液氦~3He系统四种新相的边界问题

本文讨论了作者提出的四种新相(C,D,E和F相)的边界问题,文中利用同伦群正合序列的标准代数拓扑方法,研究了有限长柱面边界条件对于超流~8He系统的四种新相的拓扑结构的影响,给出了相应表面缺陷的拓扑量子数.文中,提出周期性边界条件的假设,使问题的讨论更简明、更严格.     

14MeV中子(n,~3He)反应截面的系统学计算

对14MeV中子的(n,~3He)反应截面的系统学特性作了研究,并得列了反应截面随不对称参数(N—Z)/A的增加而缓慢下降的趋势.在对实验数据分析、评价和拟合的基础上给出了一套经验参数.利用导出的系统学经验公式计算了一些核素的(n,~3He)反应截面,与实验结果比较符合较好.最后讨论了(n,~3He)反应的机制.     

~(65)Cu(n,2n)~(64)Cu,~(63)Cu(n,α)~(60)Co 和~(46)Ti(n,p)~(46)Sc反应截面测量

本文用活化法以~(27)Al(n,α)~(24)Na 反应截面为中子注量标准,测得的14.9 MeV 中子~(65)Cu(n,2n)~(54)Cu 和~(46)Ti(n,p)~(46)Sc 反应截面分别为9334±32和297±10mb,测得的14.62MeV中子~(63)Cu(n,α)~(60)Co 反应截面值为42.3±1.5 mb.单能中子由 T(d,n)~4He 反应获得,中子能量是用铌锆截面比法测定的.在文中还把本文的结果与其他一些作者的数据进行了比较.     

磁控溅射制备的含He纳米晶铜膜的微结构分析

采用直流磁控溅射法,在不同的He/Ar混合气氛下,制备了不同He含量的铜膜.利用弹性反冲探测（ERD）方法探测了铜膜中氦的含量和深度分布,实验发现引入铜膜中的氦深度分布较均匀;并本文采用X射线衍射（XRD）分析了铜膜中氦的微结构,实验结果表明随着铜膜中氦含量的逐渐增加,对应Cu（111）晶面的峰强也有所增强;最后应用了慢正电子束分析（SPBA）技术测量了不同含氦铜膜的缺陷结构,随着铜膜中氦的增加,S参数会发生相应的变化.     

高电荷态离子N~(q+)(q=3,6)与原子、分子碰撞中发射光谱

本实验对N6+—He，N3+—He和N3+—H2碰撞中的发射光谱进行了测量.从测量到的发射光谱分析证明：上述碰撞中存在着三种或四种激发通道：（1）单电子俘获激发通道：（2）双电子俘获激发通道：（3）入射离子直接激发通道；（4）靶直接激发通道。本文还给出了发射截面数据。     

用γ共振吸收法测~(28)Si12.33MeV能级宽度

本文介绍的γ共振吸收法是利用质子辐射俘获反应产生的γ射线作为γ源,去激发原子核.由于核反应所形成的复合核具有定向运动,因而核在发射及吸收γ射线时的反冲损失可以依靠Doppler能量移动来加以补偿,使受激核产生精确共振.核共振吸收的大小和共振截面有关,而共振截面又和能级宽度T有关.这样,就可以通过测量共振吸     

长柱面超流~3He系统的表面拓扑结构问题

Mermin讨论过无限长柱面边界条件对超流~3He系统(?)相(偶极子锁闭)的表面拓扑结构的影响.我们发现,他对序参量空间中表面子集A的选取有问题.本文对此作了进     

超流~3He系统的表面拓扑结构的几个注记

本文讨论在圆膜状和球面边界条件下,超流~3He系统诸相的纯表面缺陷的拓扑结构,给出相应的点缺陷和线缺陷的拓扑量子数.本文发现,边界条件对于~3He系统的拓扑结构的影响十分重要.