半自反根与半自反模

从不同角度引入半自反模和半自反维数的概念,并根据半自反律数的特征,讨论了环的分类,给出了半自反维数为0和1的两类环的存在性以及GN－环上的有限生成半自反模的结构,即他是有限生成自由模的子模,借助亚投射性和半自反性的关系,详细讨论了投射根P（R）＝0的交换环R上的半自反模的一些性质。     

有限生成半单投射模的几点注记

证明了有限生成半单投射右R-模类在扩张、直和、纯子模、直和因子下封闭;任意有限生成半单右R-模有一个有限生成半单投射预包络当且仅当任意有限生成半单右R-模的对偶模是有限生成的.     

关于一些自同态环为半完全环的模

设M是有限生成的拟投射左R-模，那么End(RM)为半完全环的充要条件是M能分解成模直和：M=M1…Mr，其中每个End(RMi)为局部环；设R为整环，那么，对于任意有限生成的拟投射但非投射的R-模M，End(RM)为半完全环的充要条件是R的Krull维数为1和R的每个理想都有准素分解；设R为Dedekind整环，M是有限生成的扭R-模，那么End(RM)为半完全环。     

半模生成子的刻画

在半模范畴中定义了生成子,同时把环模上生成子的性质推广到半模上。此外,一个关于生成子的命题被建立,该命题对偶于投射半模的一个熟知结论。     

群分次环的Clifford转移定理的推广

本为曾吉等人的章(献[1])的继续．曾的章推广了单模情形下分次环的Clifford直接理论．得到了对有限生成半单分次模情形下的Clifford直接理论．在此基础上．将单模上分次环的Clifford转移理论推广到有限生成半单模上的分次环的Clifford转移理论．     

特殊环的有限余相关模刻画

给出了余Noether环的若干新特征:(1)有限余生成内射模的商是有限余生成的;(2)任一单模内射包的满同态是有限余相关的;(3)M是有限余生成内射模,A≤eM,则M/A是有限余相关模;(4)有限余生成内射模的本质子模是有限余相关的;(5)M是有限余生成模,A≤eM,则M/A是有限余生成模.证明了R是V-环当且仅当对任一单模内射包M,任一模是M—内射的当且仅当对每一有限余生成内射模M及任一单模S,S是M—投射的.最后用有限余生成模、半遗传环、余生成子等刻画了半单环.     

非交换半局部环上模的对偶性

本文讨论半局部环上模的无挠性和自反性．特别地给出了半局部环Ｒ上每个模为无挠模．每个有限生成模为无挠模的条件，及半局部环上每个有限生成的无挠模为自反模的条件。     

平坦模的一些注记

主要讨论了平坦模的一些性质．设R是诺特环,J是R的Jacobson根,证明了R／J是平坦R-模当且仅当R是半单环;∧是局部有限的诺特的连通分次代数,M是任意有限生成的分次∧-模,则M是平坦模当且仅当M是投射模,当且仅当M是自由模．     

交换QF环上的有限生成模

给出了QF环上模的一些特征,刻画了交换QF环上的有限生成模,得出了交换QF环上的有限生成模的相关性质,并进一步讨论了交换QF环上的有限生成模对直和以及取直和项,上述性质仍然保持.     

Dedekind整环的性质研究①

为了解决Dedekind整环上的一些性质及Dedekind整环上有限生成无扭模结构问题,利用主理想整环和Dedekind整环的关系以及主理想整环上有限生成模的结构的研究方法,得到Dedekind整环上有限生成无扭模是投射摸以及Dedekind整环上一个商环的同构。     

上有限H-补模的直和

模M称为上有限H-补模,若对于M的任意上有限子模L,存在M的直和项N,使得L+X=M当且仅当N+X=M,其中X是M的任意子模.给出上有限H-补模的一些性质,并证明对于上有限补模M=M1(+)M2,如果M1是M2-sjective(或M2是Mi-sjective),且M1和M2是上有限H-6模,则M是上有限H-补模.     

Π-凝聚环上的同调方程A=ExtnR(X,R)

研究Π-凝聚环R上的同调方程A=ExtnR(X,R)的一类解的存在性,得到方程A=ExtnR(X,R)以有限生成半自反右R模为解的一个充要条件.     

Π-凝聚环上的同调方程A=Ext_R~n(X,R)

研究Π-凝聚环R上的同调方程A=ExtnR(X,R)的一类解的存在性,得到方程A=ExtnR(X,R)以有限生成半自反右R模为解的一个充要条件.     

有限拟内射模

设R为一个环, 称一个右R-模M是有限拟内射的, 如果M的每一有限生成子模到M的同态都可扩张为M的自同态。给出了有限拟内射模的一些特征和性质,并研究了一些有限生成的 有限拟内射模。     

上有限δ-直和补模

称模M是上有限δ-直和补模,若M的任意上有限子模存在δ-补模是M的直和项.给出上有限δ-直和补模的一些性质,并证明如果M是满足(D3)条件的上有限δ-直和补模,则M的任意上有限直和项是上有限δ-直和补模;同时证明上有限δ-直和补模的任意有限直和是上有限δ-直和补模.     

广义基本有限生成的TS-模

定义了广义基本有限生成的TS-模,引入了广义一致模;讨论了广义基本有限生成的TS-模的性质和特征,并将有限生成的CS-模的一个主要结果推广到了广义基本有限生成的TS-模.     

关于u-上临界模与u-半临界模

引进了u-上临界模与u-半临界模.一个模M称为u-上临界的,如果M是u-缺挠模,并且M的每一个商模(不等于M)都是τu-挠模.一个模M称为u-半临界的,如果存在M的有限子模族{M1,M2,…,Mn}使得∩in=1Mi=0,M/Mi为u-上临界模.讨论了u-上临界模的基本性质,比较u-上临界模与u-半临界模的关系,并在一定条件下将它们与遗传挠理论统一起来.     

τ-small模与τ-有限生成模

文章给出τ—smnll模的概念，得到τ—有限生成模都是τ—smnll模。若τ∈R—tors是上遗传的，则左R—模M为τ-noether模当且仅当M的每一个（本质）子模都是τ-small模。     

P-投射模的刻画

模M称为P-投射模,是指对任意R-模N的任意循环子模Rx,同态f:M→N/Rx能提升为同态g:M→N.给出了P-投射模的一些新刻划,证明了M是P-投射模当且仅当对任何有限生成模K有Ext1R(M,K)=0当且仅当对R的任何左理想I有Ext1R(M,R/I)=0.并利用P-投射性与f-内射性给出了半单环的新刻划,证明了R是半单环当且仅当每个模是P-投射模当且仅当每个模是f-内射模.最后为了进一步揭示P-投射模的子模的性质,引入了P-遗传环的概念,证明了R是P-遗传环当且仅当有限生成模的内射维数不超过1.     

商环为内射模的条件

模的有限生成性和对偶模的有限生成性之间的关系是复杂的,本文在这方面得到了一些结果。本文还给出了商环的内射性的充要条件。