半导体—金属—半导体双界面结构的电子态

本文用一个金属薄层夹在两个不同的半无限半导体之间的模型,在一个简立方金属和两个具有氯化铯结构的半导体的基础上发展了格林函数理论。首次得到了半导体—金属—半导体结构的格林函数。有了这些格林函数,可以使我们很容易地研究这样的系统所有的电子特性。作为应用例子,文中给出了局域界面态的计算。对两种特殊的半导体—金属—半导体双界面的研究表明,界面态可以存在,也可以不存在,取决于半导体的禁带和半导体与金属间的耦合强度。当存在界面态时,发现有两个界面态并且它们随金属薄层的原子层数的变化有一个非常相似于Ruderman-Kittel类型的振荡行为。     

半导体物理

本书是一本教材，系统地介绍了半导体物理的理论知识。为了使学生能更好地理解和应用这些理论和概念，本书还对一些基于半导体的重要系统的原理进行了简单的解释。全书共分10章。第1章半导体简介，介绍了半导体的定义和重要性、半导体理论的基础和一维理想结晶固体的量子态；第2章理想半导体的量子态，重点介绍了三维半导体的量子态；第3章纯半导体的激发态和含杂质半导体的量子态；第4章均相半导体的统计学；第5章半导体中的迁移现象；第6章光效应；     

半导体物理——器件和纳米物理介绍

本书是作者在Leipzig大学所开设的半导体物理课程基础上写作完成的，它力求在固体和半导体物理基础与相关的电子光子器件及应用两方面取得平衡，特别适用于高年级本科生及研究生的使用。本书除了对许多其他类似书籍中不常见的课题，如材料的合金、应力、异质结构和纳米结构等进行了阐述与讨论，     

Ⅳ族半导体表面和界面结构与特性

为了更全面地了解Ⅳ族半导体表面和界面的结构和性质，以扫描隧道显微镜为主要手段，辅以ＬＥＥＤ和ＡＥＳ等常规手段，对它们作了系统的研究。本文是对最近许多结果的综述，首先介绍几个重要的Ｇｅ高指数表面的结构然后对发生在Ｇｅ和表面和亚表面的原子的扩散和迁移运动和了介绍，最后阐述了决定Ⅲ族金属／Ⅳ族金属半导体界面的结构的３个共同要素。     

半导体辐射探测器——器件物理

该书从最基本的原理出发，对现代迅速发展的辐射半导体探测器及相关技术进行了系统和详细的论述。它首先对半导体辐射探测器的工作原理和应用等方面作了一个直观的描述，之后再引入比较严谨和定量的分析。     

SiO_2-InP MIS结构的界面态和体深能级的研究

本文用恒定电容深能级瞬态谱(CC—DLTS)方法研究了SiO_2—InP MIS结构的界面态和体深能级。结果表明在价带顶附近界面态密度最高,可达9×10~(12)ev~(-1)·cm~(-2)以上,随着离开E_v指向E_i迅速降低。在E_v 0.41ev和E_v 0.55ev处各测得一个深能级。文中测量了淀积前InP表面四种不同处理的样品,发现界面态密度依賴于表面处理的方法,但其分布是相似的。文中还对InP MIS结构样品的CC—DLTS测量方法和测试条件作了探索与分析。最后,对SiO_2—InP MIS结构的界面态和体深能级分布作了讨论分析。     

MIS面向对象的通用可视界面的模型设计

根据管理信息系统的特点,以面向对象（Ｏｂｊｅｃｔ－Ｏｒｉｅｎｔｅｄ）技术作为软件开发方法,设计了一个通用可视化的窗体界面对象。ＭＩＳ实体联系模型（Ｅ－Ｒ）可以很通过自动化方式实现,有助于快速原型化的建立,在一定程度上实现了软件的通用性和自动化。     

利用金属／绝缘本／半导体（MIS）结构研究IPN的介电常数

采用自制的制膜工具有n-型硅片上制备了互穿聚合物网络（IPN）绝缘层膜。用真空镀在IPN膜上蒸镀铝圆项电极形成了Al/IPN/n-Si(MIS)结构。在室温条件下测定了电容－电压（C－V）特性。根据测定的C－V特性曲线计算了IPN膜的介电常数。     

半导体光电化学法测定半导体材料的物理参数

光电化学技术以它许多独特的优点为半导体性能测试提供了一种灵敏、方便,有时是其它方法也难以达到的综合性测试方法,尤其是对多层及异质结构材料多数的剖面分布测量.因此,它已广泛应用于材料性能测试和器件工艺.本文总结了半导体材料特性参数的光电化学测试技术,包括导电类型、p-n结位置、载流子浓度、少子扩散长度、深能级、禁带宽度、材料组份,以及部分参数的剖面分布的测定.介绍了国内外的研究进展.     

MIS结构AES分析及电流输运对表面和界面依赖关系的研究

借助于俄歇电子能谱分析,结合氩离子溅射剥蚀,对全面积超薄铝膜的AI/S_iO_x/S_iMIS结构太阳电池的纵向组份分布进行了研究。结果表明,实际的纵向结构为AI/AI_2O_3(+S_i)/S_i。定性地分析了MIS结构中的电流输运对界面和表面的依赖关系从而解释了器件宏观电学参数的稳定性。     

半导体双势垒结构界面光学声子模及其与电子的耦合

采用宏观连续介质模型研究了极性半导体双势垒结构中界面光学声子模．计算了界面光学声子的色散关系和声子势;给出了电子－界面光学声子相互作用哈密顿量．对ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ材料进行了数值计算和讨论     

基于VFP的MIS登录界面的设计与实现

针对VFP开发软件的保密性和安全性较差这一缺陷,分析了MIS登录界面设计中密码设置各种方式优缺点,给出在登录界面的设计中对密码加密和解密的算法和相应的示例代码,提高了系统的保密性和安全性。     

三级结构的电力企业MIS开发

结合管理信息系统(MIS)的基本概念，阐述基于三级结构的电力企业MIS的设计方案、实现技术及系统特点，并以作者开发的某供电企业的管理信息系统为例，说明三级结构的电力企业MI纵网络构架到系统功能的实现过程。     

企业MIS的两层结构

企业信息系统所面临的环境一直处于变化之中 ,因此企业信息系统应该是一个动态的系统.结合一个企业的信息系统开发提出了一个基于Internet的企业MIS的两层结构逻辑模型 ,使信息系统具有较强的自我组织、自我发展、自动适应环境变化的能力.     

“半导体物理”重点课程建设与教学探讨

重点课程建设的核心是教学内容与课程体系的建设。"半导体物理"教学实践中,本课程所涉及先修课程多、理论性强、学生不易掌握,教学模式单一,半导体物理学科领域发展迅速,教材内容更新较慢,针对这些特点,结合学校微电子专业建设重点课程的需要,我们作了切实可行的建设和改革,各章节教学内容强调前置课程的储备,将理论与实验、教学手段多样化融为一体,培养学生的积极性与创新意识.     

半导体ZnO薄层和金属Ni构成界面时的界面能

本文利用格林函数(GF)方法计算了ZnO半导体薄层和金属Ni构成界面时的界面能△E。讨论了界面能△E随NnO和Ni之间的相互作用势γ的变化.以及△E随半导体ZnO薄层的层数N(或厚度)的变化。     

金属─半导体界面附近的空位电子态

本文用紧束缚模型发展了金属一半导体界而附近的空位理论．研究结果发现：空位对它附近区域的态密度有一定影响；空位的生成能随空位一界面间距的变化是一个振荡函数．对文中所考虑的界面，空位趋向于朝界面处吸引；当系统中同时存在两个空位时，由于介质极化，空位之间要发生间接相互作用，其间接相互作用能随空位一空位间距的改变发生振荡．