SnO2—ZnO陶瓷热敏特性的实验研究

本文研究了不同原料配比对SnO_2-ZnO陶瓷的结构及其热敏特性的影响,通过改变SnO_2和ZnO的比例可以获得室温电阻率为10~(-3)Ω-cm到10~6Ω-cm,B值为200到22000,工作温度范围在70到1200K的热敏电阻材料。     

沥青碳纤维导电行为及其应用

对通用型沥青基预氧化纤维在碳化过程中的电阻变化行为进行了测试。结果表明:碳化过程中纤维的电阻率可由10~(12)Ω-cm下降到10~(-1)Ω-cm,得到了纤维电阻率与碳化温度之间的定量关系;并通过纤维电阻率的变化与纤维元素分析结果之间的对应关系,表明纤维在碳化过程中发生结构转变。给出了利用碳纤维导电性的应用实例。     

铜的霍尔系数及电阻率的测量

本文用范德保伍法测得铜在20℃下的霍尔系数为-5.1×10~(-5)cm~3/col,电阻率为1.97×10~(-6)Ω·cm.实验方法简便,设备容易获得:与所见文献数据比较,数量级是一致的。     

70型离子交换纯水器制超纯水

<正> 一、引言我们用上海产70型离子交换器以自来水为水源,单器制纯水纯度可达6.3×10~6Ωcm,一般在5×10~6Ωcm 左右,产量28万 ml 以上。以70型离子交换纯水器进行组合时,纯度达7.5×10~6Ωcm,一般在6×10~6Ωcm 左右,产量达40万 ml 以上,用电蒸馏纯度只达3×10~6Ωcm 左右。用70型离子交换器制纯水不仅纯度高,而且成本低,据估算,每生产一万毫升纯水比蒸馏法(用煤烧)便宜一角多钱。且大大节省了人力和物力,解决了我系全部实验用水及微量分析实验用水问题。     

高纯水制备的研究

随着我国电子工业的迅使发展,电子技术对纯水的要求越来越高,而且需要纯水的部门也越来越多。例如:半导体工业用水、原子能用水、超高压锅炉用水以及医疗卫生的医药用水等等。目前,制备纯水的技术已有了很大的发展,制出纯水的电阻率已能达到18×10~6欧姆·厘米以上。但是,制各高纯水的单位不多,而且许多单位制备10×10~6欧姆·厘米以上的纯水都较困难。为此,我们选择了高纯水制备的研究作为毕业实践的科研内容。在试验过程中,我们按照毛主席“所谓分析,就是分析事物的矛盾”的教导,首先分析了制备高纯水的主要矛盾:一是离子交换树脂的性质;二是水中什质和操作条件。前者是内因,因为出水质的纯度决定于树脂结构性能是否具备去各种离子的能力。后者是外因,因为它直接影响到树脂的工作交换量。找出了主要矛盾方面是离子     

不同生长条件对Sn掺杂ZnO薄膜电学性能的影响

采用直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了Sn掺杂ZnO透明导电薄膜,用Hall效应测试仪表征了薄膜的电学性能,研究了不同生长条件对薄膜电学性能的影响。研究结果表明,随着Ar/O2比的增加,电阻率先减小后增大,在Ar/O2为6时,取得最低的电阻率为2.02×10-2Ω·cm;随着溅射功率的增大,薄膜电阻率急剧减小,在140 W时获得最低电阻率为2.89×10-2Ω·cm;在溅射时间11min时得到了最低的薄膜电阻率,为1.45×10-2Ω·cm。随着压强的增大,电阻率先急剧减小,后缓慢增大,当溅射压强为0.8Pa时,薄膜电阻率具有最小值,为2.17×10-2Ω·cm。当衬底温度在400~500℃范围内变化时,在475℃时取得最佳电学性能,电阻率为2.26×10-2Ω·cm。在整个实验条件下,当Ar/O2为8、溅射功率为180W、衬底温度为450℃、溅射压强为0.5Pa、溅射时间为11min时,薄膜具有最佳的导电性能,电阻率为1.45×10-2Ω·cm。     

祁连阴凹槽地区塞浦路斯型铜矿床岩矿石物性特征及找矿意义

为确定塞浦路斯型富铜矿在祁连阴凹槽地区的地球物理特征,利用物探方法指导本区找矿。本研究通过在该地区开展激电中梯剖面测量、高精度磁法测量,采集岩石标本538块,并结合区内地质矿产特性以及岩石物理性质,确定了其视极化率异常、视电阻率异常和磁异常特征。结果表明:研究区内的岩(矿)石视极化率均较小,而视电阻率差异较大,将几种岩性的视电阻率由高到低区分为:灰岩、玄武岩、碧玉岩和石英岩(高阻),变化值为1 291.97~1 906.49Ω·m;辉长岩和变砂岩(中阻),变化值为744.41~760.87Ω·m;硅化大理岩、断层角砾岩及蚀变玄武岩(低阻),变化值为207.16~648.68Ω·m;黄铜矿矿石物性特征呈现为明显的低阻高极化,视电阻率最低为0.45Ω·m,视极化率最高可达到43.86%,具备采用激电测量寻找铜硫化物矿产的物性前提;磁化率方面,碧玉岩的磁化率最高,变化值为(30 045.08~5 438.65)×10~(-6)×4π·SI。因碧玉岩与矿体紧密相关,故寻找碧玉岩以达到间接找矿的目的是可行的。     

Er（3＋）：CaMoO_4晶体光谱性能的J-O理论计算

利用J-O理论计算了Er3＋离子在CaMoO4晶体中的光谱参数,计算得出的3个J-O强度参数分别为Ω2=18.85×10-20cm2,Ω4=2.45×10-20cm2,Ω6=1.13×10-20cm2。由这3个强度参数计算出了各跃迁的辐射跃迁几率、荧光分支比及辐射寿命。计算结果表明该晶体具有5个主要的发光波段。相对于其他参杂Er3＋的晶体,该晶体具有较大的Ω2和Ω6参数,但在1.5 um波段具有较短的辐射寿命。     

PVC膜铂(Ⅳ)离子选择性电极的研制

本文介绍了PVC膜铂离子选择性电极的研制过程及性能。电极响应曲线的线性范围为:3×10~(-3)～1×10~(-6)M,电极斜率为:29MV/△PC,适宜的PH范围是:3～6,电极的正向导电内阻为0.3MΩ,反向为无穷大。     

Er3+:CaMoO4晶体光谱性能的J-O理论计算

利用J-O理论计算了Er3+离子在CaMoO4晶体中的光谱参数,计算得出的3个J-O强度参数分别为Ω2=18.85×10-20cm2,Ω4=2.45×10-20cm2,Ω6=1.13×10-20cm2.由这3个强度参数计算出了各跃迁的辐射跃迁几率、荧光分支比及辐射寿命.计算结果表明该晶体具有5个主要的发光波段.相对于其他参杂Er3+的晶体,该晶体具有较大的Ω2和Ω6参数,但在1.5um波段具有较短的辐射寿命.     

氢致PZT-5H铁电陶瓷导电性变化

通过实验和第一性原理计算的方法研究了氢致PZT-5H铁电陶瓷导电性变化的规律和机理. 随着充H含量的增加,PZT-5H陶瓷的电阻率逐渐降低,当陶瓷中总H的质量分数为11.2×10-6时电阻率降至1.51×109Ω·cm,介于半导体和绝缘体之间. 随着H含量进一步升高,霍尔效应表明PZT-5H陶瓷变成n型半导体. 第一性原理计算表明,当进入Pb(Zr0.5-Ti0.5)O3晶格的H质量分数等于临界值(96×10-6)时,[Pb(Zr0.5Ti0.5)O3]32H系统变成了半导体;随着H含量的升高,态密度图向低能方向平移,[Pb(Zr0.5Ti0.5)O3]nH系统变成了导体.     

志丹油田樊川区长6_1~2低电阻率油层测井识别及应用研究

陕北志丹油田长6_1~2油层共发育两套砂体:下部砂体发育常规高电阻率油层,长6_1~2上部砂体发育低电阻率油层。随着对长6_1~2低电阻率油层的认识不断深入和勘探开发,极大拓展了樊川区油田可采储量。通过对比分析大量测井资料及探井岩心资料,结合近期对长6_1~2上部砂体低电阻率油层的射孔二次压裂试采试验,证实了樊川油田长6_1~2上部低电阻率油层,电阻率值介于3~30Ω·m,甚至小于2.5Ω·m。通过对该区域低阻油层的成因机理的分析,认为储层岩石颗粒的相对变细和泥质含量的相对增高,束缚水饱和度增加是导致长6_1~2低电阻率油层形成的主要原因。根据地区资料,展开长6_1~2低电阻率油层在岩性、物性、含油性与电性之间互相联系的内在规律,建立四性关系解释图版,得出了该区的长6_1~2低电阻率油层测井识别标准,对该区域低电阻率油层测井解释也有重要指导意义。     

瞬变电磁法在岩溶隧道超前地质预报中的应用——以七家营隧道为例

针对隧道超前地质预报工作中岩溶问题的特殊性,运用瞬变电磁法探讨了溶洞、溶隙以及陷落柱等非层状体系的电阻率响应特征。现场试验表明,岩溶不发育的完整岩体质量较好,ρs值可达100~250Ω;充满地下水的岩溶裂隙,其ρs值普遍低于背景值(5~10Ω),约0~5Ω;而无水溶洞的ρs值则高于背景值,为15~20Ω;陷落柱的ρs值异常不明显,需采用其他物探手段探测。结合七家营隧道工程对上述成果进行了验证,为我国南方岩溶隧道的超前预报方法和电磁地质解译提供了范例。     

电弧等离子体喷射法直接制备金属有机聚合物

金属有机聚合物一般通过金属有机化合物单体聚合来制备,但由于单体制备困难、性能不稳定,其发展受到限制.本文提出了用低压直流电弧等离子喷射法将有机单体和金属直接合成金属有机聚合物薄膜的方法,成功地制备了铜与丙烯腈、丙炔腈的金属有机聚合物薄膜.红外光谱和电子能谱的分析结果表明:聚合物薄膜中含有环状共轭结构,铜与聚合物以共价键、配位键结合.用改进的四探针法进行测量,铜与丙炔腈聚合物薄膜的电阻率在10~0～10~3Ω·cm范围内,铜与丙烯腈聚合物薄膜的电阻率在10~6～10~7Ω·cm范围内。     

一种新型的具有修复机制铅离子选择电极的研制

构建了新型的以硫化铅纳米空球包埋膜组分为载体的聚氯乙烯膜铅离子选择电极.电极对铅离子的响应在1×10~(-2)~1×10~(-5) mol·L~(-1)浓度范围内有线性关系,斜率为26mV/pC,检测下限为7.1×10~(-6) mol·L~(-1).膜厚约0.3 mm的聚氯乙烯膜铅离子选择电极在1×10~(-1)~1×10~(-2),1×10~(-3)~1×10~(-5)及1×10~(-6)~1×10~(-) mol·L~(-1)的铅离子溶液中,其响应时间分别为9~15,20~45和55~70s.在1×10-3 mol·L~(-1)铅离子溶液中电极电位稳定的pH范围为3~7,银离子对电极的测量有一定的干扰.     

Cd~(2~ )离子与牛血清白蛋白结合的定电位法研究

用定电位、定pH滴定法研究了Cd~(2 )离子与牛血清白蛋白(BSA)的结合。在滴定过程中溶液的pH用基本上不与金属离子络合的硼酸—硼酸钠—甘油缓冲溶液维持。在所研究的自由Cd~(2 )浓度(6×10~(-7)—1×10~(-3)M)和BSA浓度(3×10~(-6)—6×10~(-5)M)范围内,当pH=6.94±0.02、μ～0.5及t=25℃时,Cd~(2 )与BSA只生成MpHqA型的单核络合物。每个BSA分子结合的Cd~(2 )离子的平均数Z_B(b)与自由Cd~(2 )离子浓度b的关系可以经验地表示为Z_B(b)=4.6748 0.2978lnb 1.4050×10~4b-7.2592×10~6b~2。BSA对Cd~(2 )离子大致有两类结合部位,它们与Cd~(2 )离子结合的本征平衡常数分别为4.67×10~5和3.58×10~3。     

工艺参数对磁控溅射制备ZnO:Al薄膜性能的影响及分析

采用Al2O3质量分数为2.7%的ZnO:Al(简称AZO)陶瓷靶在RAS-1100C大型中频孪生靶磁控溅射镀膜设备上溅射制备了电阻率在10-3Ω·cm量级、可见光透过率85%的AZO透明导电薄膜.分析了烘烤温度、氩气流速和溅射功率对薄膜电学性能的影响,同时还对固定在靶材前方不同区域处的衬底上沉积得到的AZO薄膜的电阻率差异进行了研究.实验发现靶材刻蚀沟道正前方处沉积的AZO薄膜的电阻率在10-2Ω·cm量级,而两块靶材中间非溅射区域正前方处所沉积的AZO薄膜的电阻率则在5×10-4Ω·cm左右.此研究结果表明沉积在RAS夹具圆筒上的AZO薄膜的性能是靶前各区域溅射沉积薄膜的性能的混合平均.进一步提高RAS溅射制备的AZO薄膜的性能的关键在于抑制高能氧负离子的轰击注入效应以及提高薄膜的结晶性能.     

瞬变电磁法在龙山煤矿防治水中的应用

为了探明龙山煤矿地下水的分布情况,以便于制定相应的防治水措施,采用瞬变电磁法对该地区地下水进行了探测,借助TEMIX XL v8软件进行层状反演解释,导出电阻率拟断面图,并结合地质特征,对矿区富水区进行了分析、对比及研究。结果表明:矿区含水分布与电阻率对应度十分明显,电阻率随含水量的增加而降低。在矿区内石炭系灰岩视电阻率约小于40Ω·m为富水异常区,视电阻率约小于30Ω·m为强富水异常区;在测区内石炭系灰岩视电阻率约小于75Ω·m为富水异常区,视电阻率约小于60Ω·m为强富水异常区;奥陶系灰岩视电阻率约小于90Ω·m为富水异常区,视电阻率约小于70Ω·m为强富水异常区。该研究工作对于龙山煤矿有针对性地制定防治水措施、减少矿井灾害具有实际指导意义。     

ZAO透明半导体薄膜的研究

采用直流磁控溅射ZAO陶瓷靶的工艺,在玻璃衬底上成功地镀刺了ZAO透明半导体膜,获得了电阻率6×10^-4Ωcm和可见光透过率85％以上的ZAO薄膜最佳光电特性参数．     

氧气流量对磁控溅射AZO薄膜光电性能的影响

采用直流反应磁控溅射方法在载玻片基体上制备AZO薄膜,研究氧气流量对所制备AZO薄膜光电性能及微观结构的影响。结果表明,氧气流量显著影响AZO薄膜的光电性能和结晶状况,当氧气流量高于0.08×10-6 m3/s时所制备的薄膜可见光透过率高但薄膜不导电;当氧气流量低于0.04×10-6 m3/s时沉积的薄膜呈现出金属性特征,薄膜导电不透明;只有在一个较窄的氧气流量范围内才能制备出光电性能均优的AZO薄膜。当氧气流量为0.06×10-6 m3/s时沉积的AZO薄膜具有较低的电阻率,为2.39×10-3Ω.cm,且薄膜在可见光区薄膜的平均透过率在90%以上。