金属增重率对溅射PET织物性能的影响

用磁控溅射的方法在PET表面镀上金属铜和镍,使其具有抗电磁辐射的功能.PET表面镀金属膜影响它的透气性能和电磁屏蔽性能.通过分析金属增重率对溅射织物的透气率以及电磁屏蔽性能的影响,以方便综合考虑服装的防电磁屏蔽性能和服装的舒适性能之间的关系.     

氧化石墨烯多层膜在棉织物上的层层组装及其电磁屏蔽性能

利用改进的Hummers方法制备了氧化石墨烯,采用浸蘸式层层组装技术在棉织物表面制备氧化石墨烯/聚二甲基二烯丙基氯化铵盐酸盐(GO/PDDA)多层膜,并测试其电磁屏蔽性能,探讨GO/PDDA多层膜沉积层数对电磁屏蔽性能的影响.结果表明,随着GO/PDDA多层膜沉积层数的增加,氧化石墨烯在棉织物表面的含量增多,棉织物电磁屏蔽性能提升.当GO/PDDA多层膜层数为15时,电磁屏蔽效能达到3.16dB,表明52%的电磁波被具有电磁屏蔽性能的棉织物屏蔽.     

磁控溅射工艺对纳米Ti膜形貌的影响

实验研究了磁控溅射工艺的溅射功率及溅射时间对纳米金属Ti膜的厚度影响,并对薄膜形貌作了简单探讨。结果表明,在其它工艺参数恒定时,金属Ti膜厚度与溅射时间呈正比例关系;金属Ti膜厚度随溅射功率的提高而增大;长时间溅射后的纳米金属Ti膜表面平整,主要源于薄膜进入连续生长阶段,出现晶粒合并的现象。     

基于玻璃基底的透明导电金膜的光学性质

采用直流溅射法,通过调节溅射时间和溅射电流,在玻璃基底上成功制备出不同厚度的透明导电金膜.通过椭圆偏振仪测量了透明导电金膜的厚度及其对可见光的透过率,利用四探针、扫描电子显微镜分别测量和表征了透明导电金膜的方块电阻和表面形貌.研究结果表明,随着透明导电金膜厚度的增加,方块电阻减小,金膜表面连续性变好,且透明导电金膜厚度为10~13nm时,透明导电金膜的导电性和透过性的兼顾最佳.通过实际中透明导电金膜厚度随溅射条件的变化,结合理论膜厚计算公式可知,直流溅射沉积透明导电金膜为岛状生长模式.使用椭圆偏振仪测量了不同入射角度和入射方向上透明导电金薄膜的椭偏参量,发现在各向同性的玻璃基底上生长的透明导电金膜的光学性质表现为各向异性.     

不锈钢管道溅射镀TiN薄膜实验研究

在不锈钢管道溅射镀膜装置上,通过对不锈钢管道真空室进行溅射镀TiN膜的反复多次实验及对镀膜实验结果的分析,得到了一整套适用于加速器管道真空室内壁溅射镀TiN膜的表面处理参数.实验结果表明,在压强为80～90 Pa、基体温度为160～180 ℃的镀膜参数下,不锈钢管道内壁能获得符合加速器物理要求的TiN薄膜.     

射频磁控溅射工作气压对涤纶面料表面镀膜的影响

运用射频磁控溅射技术在涤纶非织造面料表面进行溅射镀膜,采用金属和金属氧化物靶材,探讨工作气压对薄膜沉积速率的影响,寻求最佳的溅射工艺参数.用扫描电镜分析镀膜表面微观结构,并测量薄膜厚度,结果表明,沉积速率从大到小分别是铜膜、不锈钢膜、不锈钢氧化膜、铜氧化膜和二氧化钛膜.金属膜在工作气压1.0~1.2 Pa达到最大的沉积速率;而金属氧化物膜在工作气压大约为2.8 Pa时薄膜沉积速率最大.镀膜后的织物外观因薄膜材料不同而呈现不同的颜色:铜膜为黄棕色,不锈钢膜为淡土黄色,铜氧化膜为黑色,不锈钢氧化膜为咖啡色,二氧化钛膜为淡黄色.     

溅射金膜对氧化铝陶瓷纳秒脉冲真空沿面闪络的影响

研究了溅射金膜对氧化铝陶瓷在真空环境中、纳秒脉冲高电压作用下沿面闪络特性的影响规律.通过对氧化铝陶瓷表面粗糙度、电极接触形式的研究,并结合表面态陷阱、界面能带结构、电荷注入过程的分析,探究了影响氧化铝陶瓷溅射金膜后沿面闪络电压的主要原因.在50 ns/1.2μs脉冲下、电极间距10 mm时,测量各试样的闪络电压60次,取后30次平均值作为稳定的闪络电压.研究结果发现,氧化铝陶瓷在溅射金膜电极试样的闪络电压比直接压接电极试样的闪络电压低,这是因为在不同电极接触方式下,氧化铝陶瓷材料的表面态对真空中的电子发射和材料表层的电荷注入的影响不同所致.     

磷化铟表面介质膜的等离子体生长

本文借助于等离子体辉光放电,采用(1)使InP表面自体氧化;(2)溅射淀积SiO_2;(3)在InP表面上蒸铝膜再氧化等工艺,获得三种介质膜.以下将这三种膜依次简称为膜1、膜2、膜3. 1.实验简述等离子体由GP-B高频感应加热设备产生.自体氧化和铝膜氧化的装置与以前介     

镀锡钢板铬酸盐钝化膜的X射线光电子谱分析

使用X射线光电子能谱(XPS)全元素扫描分析方法对镀锡钢板铬酸盐钝化膜的成分进行了分析研究.结果表明,组成钝化膜的主要元素为Cr,O,Sn和C.通过Ar+溅射对钝化膜进行深度剖析表明,C元素来自于表面的污染而不是膜层本身;Cr和O元素随着Ar+溅射的进行含量逐渐降低,而Sn元素的含量却逐渐增加.溅射约360 s后,Sn元素的含量已达到了80%以上,此时所对应的钝化膜的厚度约为20 nm.通过窄幅扫描对钝化膜的相组成进行了分析,结果表明钝化膜主要由Cr(OH)3,Cr2O3,Sn及其氧化物构成.     

电子束蒸发与磁控溅射方法镀制铬膜研究

通过对铬膜附着力及表面形貌的研究得出电子束蒸发制备铬膜适宜的工艺参数为本底真空3.0×10-3Pa,电压6KV,电子束流60mA,烘烤温度100℃;磁控溅射制备铬膜的最佳工艺参数为本底真空1×10-3Pa,溅射气压为1.2×10-1Pa,溅射功率为150W,基片温度100℃.     

溅射后氨化法制备氮化镓薄膜技术综述

简要介绍了溅射后氨化法制备氮化镓薄膜（纳米结构）的技术，总结了近年来用此方法所取得的科研成果，并着重介绍了衬底结构对氮化镓薄膜形貌的影响，以期进行理论计算、预测，并最终实现可控生长有所帮助．     

用氮化硅作绝缘膜的砷化镓绝缘栅场效应晶体管的研究

利用可控射频溅射技术生长的氮化硅作绝缘膜,制造出Al/Si_3N_4/n-GaAs 的MIS 二极管和埋沟耗尽型GaAsMISFET.溅射时不通纯氢,器件的C-V 和I_D-V_D 特性中显示出明显的滞后效应和环状回线.溅射前先用高纯氢等离子体处理GaAs 表面,溅射过程中伴以微量的纯氢,溅射后适当退火,可以得到基本上没有滞后效应的C-V 曲线和I_D-V_D 特性中几乎没有环状迴线的MISFET.测量表明:g_m 的最大值约为2.7mS,界面陷阱密度为2.7×10~(11)～1.4×10~(12)cm~(-2)eV~(-1),界面陷阱能级位于导带下0.55和0.13eV 处,表面迁移率为4000～5400cm~2V~(-1)s~(-1).     

射频磁控溅射方法制备氧化钒薄膜的研究

利用射频磁控溅射的方法．在不同的衬底温度和溅射功率下制备了氧化钒薄膜样品，并在纯氩气环境下作了退火处理，用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和激光扫描共聚焦显微镜扫描图像，对样品进行研究．XRD分析显示退火前样品为非晶态，退火后为结晶态．并用激光共聚焦显微镜对图像做了验证．对比退火后样品的XRD图谱显示在其它条件相同时．可以通过增大溅射功率或降低衬底温度．来提高退火后薄膜样品的结晶程度，并增强V2O5(001)晶面的取向性；通过对比退火前样品的XPS谱可知在其它条件相同时，通过升高衬底温度或减小溅射功率．可以提高薄膜样品中高价钒的含量．     

顺序离子束溅射沉积制备GdAlO3单一晶相薄膜技术

顺序沉积薄膜制备技术包括前驱薄膜制备和后期薄膜热处理技术，特别适合复杂组分的薄膜制备．采用IM100离子束材料芯片沉积仪在MgO(100)基片上顺序沉积Gd2O3和Al单层薄膜，经后续低温扩散和高温晶化两步热处理得到GdAlO3单一晶相薄膜．以X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)等手段，分析所得GdAlO3薄膜的晶体结构和微观形貌，考察热处理过程对GdAlO3薄膜生长过程及微观结构的影响．实验结果表明顺序沉积薄膜制备技术具有化学计量比控制精确的优点，两步热处理可以得到结晶状况良好的单相结晶薄膜．     

溅射沉积在非晶碳膜基底上的银超微粒其自然演化的TEM分析（Ⅱ）──Ag、Ag／Ag＿2O超微粒的硫化

通过透射电子显微镜（ＴＥＭ）对溅射沉积在非晶碳膜基底上的银超微粒的长期观察发现，在自然环境下，Ａｇ／Ａｇ＿２Ｏ与还原形成的Ａｇ两类微粒相继开始硫化演变．两类微粒均经过Ａｇ＿２ＳＯ＿４中间过程逐渐变成了Ａｇ＿２Ｓ＿２Ｏ＿７微粒．同时粒径也进一步变大，出现大微粒“吞噬”小微粒的现象．观察结果还表明，在碳膜基底上还原形成的Ａｇ超微粒较Ａｇ／Ａｇ＿２Ｏ超微粒稳定，粒径变化也较慢．     

NiO钉扎的自旋阀的结构和磁性

利用反应溅射的方法制备了ＮｉＯ薄膜,并研究了ＮｉＯ对ＮｉＦｅ薄膜的钉扎作用结果表明钉扎场与反应溅射的Ａｒ／Ｏ２比例,总的溅射气压、基底的粗糙度等有很大关系,利用光电子能谱（ＸＰＳ）分析了ＮｉＯ２中的Ｎｉ２Ｏ离子的价态,并制备了ＮｉＯ钉扎的自旋阀Ｔａ／ＮｉＯ／ＮｉＦｅ／Ｃｕ／ＮｉＦｅ／Ｔａ,其磁电阻（ＭＲ）可达到２．２％,忆场为１０．４８ｋＡ／ｍ。     

熔凝玻璃膜钠离子迁移率测量及研究

本文提出利用IMA测量介质膜中可动离子漂移迁移率的新方法,并用该方法测量了熔凝玻璃膜中Na~+漂移迁移率,研究了Na~+迁移率与温度的关系。     

衬底负偏压溅射对ZrN薄膜性能的影响研究

本文采用S-抢磁控溅射系统淀积ZrN薄膜,用扫描电镜、X射线衍射、反射电子衍射、俄歇电子能谱和电学测量等方法研究了衬底负偏压溅射和溅射两种工艺方法淀积的ZrN薄膜的结构、组分和薄膜电阻率。结果表明,适当增大溅射功率,采用衬底负偏压溅射方法,有效地减少了氧的沾污,使得所淀积的ZrN薄膜的电学性能有明显改善。     

沉积条件对MOS2/Ti复合膜性能的影响

MoS2/Ti复合膜由直流磁控溅射方法制备,膜中Ti的原子分数x(Ti)和硬度Hv随着Ti靶溅射电流I(Ti)的增加而增加.FE-SEM(场发射扫描电子显微镜)对膜表面形貌观察发现,MoS2/Ti复合膜是由尺寸为几十到几百nm的颗粒组成,膜的致密性和膜中x(Ti)有关,x(Ti)越高,膜的致密性越好,从而膜的Hv也就越高.偏压Ub是影响膜性能的重要因素,随着Ub的增加,膜的Hv也增加,当Ub=-100 V时,膜的Hv达到峰值;进一步增加Ub,膜的Hv则下降.     

溅射于NiMnCo上的TiO2薄膜的结构与相变

利用射频磁控溅射方法以纯金属钛做靶材在氩氧混合气 体中制备了TiO₂薄膜. X射线衍射结果表明, 在NiMnCo合金基底上成功地沉积了 具有金红石、 金红石/锐钛矿和锐钛矿结构的TiO₂薄膜, 工作气压从0.2 Pa变 化到2 Pa, TiO₂薄膜的结构由金红石相变到锐钛矿相. 低于600 nm时, 厚度对T iO₂薄膜结构没有明显影响.