宽带隙半导体SiC非磁性掺杂研究取得进展

长期以来,过渡元素（Fe,Mn,Co等）掺杂稀磁宽带隙半导体的磁性来源问题一直存在着很大争议．主流观点认为,由于样品制备条件的差异,大多数过渡元素掺杂宽带隙半导体的磁性来源于磁性杂质的干扰或磁性原子在基体形成团簇所致,而不是掺杂材料的本征特性．因此,通过掺杂非磁性元素可以有效地避免磁性杂质的引入,排除磁性杂质的干扰,可以为探讨稀磁半导体的磁性来源提供理想的实验体系．这对深入认识宽带隙半导体中自旋长程有序的机制有着重要学术意义．     

直接带隙半导体系统中的磁相互作用

运用精确的量子蒙特卡洛技术,研究了直接带隙半导体系统（Haldane-Anderson模型）中的磁相互作用.精确的数值解揭示了两种截然不同的自旋关联函数,均没有显示出明显的RKKY振荡行为;并且随着不同参数的变化,自旋关联函数呈现相当复杂的多因素控制的显著特征.这些行为对于理解一些磁性的半导体系统会有很大帮助,例如,稀磁半导体等.     

C／BN_xC_（2（1－x））、BN／BN_xC_（2（1－x））和C／BN异

采用原子集团展开和平均键能相结合的方法．研究了宽带隙高温半导体、合金型应变居异质界面Ｃ／ＢＮｘＣ２（１－ｘ）、ＢＮ／ＢＮｘＣ２（１－ｘ）和生长在ＢＮｘＣ２（１－ｘ）合金衬底上的Ｃ／ＢＮ应变层异质结的价带偏移△Ｅｖ．结果表明：Ｃ／ＢＮｘＣ２（１－ｘ）和ＢＮ／ＢＮｘＣ２（１－ｘ）的△Ｅｖ随ｘ的变化是非线性的，而应变层Ｃ／ＢＮ的△Ｅｖ随ｘ的变化是接近于线性；三种异质结的△Ｅｖ值随ｘ的变化关系决定于异质界面两侧带阶参数Ｅｍｖ随ｘ的变化规律．     

广义互补问题的一种非光滑算法的收敛性分析

基于广义互补问题的半光滑方程组变形，给出了求解广义互补问题的一种新算法。该算法的显著特征是每次迭代只需求解-线性方程组。并在适当条件下建立了算法的全局收敛性和局部超线性(二次)收敛性。     

三结砷化镓叠层太阳电池中的宽带隙隧穿结研究

隧穿结是影响三结砷化镓叠层太阳电池性能的关键因素。从隧穿结导致三结电池性能曲线异常的问题出发,数学模拟了GaInP2微结构有序性对宽带隙AlGaAs/GaInP2隧穿结的影响。由此设计了合理的隧穿结,使三结砷化镓叠层太阳电池的性能得到改善。     

分时隙二进制RFID反碰撞算法及其仿真

研究RFID反碰撞算法,提出一种分时隙二进制树形搜索算法的高效反碰撞算法模型,运用EDA工具QUARTUS-II对该算法进行逻辑仿真,仿真结果表明运用该算法可大大减少反碰撞搜索过程的通信数据量,搜索效率得到较大提高,提高了射频标签识别的准确率,该算法对射频标签芯片的设计具有参考价值.     

指数为1的半正定线性系统迭代方法的收敛性

当相容奇异线性系统系数矩阵的指数为1时,文章利用群逆的概念来介绍广义固定迭代方法半范数收敛,商收敛和收敛三者之间的关系,然后再利用群逆的概念来研究广义固定迭代方法半范数收敛的新条件．在保证迭代格式收敛的前提下,该条件比Keller的P-正则条件要弱．     

宽带数据链卫星链路中级联码的仿真分析

与一般通信链路相比较,宽带数据链中的卫星链路传输距离遥远,因而采用具有高增益的编码技术是数据链卫星链路中必不可少的技术措施.本文阐述了在卫星链路中采用RS码和卷积码的纠错能力,对其级联码的编码增益进行了分析.利用仿真平台对RS码及卷积码纠错性能进行了仿真,并与级联码条件下的仿真结果进行了比较和分析.     

GaP_(1-x)N_x混晶(x=0.24%～3.1%)发光复合机制的研究

利用变温光致发光(PL)谱研究了一系列GaP1-xNx混晶的发光复合机制.GaP1-xNx混晶的PL谱从低组分的NN对束缚激子及其声子伴线到高组分杂质带发光的特征,表现出明显的带隙降低的趋势.测量结果显示,在组分x≥0.24%的样品的发光谱中NN1能量之下已经开始出现几个新的束缚态,在低组分的混晶中,只存在一种激活能,仍然保持有束缚激子的特征;而在高组分样品(x≥0.81%)中存在两种激活能.高组分样品一方面仍保留有束缚激子的特征,另一方面也表现出新的发光机制.     

MBE生长的InAs_(1-x)Sb_x外延层Eg和x测量

MBE生长的外延三元化合物材料InAs1 xSbx/AlSb/GaAs等是研制红外光通讯探测器的重要材料 ,准确检测这些半导体的禁带宽度Eg和组份x是个重要课题。该文简要地提出与本研究有关的二维 (2D)体系态密度D2D和自由载流子面密度等物理量的数学表达式并采用变温Vander Pauw Hall实验对上述半导体样品进行测试 ,分别用 2D和 3D体系的理论对实验数据进行分析处理 ,实验结果表明 :2D理论得出的Eg和x比 3D理论处理有明显改善 ,2D理论更适合于上述外延材料以及类似的多元外延的材料的测试分析     

适用于电力器件的磷扩散模型

针对电力半导体器件的特性和工艺特点,提出了一种适用于电力器件的磷扩散模型并应用MATHMATICA4对该模型进行计算,计算的结果与SUPREM IV.GS模拟软件在相同的工艺条件下得到的结果趋于一致.并且与实际扩散结果接近.此种方法为电力器件其他杂质的扩散工艺过程的模拟提供了一定指导作用.     

一类非平衡半导体方程的整体弱解

考虑一类半导体方程的混合初边值问题，在迁移率既不为常数，又不满足速度饱和及初值u0i属于L^2（Ω）的条件下，证明了整体弱解的存在性。     

巨正则法对硅半导体中载流子数的计算机模拟

将巨正则系综的Fermi-Dirac(F-D)统计法与计算机模拟相结合,从本征半导体硅出发,探讨温度和光照能量对载流子数的影响,试图从理论上定量分析太阳能电池工作状况,对本征硅半导体中载流子数进行计算机模拟,模拟结果与理论规律基本吻合,此方法可为进一步研究掺杂半导体及氧化物半导体空间电荷层载流子数提供参考。     

Protel在对数字器件仿真时的缺陷与解决方案

通过一个具体的实例找出Protel在对数字和模拟混合电路仿真时所存在的一些问题,并对这些问题给出了解决的办法.     

一类半导体方程组整体弱解的存在性

考虑一类半导体方程组的混合初边值问题。利用正则化算子和逼近过程，通过一系列先验估计，在迁移率既不为常数，又不满足速度饱和的条件下，证明了其整体弱解的存在性．     

小尺寸半导体器件流体动力学方程解的长时间行为

用能量方法证明了当初始数据与稳态解很近,且时间趋于无穷时,小尺寸半导体器件流体动力学方程指数衰减到唯一的稳态解,从而改正了文献[1]的错误。     

抽象空间微分方程解的收敛性

本文研究了抽象空间微分方程解的收敛性问题,得到了有关收敛性的两个定理.     

半导体光放大器对超短光脉冲放大过程中载流子寿命的变化

修正了人们在研究半导体光放大器对光脉冲的放大这一动态过程中把载流子寿命取为常数这一处理方法。通过考虑放大器中载流子的复合机制，提出了一个可研究载流子寿命变化的模型。数值计算的结果表明，在半导体光放大器对超短光脉冲进行放大这一动态吕，载流子寿命变化明显，且与输入脉冲的形状有关。     

利用Laplace变换讨论Dirichlet级数的绝对收敛与一致收敛

通过定义一个函数α(t)，将Dirichlet级数转化为Lebesgue-Stieltjes积分(简称L-S-积分)，再利用L-S-积分的性质及其绝对收敛与一致收敛来讨论Dirichlet级数的绝对收敛与一致收敛，并得到了一些有关的结论。     

电站锅炉燃烧过程数值模拟的收敛性分析

对电站锅炉燃烧过程数值模拟的收敛性进行了详细的分析 .研究表明 :燃烧过程所有控制变量的残差是随迭代次数震荡减小的 .在燃烧迭代的初始阶段 ,残差的下降较快 ;之后 ,随着迭代次数的不断增多 ,残差的降幅减小 ;最后 ,各变量残差会随迭代过程的进行呈现出周期性的变化 ,即计算残差的平均值趋于定值 ,这时 ,在残差的一个震荡周期内的模拟速度、紊动能和温度等参数变化很小 ,燃烧计算有可能假收敛 ,在这种情况下 ,如果将迭代继续下去 ,假收敛的计算参数会随迭代次数缓慢变化 ,只有当迭代次数足够多时 ,即计算次数大于某一个大数后 ,锅炉燃烧计算的速度场、紊动能场和温度场等参数不再随迭代次数变化而变化 ,燃烧计算才达到收敛 .